公开(公告)号：KR20210027102A

公开(公告)日：2021-03-10

申请号：KR1020200103484A

申请日：2020-08-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박경배 ,  나오토시 스가누마 ,  허철준 ,  박성준 ,  윤성영

IPC: H01L51/00 ,  H01L21/66 ,  H01L27/146 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L51/0031 ,  H01L51/441 ,  H01L22/00 ,  H01L27/146 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5048 ,  H01L51/4253

Abstract: 제1 전극과 제2 전극, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 활성층, 그리고 상기 제1 전극과 상기 활성층 사이에 위치하는 복수의 보조층을 포함하고, 상기 복수의 보조층은 상기 활성층에 가장 가깝게 위치하는 제1 보조층, 그리고 상기 제1 전극에 가장 가깝게 위치하는 제2 보조층을 포함하며, 상기 활성층의 에너지 준위, 상기 제1 보조층의 에너지 준위, 상기 제2 보조층의 에너지 준위 및 상기 제1 전극의 일 함수는 차례로 깊어지거나 차례로 얕아지고, 상기 활성층, 상기 제1 보조층, 상기 제2 보조층 및 상기 제1 전극의 에너지 다이아그램은 하기 관계식 1을 만족하는 소자, 이를 포함하는 센서 및 전자 장치에 관한 것이다.
[관계식 1]
|ΔΦ
1 -ΔΦ
2 | ≤ 0.1 eV
상기 관계식 1에서, ΔΦ
1 및 ΔΦ
2 는 명세서에서 정의한 바와 같다.

公开(公告)号：KR101472799B1

公开(公告)日：2014-12-16

申请号：KR1020080054863

申请日：2008-06-11

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 정지심 ,  이우철 ,  권장연 ,  박현상 ,  한상면 ,  류명관 ,  김태상 ,  박경배 ,  유병욱 ,  손경석 ,  한민구

IPC: G09G3/30 ,  G09G3/32 ,  G09G3/20 ,  H01L51/50

CPC classification number: G09G3/3233 ,  G09G3/2037 ,  G09G3/2081 ,  G09G2300/0842

Abstract: 디스플레이장치는 OLED(Organic Light Emitting Diode), 화상신호에의해상기 OLED에대한전류공급을스위칭하는드라이빙트랜지스터, 상기 OLED에대한전류의량을제어하는복수의전류제어트랜지스터를포함하는전류제어부;를구비한다. 이러한구조에따르면종래비해높은해상도와깊은색감표현이가능한디스플레이의구현이가능하다.

公开(公告)号：KR101334177B1

公开(公告)日：2013-11-28

申请号：KR1020070016033

申请日：2007-02-15

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 정지심 ,  류명관 ,  권장연 ,  박경배 ,  한민구 ,  이상윤 ,  박중현 ,  한상면 ,  김선재

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78621 ,  H01L29/42384 ,  H01L2029/7863

Abstract: 본 발명은 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 하부 구조체; 상기 하부 구조체 상에 다수의 도핑 영역을 포함하여 형성된 반도체층; 상기 반도체층 상에 형성된 이격되어 형성된 제 1절연층 및 제 2절연층; 상기 제 1절연층 및 상기 제 2절연층 상에 형성된 제 3절연층; 및 상기 제 3절연층의 상기 제 1절연층 및 상기 제 2절연층에 대응되는 영역 사이에 형성된 게이트 전극층;을 포함하는 박막 트랜지스터를 제공한다.

公开(公告)号：KR1020090128888A

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：KR1020080054863

申请日：2008-06-11

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 정지심 ,  이우철 ,  권장연 ,  박현상 ,  한상면 ,  류명관 ,  김태상 ,  박경배 ,  유병욱 ,  손경석 ,  한민구

IPC: G09G3/30 ,  G09G3/32 ,  G09G3/20 ,  H01L51/50

CPC classification number: G09G3/3233 ,  G09G3/2037 ,  G09G3/2081 ,  G09G2300/0842 ,  H01L27/3244 ,  H01L2027/11879 ,  H01L2227/323

Abstract: PURPOSE: An organic light emitting display device and a driving method thereof are provided to display the images with various colors by the gray scale of various steps by inserting at least one additional bit signal for an additional sub frame. CONSTITUTION: A driving transistor(T2) switches the current supply to an OLED by an image signal. A current controller includes a plurality of current control transistors(T3,T4) controlling an amount of currents to the OLED. A driving transistor operates in a linear region. Current control transistors operate at a saturation region. A storage capacitor stores an image signal. A switching transistor stores the image signal in a storage capacitor.

Abstract translation: 目的：提供一种有机发光显示装置及其驱动方法，通过插入附加子帧的至少一个附加位信号，通过各种步骤的灰度显示各种颜色的图像。 构成：驱动晶体管（T2）通过图像信号将电流源切换到OLED。 电流控制器包括控制到OLED的电流量的多个电流控制晶体管（T3，T4）。 驱动晶体管在线性区域中工作。 电流控制晶体管在饱和区域工作。 存储电容器存储图像信号。 开关晶体管将图像信号存储在存储电容器中。

公开(公告)号：KR1020080076292A

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：KR1020070016033

申请日：2007-02-15

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 정지심 ,  류명관 ,  권장연 ,  박경배 ,  한민구 ,  이상윤 ,  박중현 ,  한상면 ,  김선재

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78621 ,  H01L29/42384 ,  H01L2029/7863 ,  H01L29/78675

Abstract: A thin film transistor and a manufacturing method thereof are provided to change doping level for respective semiconductor layer regions by adjusting thickness and location of first, second, and third insulation layers. A thin film transistor comprises a lower structure(11), a semiconductor layer(12), first and second insulation layers(14a,14b), and a third insulation layer(16), and a gate electrode layer(17). The semiconductor layer includes a plurality of doped regions(12b,12c,12d) on the lower structure. The first and second insulation layers are formed on the semiconductor layer, separated from each other. The third insulation layer is formed on the first and second insulation layers. The gate electrode layer is formed on the third insulation layer between the first and second insulation layers. The width of the third insulation layer is longer than that between the first and second insulation layers and shorter than that between the left part of the first insulation layer and the right part of the second insulation layer.

Abstract translation: 提供薄膜晶体管及其制造方法，通过调整第一，第二和第三绝缘层的厚度和位置来改变各半导体层区域的掺杂水平。 薄膜晶体管包括下部结构（11），半导体层（12），第一和第二绝缘层（14a，14b）以及第三绝缘层（16）和栅电极层（17）。 半导体层包括在下部结构上的多个掺杂区域（12b，12c，12d）。 第一绝缘层和第二绝缘层形成在半导体层上，彼此分离。 第三绝缘层形成在第一和第二绝缘层上。 栅电极层形成在第一和第二绝缘层之间的第三绝缘层上。 第三绝缘层的宽度比第一绝缘层和第二绝缘层之间的宽度长，并且比第一绝缘层的左部分和第二绝缘层的右部分之间的宽度短。

公开(公告)号：KR1020050034452A

公开(公告)日：2005-04-14

申请号：KR1020030070367

申请日：2003-10-09

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 신정휴 ,  고윤주 ,  박경배 ,  문신철 ,  심승보

IPC: C07D213/61

CPC classification number: Y02P20/55

Abstract: 3,5-다이플루오로피리딘-4-카브알데하이드와 이의 유도체인
N -알킬-3,5-다이플루오로피리디늄-4-카브알데하이드 염, 및 이들의 제조 방법이 개시된다. 상기 3,5-다이플루오로피리딘-4-카브알데하이드의 제조방법은 피리딘 유도체를 출발 물질로 하여 피리딘 고리의 4-번 위치에 알데하이드기를 도입하는 단계, 알데하이드기에 보호기(protecting group)를 도입하는 단계, 플루오로화(fluorination)를 통해 피리딘의 3,5-위치의 할로겐을 플루오로로 치환하는 단계 및 보호기(protecting group)를 제거하는 단계를 포함한다. 3,5-다이플루오로피리딘-4-카브알데하이드의 유도체인
N -알킬-3,5-다이플루오로피리디늄-4-카브알데하이드 염은 3,5-다이플루오로피리딘-4-카브알데하이드에
N -알킬염을 형성시킴으로써 제조된다. 본 발명에 따른 3,5-다이플루오로피리딘-4-카브알데하이드는 고온 및 강한 산성 조건에서도 안정하고,
N -알킬염 형성 과정에서 플루오로기가 안정하게 유지된다. 또한, 본 발명에 따른
N -알킬-3,5-다이플루오로피리디늄-4-카브알데하이드 염은 수용액에서 용해도가 높고, 대장균(E. coli K12) 및 포도상 구균(Staphylococcus aureus KCTC 1621)에서 항균작용을 나타낸다.

公开(公告)号：KR100569829B1

公开(公告)日：2006-04-11

申请号：KR1020030070367

申请日：2003-10-09

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 신정휴 ,  고윤주 ,  박경배 ,  문신철 ,  심승보

IPC: C07D213/61

CPC classification number: Y02P20/55

Abstract: 3,5-다이플루오로피리딘-4-카브알데하이드와 이의 유도체인
N -알킬-3,5-다이플루오로피리디늄-4-카브알데하이드 염, 및 이들의 제조 방법이 개시된다. 상기 3,5-다이플루오로피리딘-4-카브알데하이드의 제조방법은 피리딘 유도체를 출발 물질로 하여 피리딘 고리의 4-번 위치에 알데하이드기를 도입하는 단계, 알데하이드기에 보호기(protecting group)를 도입하는 단계, 플루오로화(fluorination)를 통해 피리딘의 3,5-위치의 할로겐을 플루오로로 치환하는 단계 및 보호기(protecting group)를 제거하는 단계를 포함한다. 3,5-다이플루오로피리딘-4-카브알데하이드의 유도체인
N -알킬-3,5-다이플루오로피리디늄-4-카브알데하이드 염은 3,5-다이플루오로피리딘-4-카브알데하이드에
N -알킬염을 형성시킴으로써 제조된다. 본 발명에 따른 3,5-다이플루오로피리딘-4-카브알데하이드는 고온 및 강한 산성 조건에서도 안정하고,
N -알킬염 형성 과정에서 플루오로기가 안정하게 유지된다. 또한, 본 발명에 따른
N -알킬-3,5-다이플루오로피리디늄-4-카브알데하이드 염은 수용액에서 용해도가 높고, 대장균(E. coli K12) 및 포도상 구균(Staphylococcus aureus KCTC 1621)에서 항균작용을 나타낸다.
3,5-다이플루오로피리딘-4-카브알데하이드, N-알킬-3,5-다이플루오로피리디늄-4-카브알데하이드 염, 플루오로화, 보호기

公开(公告)号：KR102000719B1

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：KR1020120119252

申请日：2012-10-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임선정 ,  임동석 ,  김규식 ,  박경배 ,  이광희

IPC: C09K11/06 ,  H01L51/50

公开(公告)号：KR101920709B1

公开(公告)日：2018-11-22

申请号：KR1020100074404

申请日：2010-07-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박경배 ,  김현석 ,  류명관 ,  이상윤 ,  이광희 ,  김태상 ,  김억수 ,  손경석 ,  맹완주 ,  박준석

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78696

Abstract: 트랜지스터와그 제조방법및 트랜지스터를포함하는전자소자에관해개시되어있다. 개시된트랜지스터는다층구조를갖는산화물채널층을포함할수 있다. 상기채널층은게이트절연층측으로부터순차로배열되는제1층및 제2층을포함할수 있다. 상기제1층은도전체(conductor)일수 있고, 상기제2층은상기제1층보다전기전도도가낮은반도체(semiconductor)일수 있다. 상기제1층은게이트전압조건에따라공핍영역(depletion region)이될 수있다.

公开(公告)号：KR101778223B1

公开(公告)日：2017-09-15

申请号：KR1020080090007

申请日：2008-09-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박경배 ,  류명관 ,  유병욱 ,  이상윤 ,  김태상 ,  권장연 ,  손경석 ,  정지심

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78609 ,  H01L29/78618

Abstract: 박막트랜지스터가개시된다. 개시된박막트랜지스터는, 채널과소스및 드레인사이에형성된중간층을포함함으로써, 박막트랜지스터에서발생할수 있는드레인영역의높은오프전류를감소시켜안정된구동이가능한박막트랜지스터를제공한다.