公开(公告)号：KR1020090128888A

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：KR1020080054863

申请日：2008-06-11

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 정지심 ,  이우철 ,  권장연 ,  박현상 ,  한상면 ,  류명관 ,  김태상 ,  박경배 ,  유병욱 ,  손경석 ,  한민구

IPC: G09G3/30 ,  G09G3/32 ,  G09G3/20 ,  H01L51/50

CPC classification number: G09G3/3233 ,  G09G3/2037 ,  G09G3/2081 ,  G09G2300/0842 ,  H01L27/3244 ,  H01L2027/11879 ,  H01L2227/323

Abstract: PURPOSE: An organic light emitting display device and a driving method thereof are provided to display the images with various colors by the gray scale of various steps by inserting at least one additional bit signal for an additional sub frame. CONSTITUTION: A driving transistor(T2) switches the current supply to an OLED by an image signal. A current controller includes a plurality of current control transistors(T3,T4) controlling an amount of currents to the OLED. A driving transistor operates in a linear region. Current control transistors operate at a saturation region. A storage capacitor stores an image signal. A switching transistor stores the image signal in a storage capacitor.

Abstract translation: 目的：提供一种有机发光显示装置及其驱动方法，通过插入附加子帧的至少一个附加位信号，通过各种步骤的灰度显示各种颜色的图像。 构成：驱动晶体管（T2）通过图像信号将电流源切换到OLED。 电流控制器包括控制到OLED的电流量的多个电流控制晶体管（T3，T4）。 驱动晶体管在线性区域中工作。 电流控制晶体管在饱和区域工作。 存储电容器存储图像信号。 开关晶体管将图像信号存储在存储电容器中。

公开(公告)号：KR101472799B1

公开(公告)日：2014-12-16

申请号：KR1020080054863

申请日：2008-06-11

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 정지심 ,  이우철 ,  권장연 ,  박현상 ,  한상면 ,  류명관 ,  김태상 ,  박경배 ,  유병욱 ,  손경석 ,  한민구

IPC: G09G3/30 ,  G09G3/32 ,  G09G3/20 ,  H01L51/50

CPC classification number: G09G3/3233 ,  G09G3/2037 ,  G09G3/2081 ,  G09G2300/0842

Abstract: 디스플레이장치는 OLED(Organic Light Emitting Diode), 화상신호에의해상기 OLED에대한전류공급을스위칭하는드라이빙트랜지스터, 상기 OLED에대한전류의량을제어하는복수의전류제어트랜지스터를포함하는전류제어부;를구비한다. 이러한구조에따르면종래비해높은해상도와깊은색감표현이가능한디스플레이의구현이가능하다.

公开(公告)号：KR102056721B1

公开(公告)日：2019-12-17

申请号：KR1020120143714

申请日：2012-12-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 유병욱 ,  김태완

IPC: G06F1/16

公开(公告)号：KR101985429B1

公开(公告)日：2019-06-03

申请号：KR1020120053111

申请日：2012-05-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김주영 ,  정명섭 ,  송병권 ,  구본원 ,  유병욱 ,  이지열 ,  김도환

IPC: C08L79/08 ,  C08G73/12 ,  C09D179/08 ,  H01L51/52 ,  C08K5/06 ,  H01L51/05

公开(公告)号：KR1020160113889A

公开(公告)日：2016-10-04

申请号：KR1020150040208

申请日：2015-03-23

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  서울대학교산학협력단

Inventor： 박상윤 ,  권용주 ,  김연호 ,  김희찬 ,  박종현 ,  유병욱

IPC: A61B5/024 ,  A61B5/1455 ,  A61B5/021 ,  A61B5/00

CPC classification number: A61B5/6843 ,  A61B5/02 ,  A61B5/02007 ,  A61B5/021 ,  A61B5/0261 ,  A61B5/14552 ,  A61B5/681 ,  A61B5/7225 ,  A61B5/742

Abstract: 생체정보검출장치및 방법이개시된다. 생체정보검출장치는, 발광부와수광부를구비하는생체신호측정부를포함한다. 발광부에서광신호를발생시키고, 피검체에의해변조된광신호를수광부에서감지하여생체신호를측정한다. 저주파신호획득부는생체신호측정부에서측정된생체신호로부터저주파신호를얻는다. 이와같이얻어진저주파신호가기준범위이내일때, 신호처리부에서생체신호로부터생체정보를분석한다.

Abstract translation: 一种生物体信息检测装置，包括具有发光部和受光部的生物信号测定装置，所述发光部被配置为发出光信号，所述受光部被配置为检测被调制的光信号 由目标对象; 低频信号获取器，被配置为从由生物信号测量器测量的生物信号获得低频信号; 以及信号处理器，被配置为响应于确定从生物信号获得的低频信号在参考范围内，从生物信号分析生物信息。

公开(公告)号：KR101475411B1

公开(公告)日：2014-12-22

申请号：KR1020080068664

申请日：2008-07-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 류명관 ,  박경배 ,  이상윤 ,  권장연 ,  유병욱 ,  김태상 ,  손경석 ,  정지심

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78624 ,  H01L29/66765

Abstract: 폴리실리콘박막트랜지스터및 그제조방법이개시된다. 개시된박막트랜지스터는폴리실리콘(poly-Si)으로이루어진활성층상에저농도로도핑된제1 폴리실리콘층및 이제1 폴리실리콘층과같거나고농도로도핑된제2 폴리실리콘층이순차적으로형성된구조를가지며, 제1 폴리실리콘층의내측단부에는누설전류를줄일수 있는 LDD(lightly doped drain) 영역이형성된다.

公开(公告)号：KR1020090095315A

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：KR1020080020585

申请日：2008-03-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박경배 ,  김태상 ,  이상윤 ,  류명관 ,  권장연 ,  유병욱 ,  손경석 ,  정지심

IPC: C09K13/04 ,  H01L21/306 ,  H01L29/786

CPC classification number: C09K13/04 ,  C23F1/16 ,  H01L21/306 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/7869

Abstract: An etchant for the source of an oxide semiconductor thin film transistor and a drain electrode, and a method for preparing an oxide semiconductor thin film transistor by using the etchant are provided to prevent the back etching of an oxide semiconductor and the dissolution of an oxide semiconductor and to improve etching rate. An etchant for the source of an oxide semiconductor thin film transistor and a drain electrode comprises hydrogen peroxide, ammonium hydroxide, and water. A manufacturing method of an oxide semiconductor thin film transistor comprises the steps of forming a gate on a substrate(110), and forming a gate insulating layer(114) on the substrate so as to cover the gate; forming a channel layer(116) comprising an oxide semiconductor on the gate insulating layer; and forming a metal layer for the formation of a source and a drain electrode at on both surfaces of the channel layer, and pattering it by using the etchant to form a source and drain electrodes(118a,118b).

Abstract translation: 提供了用于氧化物半导体薄膜晶体管和漏极的源的蚀刻剂，以及通过使用蚀刻剂制备氧化物半导体薄膜晶体管的方法，以防止氧化物半导体的反向蚀刻和氧化物半导体的溶解 并提高蚀刻速率。 用于氧化物半导体薄膜晶体管和漏电极源的蚀刻剂包括过氧化氢，氢氧化铵和水。 氧化物半导体薄膜晶体管的制造方法包括以下步骤：在衬底（110）上形成栅极，并在衬底上形成栅极绝缘层（114）以覆盖栅极; 在所述栅极绝缘层上形成包含氧化物半导体的沟道层（116）; 以及在沟道层的两个表面上形成用于形成源极和漏极的金属层，并且通过使用蚀刻剂来形成源极和漏极以形成源极和漏极（118a，118b）。

公开(公告)号：KR1020180115656A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：KR1020180122629

申请日：2018-10-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정종원 ,  이지열 ,  박정일 ,  유병욱 ,  이상윤 ,  진용완

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/00 ,  H01L51/10

CPC classification number: H01L51/0508 ,  H01L51/0001 ,  H01L51/102

Abstract: 유기반도체, 상기유기반도체와전기적으로연결되어있는전극, 그리고상기유기반도체와상기전극사이에위치하며앵커기를가지는일단과이온성작용기를가지는타단을가지는모노머를포함하는자기조립단층을포함하는유기반도체소자및 그제조방법에관한것이다.

公开(公告)号：KR1020120082354A

公开(公告)日：2012-07-23

申请号：KR1020120002283

申请日：2012-01-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이지열 ,  정종원 ,  박정일 ,  유병욱 ,  진용완 ,  이상윤

IPC: H01L51/30 ,  H01L51/40

Abstract: PURPOSE: An organic semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to improve electrical characteristics of the organic semiconductor device by reducing contact resistance between a metal electrode and the organic semiconductor. CONSTITUTION: A gate electrode(124) is formed on a substrate. A gate insulating layer(140) is formed on the gate electrode. A source electrode(173) and a drain electrode(175) are formed on the gate insulating layer. An organic semiconductor(154) is formed on the source electrode and the drain electrode. A self-assembled monolayer(163) is formed between the organic semiconductor and the source electrode. A self-assembled monolayer(165) is formed between the organic semiconductor and the drain electrode.

Abstract translation: 目的：提供有机半导体器件及其制造方法，以通过降低金属电极和有机半导体之间的接触电阻来改善有机半导体器件的电特性。 构成：在基板上形成栅电极（124）。 栅极绝缘层（140）形成在栅电极上。 在栅极绝缘层上形成源极（173）和漏极（175）。 在源电极和漏电极上形成有机半导体（154）。 在有机半导体和源电极之间形成自组装单层（163）。 在有机半导体和漏电极之间形成自组装单层（165）。

公开(公告)号：KR1020110006514A

公开(公告)日：2011-01-20

申请号：KR1020090064178

申请日：2009-07-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 유병욱 ,  박정일 ,  구본원 ,  김도환 ,  이상윤 ,  이방린 ,  이지열

IPC: H01B3/18 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L51/0012 ,  H01L51/0529 ,  H01L51/0558

Abstract: PURPOSE: A self-assembled monolayer composition is provided to increase processing efficiency by enhancing a formation rate of the self-assembled monolayer and to improve properties of a thin film transistor. CONSTITUTION: A self-assembled monolayer composition comprises an alkoxy silane compound, base catalyst and organic solvent. A method for manufacturing a thin film transistor comprises the steps of: forming a gate electrode; forming a gate insulating layer on the gate electrode; forming a source electrode and a drain electrode on the gate insulating layer; forming the self-assembled monolayer on the gate insulating layer using the composition for a self-assembled monolayer; and forming an organic semiconductor on the self-assembled monolayer.

Abstract translation: 目的：提供一种自组装单层组合物，通过提高自组装单层的形成速率和改善薄膜晶体管的性能来提高加工效率。 构成：自组装单层组合物包含烷氧基硅烷化合物，碱催化剂和有机溶剂。 制造薄膜晶体管的方法包括以下步骤：形成栅电极; 在栅电极上形成栅极绝缘层; 在所述栅极绝缘层上形成源电极和漏电极; 使用自组装单层组合物在栅绝缘层上形成自组装单层; 并在自组装单层上形成有机半导体。