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公开(公告)号：KR101472799B1
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：KR1020080054863
申请日：2008-06-11
Applicant: 삼성전자주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G3/2037 , G09G3/2081 , G09G2300/0842
Abstract: 디스플레이장치는 OLED(Organic Light Emitting Diode), 화상신호에의해상기 OLED에대한전류공급을스위칭하는드라이빙트랜지스터, 상기 OLED에대한전류의량을제어하는복수의전류제어트랜지스터를포함하는전류제어부;를구비한다. 이러한구조에따르면종래비해높은해상도와깊은색감표현이가능한디스플레이의구현이가능하다.
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公开(公告)号：KR1020090128888A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：KR1020080054863
申请日：2008-06-11
Applicant: 삼성전자주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G3/2037 , G09G3/2081 , G09G2300/0842 , H01L27/3244 , H01L2027/11879 , H01L2227/323
Abstract: PURPOSE: An organic light emitting display device and a driving method thereof are provided to display the images with various colors by the gray scale of various steps by inserting at least one additional bit signal for an additional sub frame. CONSTITUTION: A driving transistor(T2) switches the current supply to an OLED by an image signal. A current controller includes a plurality of current control transistors(T3,T4) controlling an amount of currents to the OLED. A driving transistor operates in a linear region. Current control transistors operate at a saturation region. A storage capacitor stores an image signal. A switching transistor stores the image signal in a storage capacitor.
Abstract translation: 目的：提供一种有机发光显示装置及其驱动方法，通过插入附加子帧的至少一个附加位信号，通过各种步骤的灰度显示各种颜色的图像。 构成：驱动晶体管（T2）通过图像信号将电流源切换到OLED。 电流控制器包括控制到OLED的电流量的多个电流控制晶体管（T3，T4）。 驱动晶体管在线性区域中工作。 电流控制晶体管在饱和区域工作。 存储电容器存储图像信号。 开关晶体管将图像信号存储在存储电容器中。
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公开(公告)号：KR101713994B1
公开(公告)日：2017-03-09
申请号：KR1020100138042
申请日：2010-12-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/78693
Abstract: 트랜지스터와그 제조방법및 트랜지스터를포함하는전자소자에관해개시되어있다. 개시된트랜지스터는채널층의백 채널영역(back channel region)에불소함유영역을구비할수 있다. 상기불소함유영역은불소를포함하는플라즈마로처리된영역일수 있다. 상기트랜지스터의소오스/드레인과채널층사이의계면영역은불소미함유영역일수 있다. 상기채널층은산화물반도체층일수 있다.
Abstract translation: 晶体管包括设置在栅极上方并包括氧化物半导体的沟道层。 源电极接触沟道层的第一端部，漏电极与沟道层的第二端部接触。 沟道层还包括形成在源极和漏极之间的沟道层的上部的含氟区。
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公开(公告)号：KR1020150059681A
公开(公告)日：2015-06-02
申请号：KR1020130143061
申请日：2013-11-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L29/7869
Abstract: 이중채널층을가진박막트랜지스터가개시된다. 개시된박막트랜지스터는게이트전극상의게이트절연층과, 상기게이트절연층상에순차적으로형성된제1 채널층및 제2 채널층을포함하는복수의채널층과, 상기복수의채널층각각의양단과접촉하게형성된소스전극및 드레인전극을포함한다. 상기제1 채널층은메탈옥사이드층이며, 상기제2 채널층은메탈옥시나이트라이드층이다.
Abstract translation: 公开了一种包括双通道层的薄膜晶体管。 所公开的薄膜晶体管包括形成在栅电极上的栅极绝缘层，包括依次形成在栅绝缘层上的第一沟道层和第二沟道层的多个沟道层，以及源极和 漏电极，其与每个沟道层的两端接触。 第一沟道层是金属氧化物层。 第二沟道层是金属氮氧化物层。
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公开(公告)号：KR1020150025621A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：KR1020130103428
申请日：2013-08-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/1033 , H01L29/66969 , H01L29/78696 , H01L27/1225 , H01L29/06 , H01L29/78606
Abstract: 트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자에 관해 개시되어 있다. 개시된 트랜지스터는 다층 구조를 갖는 채널층을 포함할 수 있다. 상기 채널층은 제1 및 제2층을 포함할 수 있고, 상기 제1층이 제2층보다 게이트에 가까이 배치될 수 있다. 상기 제2층은 상기 제1층보다 높은 전기 저항을 가질 수 있다. 상기 제1 및 제2층 중 적어도 하나는 아연(zinc), 산소(oxygen) 및 질소(nitrogen)를 포함하는 반도체 물질을 구비할 수 있다. 또는, 상기 제1 및 제2층 중 적어도 하나는 아연 플루오르나이트라이드(zinc fluoronitride)를 포함하는 반도체 물질을 구비할 수 있다. 상기 제2층의 산소 함유량은 상기 제1층의 산소 함유량보다 높을 수 있다. 상기 제2층의 불소 함유량은 상기 제1층의 불소 함유량보다 높을 수 있다.
Abstract translation: 公开了一种晶体管及其制造方法，以及包括晶体管的电子器件。 晶体管可以包括具有多层结构的沟道层。 沟道层可以包括第一层和第二层。 第一层可以比第二层更靠近栅极。 与第一层相比，第二层可具有更高的电阻。 第一层和第二层中的至少一层可以包括含有锌，氧和氮的半导体材料。 此外，第一层和第二层中的至少一个可以包括含有氟化氮锌的半导体材料。 第二层的氧含量可以高于第一层的氧含量。 第二层的氟含量可以高于第一层的氟含量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150016789A
公开(公告)日：2015-02-13
申请号：KR1020130092667
申请日：2013-08-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/66742 , H01L29/78696 , H01L29/66969 , H01L29/78606
Abstract: 개시된 박막 트랜지스터는, 아연(zinc), 질소(nitrogen) 및 산소(oxygen)를 포함하는 채널층; 상기 채널층 상에 마련되며, 불소(fluorine)를 포함하는 식각 정지층; 상기 채널층의 양 측에 각각 접촉된 소스 및 드레인 전극; 상기 채널층에 대응하도록 구비된 게이트 전극; 및 상기 채널층과 상기 게이트 전극 사이에 구비된 게이트 절연층;을 포함한다.
Abstract translation: 所公开的薄膜晶体管包括包含锌，氮和氧的沟道层，蚀刻停止层，其形成在沟道层上并且分别包括与沟道层的两侧接触的氟，源极和漏极 形成为对应于沟道层的栅极电极和形成在沟道层和栅电极之间的栅极绝缘层。
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公开(公告)号：KR1020150016034A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：KR1020130092247
申请日：2013-08-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/78606 , H01L29/78618 , H01L29/78696
Abstract: 징크 옥시나이트라이드 계의 다중 채널층을 가진 박막 트랜지스터가 개시된다. 개시된 박막 트랜지스터는 게이트 전극과, 상기 게이트 전극 상의 게이트 절연층과, 상기 게이트 절연층 상에 순차적으로 형성된 하부 채널층 및 상부 채널층을 포함하는 징크 옥시나이트라계 채널층과, 상기 복수의 채널층 각각의 양단과 접촉하게 형성된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함한다.
상기 상부 채널층은 상기 하부 채널층 보다 전기적 저항성이 높으며,
상기 상부 채널층은 상기 소스 전극과 접촉하는 제1영역과 상기 드레인 전극과 접촉하는 제2영역과 상기 제1영역 및 상기 제2영역 사이의 중간 영역을 포함하며, 상기 제1영역 및 상기 제2영역은 상기 중간 영역 보다 높은 캐리어 농도를 가진 영역이다.Abstract translation: 公开了具有氮氧化锌多通道层的薄膜晶体管。 薄膜晶体管包括栅电极，栅电极上的栅极绝缘层，在栅极绝缘层上依次形成具有上沟道层和下沟道层的氧氮化锌沟道层，源电极和 分别接触通道层的两端的漏电极。 上通道层与下通道层相比具有较高的电阻。 上沟道层包括接触源极的第一区域，接触漏电极的第二区域和第一区域与第二区域之间的中间区域。 与中部地区相比，第一区域和第二区域的载流子浓度较高。
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公开(公告)号：KR101375834B1
公开(公告)日：2014-03-18
申请号：KR1020070118827
申请日：2007-11-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/20 , H01L29/786 , B82Y40/00
CPC classification number: H01L21/02675 , H01L21/02532 , H01L29/66765 , Y10S977/762 , Y10S977/778
Abstract: 다결정 실리콘 박막 및 이를 적용하는 박막 트랜지스터의 제조방법이 개시된다. 개시된 다결정 실리콘 박막의 제조방법은 기판 상에 비정질 실리콘으로 활성층을 형성하는 단계; 상기 활성층에 금 나노로드를 도포하는 단계; 상기 금 나노로드에 적외선 영역의 광을 조사하여 상기 활성층을 결정화 시키는 단계;를 포함한다.
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公开(公告)号：KR101345378B1
公开(公告)日：2013-12-24
申请号：KR1020070048310
申请日：2007-05-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: ZnO 계박막트랜지스터및 제조방법에관해개시된다. ZnO 계박막트랜지스터는채널층에플라즈마에대해 ZnO에비해높은분자결합력을갖는 ZnCl 성분이포함된다. ZnCl 성분은채널층 전체뿐 아니라채널의표면가까운영역에형성된다. ZnCl 은플라즈마충격에강하며, 플라즈마에노출되었을때 잘분해되지않으며따라서캐리어농도증가가억제된다. ZnCl 성분은채널층 재료에포함되어채널층 전체에분포될수 도있고, 또는채널층 패터닝시플라즈마가스에 Cl 성분을포함시켜채널층 에칭과정에서채널층의표면영역에함유될수 있다.
Abstract translation: 公开了一种ZnO基薄膜晶体管及其制造方法。 ZnO基薄膜晶体管包括ZnCl组分，该组分对沟道层中的ZnO与等离子体具有高分子结合力。 ZnCl组分不仅形成在整个沟道层上，而且形成在沟道表面附近。 ZnCl 2抗等离子体冲击并且在暴露于等离子体时不会很好地分解，因此抑制了载流子浓度的增加。 ZnCl组分可以被包括在沟道层材料中并且遍布沟道层分布，或者可以在沟道层刻蚀工艺期间通过在沟道层图案化期间将Cl组分包括在等离子体气体中而包含在沟道层的表面区域中。
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公开(公告)号：KR1020090052229A
公开(公告)日：2009-05-25
申请号：KR1020070118828
申请日：2007-11-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/02667 , H01L21/20 , H01L21/2022 , H01L29/66765
Abstract: 결정질 실리콘 박막 및 이를 적용하는 박막 트랜지스터의 제조방법이 개시된다. 개시된 결정질 실리콘 박막의 제조방법은 기판 상에 격자 구조를 가지는 버퍼층을 형성하는 단계; 버퍼층 상에 실리콘 결정을 성장시키는 단계;를 포함한다.
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