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1.发明专利
公开(公告)号：KR102232755B1
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：KR1020150049075A
申请日：2015-04-07
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01L29/772 , H01L27/04 , H01L29/78681 , C01B19/04 , H01L21/467 , H01L29/04 , H01L29/045 , H01L29/0665 , H01L29/1029 , H01L29/1033 , H01L29/1606 , H01L29/24 , H01L29/66409 , H01L29/66477 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/78684 , H01L29/78687 , H01L29/78696
Abstract: 2차원 물질을 이용한 전자소자 및 그 제조 방법이 개시된다. 개시된 전자소자는 밴드갭을 갖는 2차원 물질층을 포함할 수 있다. 여기서, 2차원 물질층은 2개의 다층 2차원 물질 영역과 그 사이에 배치된 채널 영역을 포함할 수 있다. 전자소자의 전극은 다층 2차원 물질 영역에 전기적으로 접촉할 수 있다.
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公开(公告)号：KR102232755B1
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：KR1020150049075
申请日：2015-04-07
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/66 , H01L29/778 , H01L29/24 , H01L29/786 , H01L29/04 , H01L29/06 , H01L29/16
Abstract: 2차원물질을이용한전자소자및 그제조방법이개시된다. 개시된전자소자는밴드갭을갖는 2차원물질층을포함할수 있다. 여기서, 2차원물질층은 2개의다층 2차원물질영역과그 사이에배치된채널영역을포함할수 있다. 전자소자의전극은다층 2차원물질영역에전기적으로접촉할수 있다.
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公开(公告)号：KR101368050B1
公开(公告)日：2014-02-28
申请号：KR1020120052677
申请日：2012-05-17
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: G05F3/26
Abstract: 본 발명은 저항 변화를 보상한 밴드갭 기준전압 발생기를 공개한다. 이 장치는 전원 전압을 인가받아 공정 변화에 대하여 보상된 이미터 전류를 생성하여 저항 변화에 무관한 베이스-이미터 전압을 출력하는 베이스-이미터 전압 발생부; 상기 전원 전압을 인가받아 상기 공정 변화에 무관한 베이스-이미터 전압의 변화량을 생성하여 출력하는 베이스-이미터 전압 변화량 발생부; 및 상기 베이스-이미터 전압 및 상기 베이스-이미터 전압의 변화량을 인가받아 합산하여 기준 전압을 출력하는 전압 합산부;를 구비하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의할 경우, 공정 후 보정 방식 없이 저항의 변화를 보상하여 밴드갭 기준전압 발생기의 정확도를 향상시킬 수 있어 공정 비용 및 실리콘 면적, 입출력 핀을 절약하여 제조 원가를 절감할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020130129322A
公开(公告)日：2013-11-28
申请号：KR1020120052677
申请日：2012-05-17
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: G05F3/26
Abstract: A band gap reference voltage generator compensating for a resistance variation is disclosed. The apparatus comprises: a base-emitter voltage generator receiving a voltage from a power source, generating an emitter current compensated for regarding a process variation and outputting a base-emitter voltage independent of resistance variations; a base-emitter voltage variation generator receiving a voltage from the power source and generating and outputting a variation of the base-emitter voltage independent of process variations; and a voltage adder receiving and adding the variation of the base-emitter, and outputting a reference voltage. The present invention can improve the accuracy of the band gap reference voltage generator by compensating for the resistance variations without a method of compensation posterior to process, thereby saving production costs by reducing process costs, a silicon area and the number of IO pins. [Reference numerals] (150) Emitter current generator compensating for process
Abstract translation: 公开了补偿电阻变化的带隙基准电压发生器。 该装置包括：基极 - 发射极电压发生器，其从电源接收电压，产生针对工艺变化补偿的发射极电流，并输出与电阻变化无关的基极 - 发射极电压; 接收来自所述电源的电压的基极 - 发射极电压变化发生器，并且独立于过程变化产生并输出所述基极 - 发射极电压的变化; 以及电压加法器，接收并相加基极 - 发射极的变化，并输出参考电压。 本发明可以通过补偿电阻变化来提高带隙基准电压发生器的精度，而不需要后处理的补偿方法，从而通过降低工艺成本，硅面积和IO引脚数来节省生产成本。 （附图标记）（150）发射器电流发生器补偿过程
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公开(公告)号：KR100736229B1
公开(公告)日：2007-07-06
申请号：KR1020060035644
申请日：2006-04-20
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: G01B9/02
Abstract: A system for compensating error of laser interferometer and a method thereof are provided to measure displacement similar to resolution of a corresponding interferometer without an expensive measuring circumstance. A system for compensating error of laser interferometer includes an interferometer(50) using a single path heterodyne laser(51), a measuring unit(60) to measure a displacement using the interferometer, and a correcting unit(70) to correct an error of the measurement measured by the measuring unit using double Kalman filter algorithm. The correcting unit models measurement noise due to environmental error and reduces the measurement noise to increase measuring precision. The interferometer includes a laser to output a laser beam with a first frequency(f1) and a second frequency(f2), a beam splitter(52) installed on an optical path of the laser to split the first frequency and the second frequency, a first quarter plate installed on an optical path of the first frequency, a movable mirror(54) installed in a driving unit, a second quarter plate(55) installed on an optical path of the second frequency, and a fixed mirror(56) fixed on the optical path of the second frequency.
Abstract translation: 提供了一种用于补偿激光干涉仪误差的系统及其方法，以测量与相应干涉仪的分辨率相似的位移，而无需昂贵的测量环境。 用于补偿激光干涉仪误差的系统包括使用单路外差激光器（51）的干涉仪（50），使用干涉仪测量位移的测量单元（60），以及校正单元（70） 由测量单元使用双卡尔曼滤波器算法测量的测量。 校正单元模拟由于环境误差引起的测量噪声，并降低测量噪声以提高测量精度。 干涉仪包括：激光器，用于输出具有第一频率（f1）和第二频率（f2）的激光束;分光器（52），其安装在激光器的光路上以分裂第一频率和第二频率; 在安装在第一频率的光路上的第一四分之一板，安装在驱动单元中的可移动反射镜（54），安装在第二频率的光路上的第二四分之一板（55）以及固定的反射镜（56） 在第二频率的光路上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101827124B1
公开(公告)日：2018-02-07
申请号：KR1020160073164
申请日：2016-06-13
Applicant: 현대자동차주식회사 , 기아자동차주식회사 , 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본발명은차량에서제공하는차량데이터를이용하여운전자의패턴을다중트리유전프로그래밍알고리즘방법에적용하여학습및 분류하고, 학습된운전자모델의주행성향을분석함으로써운전자의위험도를정의할수 있으며, 학습되지않은데이터의위험도에대한실시간처리가가능한운전자의주행패턴인식시스템및 방법을제공한다. 본발명의일실시예에따른운전자의주행패턴인식시스템은차량의운행데이터를수집하는데이터수집부, 상기차량의운행데이터를분석하여운전자의운전패턴에대한영향을많이미치는주요센서들을선별하는데이터축소부, 기계학습알고리즘을통해상기수신된차량의운행데이터에서각각의운전자의운전패턴에대한모델을생성하는데이터학습부및 상기생성된운전자의운전패턴에대한모델을이용하여서비스를실행하는서비스실행부를포함한다.
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公开(公告)号：KR1020150089841A
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：KR1020140010889
申请日：2014-01-28
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/265 , H01L21/84
CPC classification number: H01L51/002 , H01L21/225 , H01L21/2253 , H01L21/76251 , H01L29/1606 , H01L29/24 , H01L51/0558
Abstract: 2차원반도체의도핑방법이개시된다. 개시된 2차원반도체의도핑방법은기판상에반도체층을형성하는단계와, 상기반도체층에이온을주입하는단계와, 상기반도체층상에 2차원반도체또는유기물반도체로이루어진도프층을형성하는단계와상기기판을열처리하여상기반도체층의상기이온을상기도프층으로확산시켜서상기도프층을도핑하는단계를포함한다.
Abstract translation: 公开了掺杂二维半导体的方法。 掺杂二维半导体的方法包括在衬底上形成半导体层的步骤，将离子注入到半导体层中的步骤，在半导体层上形成由二维半导体或有机半导体制成的掺杂层的步骤，以及 通过加热衬底并将半导体层的离子扩散到掺杂层中，在掺杂层上进行掺杂过程的步骤。
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公开(公告)号：KR102257243B1
公开(公告)日：2021-05-27
申请号：KR1020140010721
申请日：2014-01-28
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/16 , H01L29/772 , H01L21/335
Abstract: 튜너블배리어를구비한그래핀트랜지스터가개시된다. 개시된그래핀트랜지스터는반도체기판상에배치된절연박막과, 상기절연박막상의그래핀층과, 상기그래핀층의일단부와연결된제1전극과, 상기그래핀층의타단부로부터이격되며상기반도체기판과접촉하는제2전극과, 상기그래핀층상의게이트전극을포함한다. 상기반도체기판및 상기그래핀층사이에튜너블에너지배리어가형성된다.
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公开(公告)号：KR1020150089742A
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：KR1020140010721
申请日：2014-01-28
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/16 , H01L29/772 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/1606 , H01L29/78
Abstract: 튜너블배리어를구비한그래핀트랜지스터가개시된다. 개시된그래핀트랜지스터는반도체기판상에배치된절연박막과, 상기절연박막상의그래핀층과, 상기그래핀층의일단부와연결된제1전극과, 상기그래핀층의타단부로부터이격되며상기반도체기판과접촉하는제2전극과, 상기그래핀층상의게이트전극을포함한다. 상기반도체기판및 상기그래핀층사이에튜너블에너지배리어가형성된다.
Abstract translation: 公开了一种包括可调屏障的石墨烯晶体管。 所公开的石墨烯晶体管包括布置在半导体衬底上的绝缘薄膜; 绝缘薄膜上的石墨烯层; 连接到所述石墨烯层的一端的第一电极; 与石墨烯层的另一端分离并与半导体基板接触的第二电极; 和石墨烯层上的栅电极。 在半导体衬底和石墨烯层之间形成能量势垒。
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公开(公告)号：KR102256017B1
公开(公告)日：2021-05-24
申请号：KR1020140010889
申请日：2014-01-28
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/265 , H01L21/84
Abstract: 2차원반도체의도핑방법이개시된다. 개시된 2차원반도체의도핑방법은기판상에반도체층을형성하는단계와, 상기반도체층에이온을주입하는단계와, 상기반도체층상에 2차원반도체또는유기물반도체로이루어진도프층을형성하는단계와상기기판을열처리하여상기반도체층의상기이온을상기도프층으로확산시켜서상기도프층을도핑하는단계를포함한다.
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