公开(公告)号：WO2012176948A1

公开(公告)日：2012-12-27

申请号：PCT/KR2011/004639

申请日：2011-06-24

Applicant: 한국표준과학연구원 ,  박병천 ,  이주엽 ,  송운 ,  최진호 ,  안상정 ,  유준 ,  송원영 ,  홍재완 ,  백승헌

Inventor： 박병천 ,  이주엽 ,  송운 ,  최진호 ,  안상정 ,  유준 ,  송원영 ,  홍재완 ,  백승헌

IPC: G01Q60/24 ,  H01J37/26

CPC classification number: G01Q30/02 ,  B82Y35/00 ,  H01J37/28

Abstract: 본 발명은 계측의 신뢰성을 증대 또는 극대화할 수 있는 융합계측장치를 개시한다. 그의 장치는 기판 표면을 원자레벨 수준으로 계측하는 원자현미경과, 상기 원자현미경 및 상기 기판을 계측하는 전자현미경과, 상기 전자현미경으로 상기 원자현미경 및 상기 기판을 모니터링 할 때, 원자현미경의 캔틸레버에 가려지는 기판 상의 이차전자의 경로를 왜곡하여 전자현미경의 전자 검출기로 진행시키는 적어도 하나의 전극을 포함한다.

Abstract translation: 提供了一种增加或最大化测量可靠性的融合测量装置。 该融合测量装置包括：用于以原子级测量衬底表面的原子显微镜; 用于测量原子显微镜和基底的电子显微镜; 以及至少一个电极，其使由原子显微镜的悬臂覆盖的基板上的二次电子的路径变形，使得二次电子进入电子显微镜的电子检测器。

公开(公告)号：KR1020110100052A

公开(公告)日：2011-09-09

申请号：KR1020100019129

申请日：2010-03-03

Applicant: 한국표준과학연구원

Inventor： 박병천 ,  이주엽 ,  송운 ,  최진호 ,  안상정 ,  유준 ,  송원영 ,  홍재완 ,  백승헌

IPC: G01Q60/02 ,  G01Q80/00 ,  H01J37/26 ,  G01B21/30

CPC classification number: G01Q60/08 ,  G01B21/30 ,  G01Q80/00 ,  G01R1/06727 ,  H01J37/285

Abstract: 본 발명은 계측의 신뢰성을 증대 또는 극대화할 수 있는 융합계측장치를 개시한다. 그의 장치는 기판 표면을 원자레벨 수준으로 계측하는 원자현미경과, 상기 원자현미경 및 상기 기판을 계측하는 전자현미경과, 상기 전자현미경으로 상기 원자현미경 및 상기 기판을 모니터링 할 때, 원자현미경의 캔틸레버에 가려지는 기판 상의 이차전자의 경로를 왜곡하여 전자현미경의 전자 검출기로 진행시키는 적어도 하나의 전극을 포함한다.

公开(公告)号：KR100884525B1

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：KR1020070095463

申请日：2007-09-19

Applicant: 한국표준과학연구원

Inventor： 김진희 ,  김남 ,  이상돈 ,  송운 ,  이준성

IPC: H01L29/775

CPC classification number: H01L29/66439 ,  H01L29/66984 ,  H01L29/7613 ,  Y10S977/937

Abstract: A single electron transistor for sensing a spin quantum bit and a manufacturing method thereof are provided to facilitate integration of a quantum gate element by performing a manufacturing process similar to a CMOS step. A source(10), a drain(20), first and second quantum dots, first to third gates(30,31,32), a single electron transistor are formed on an upper silicon layer of SOI(Silicon On Insulator) substrate. A quantum bit of dual quantum dots composed of the first and second quantum dots is sensed by a single electron transistor. The rest silicon layer except for the formed pattern is etched. A doping mask is formed in a conductive channel formed by the third quantum dot of the single electron transistor and the first and second quantum dots. A gate oxidation film is formed in an upper side of a silicon layer. A control gate(61) covering the first to third quantum dots is formed and the rest is etched. A metallization process is performed on the substrate.

Abstract translation: 提供用于感测自旋量子位的单电子晶体管及其制造方法，以通过执行类似于CMOS步骤的制造工艺来促进量子门元件的集成。 源（10），漏极（20），第一和第二量子点，第一至第三栅极（30,31,32），单电子晶体管形成在SOI（绝缘体上硅）衬底的上硅层上。 由第一和第二量子点组成的双量子点的量子位由单个电子晶体管感测。 蚀刻除了形成的图案之外的其余硅层。 在由单电子晶体管的第三量子点和第一和第二量子点形成的导电沟道中形成掺杂掩模。 在硅层的上侧形成有栅极氧化膜。 形成覆盖第一至第三量子点的控制栅极（61），其余部分被蚀刻。 在基板上进行金属化处理。

公开(公告)号：KR100968896B1

公开(公告)日：2010-07-14

申请号：KR1020080013787

申请日：2008-02-15

Applicant: 한국표준과학연구원

Inventor： 김규태 ,  송운 ,  김문석 ,  정연욱 ,  김완섭

IPC: G01R27/26

Abstract: 본 발명은 복소 전기용량 측정 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 크기 및 위상이 다른 두 개의 독립적인 가변전압원과 저항을 이용하여 브릿지 법에 의해 복소 전기용량을 측정하는 복소 전기용량 측정 장치에 관한 것이다.
이를 위한 본 발명은 브릿지 법에 의한 복소 전기용량 측정 장치에 있어서, 전압이 인가되는 제 1 가변전압수단 및 제 2 가변전압수단, 저항, 및 전기용량이 측정되는 커패시터의 순으로 직렬 연결되어 폐루프를 형성하며 상기 제 1 가변전압수단 및 제 2 가변전압수단의 사이와 상기 저항 및 커패시터 사이에 병렬 연결되는 탐지수단을 포함하여 구성되는 특징이 있다.
커패시턴스, 전기용량, 위상, 브릿지

公开(公告)号：KR101158284B1

公开(公告)日：2012-06-19

申请号：KR1020100019129

申请日：2010-03-03

Applicant: 한국표준과학연구원

Inventor： 박병천 ,  이주엽 ,  송운 ,  최진호 ,  안상정 ,  유준 ,  송원영 ,  홍재완 ,  백승헌

IPC: G01Q60/02 ,  G01Q80/00 ,  H01J37/26 ,  G01B21/30

Abstract: 본 발명은 계측의 신뢰성을 증대 또는 극대화할 수 있는 융합계측장치를 개시한다. 그의 장치는 기판 표면을 원자레벨 수준으로 계측하는 원자현미경과, 상기 원자현미경 및 상기 기판을 계측하는 전자현미경과, 상기 전자현미경으로 상기 원자현미경 및 상기 기판을 모니터링 할 때, 원자현미경의 캔틸레버에 가려지는 기판 상의 이차전자의 경로를 왜곡하여 전자현미경의 전자 검출기로 진행시키는 적어도 하나의 전극을 포함한다.

公开(公告)号：KR1020090088493A

公开(公告)日：2009-08-20

申请号：KR1020080013787

申请日：2008-02-15

Applicant: 한국표준과학연구원

Inventor： 김규태 ,  송운 ,  김문석 ,  정연욱 ,  김완섭

IPC: G01R27/26

CPC classification number: G01R27/26 ,  G01R9/02 ,  G01R19/15 ,  G01R27/08 ,  G01R27/2605

Abstract: An apparatus for measurement of a complex capacitance is provided to measure accurate complex electric capacitance through the principles of a dual source bridge. A bridge circuit is composed of a resistor, a DC power source, and high accuracy galvanometer(10). A resistor to be measured is connected between a second node(b) and a third node(c), and a first fix resistor(R1) and a second fixed resistor(R2) are ratio arm, and a variable resistor(R3) is a standard arm. In the dual source bridge, a first power source, a second power source, a first resistor, and a second resistor are connected in series.

Abstract translation: 提供了用于测量复合电容的装置，以通过双源桥的原理来测量精确的复电容。 桥接电路由电阻器，直流电源和高精度电流计（10）组成。 待测电阻器连接在第二节点（b）和第三节点（c）之间，第一固定电阻器（R1）和第二固定电阻器（R2）是比例臂，可变电阻器（R3）是 一个标准的手臂。 在双源桥中，串联连接第一电源，第二电源，第一电阻和第二电阻。