公开(公告)号：EP1756856A4

公开(公告)日：2010-02-17

申请号：EP05755089

申请日：2005-05-31

Applicant: IBM

Inventor： DUNN DERREN N ,  KIM HYUNGJUN ,  ROSSNAGEL STEPHEN M ,  SEO SOON-CHEON

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/285 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/52 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L21/76846 ,  H01L21/28562 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：JP2005133217A

公开(公告)日：2005-05-26

申请号：JP2004312100

申请日：2004-10-27

Applicant: Internatl Business Mach Corp ,  インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Maschines Corporation

Inventor： KIM HYUNGJUN ,  KELLOCK ANDREW J ,  ROSSNAGEL STEPHEN M

IPC: C23C16/50 ,  B32B9/00 ,  C23C16/08 ,  C23C16/34 ,  C23C16/46 ,  C23C28/00 ,  H01L21/205 ,  H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L21/285 ,  H01L21/314 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC classification number: C23C16/45542 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for producing a copper diffusion barrier having high reliability.
SOLUTION: In the method, TaN with various nitrogen content is deposited by a plasma enhanced atomic layer deposition method. Using a mixture of hydrogen and nitrogen plasma, the nitrogen content in the film can be controlled from 0 to N/Ta=1.7. By turning off the nitrogen flow during deposition of TaN, a TaN/Ta bilayer is easily grown, which has copper diffusion barrier properties superior to those of a single Ta layer or a single TaN layer.
COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Abstract translation: 解决的问题：提供一种具有高可靠性的铜扩散阻挡层的制造方法。 解决方案：在该方法中，通过等离子体增强的原子层沉积方法沉积具有各种氮含量的TaN。 使用氢和氮等离子体的混合物，膜中的氮含量可以从0到N / Ta = 1.7。 通过在TaN沉积期间关闭氮气流，容易生长TaN / Ta双层，其具有优于单个Ta层或单个TaN层的铜扩散阻挡性能。 版权所有（C）2005，JPO＆NCIPI

公开(公告)号：WO2005122253A3

公开(公告)日：2006-12-14

申请号：PCT/US2005018953

申请日：2005-05-31

Applicant: IBM ,  DUNN DERREN N ,  KIM HYUNGJUN ,  ROSSNAGEL STEPHEN M ,  SEO SOON-CHEON

Inventor： DUNN DERREN N ,  KIM HYUNGJUN ,  ROSSNAGEL STEPHEN M ,  SEO SOON-CHEON

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/285 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/52 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L21/76846 ,  H01L21/28562 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Methods of depositing a tantalum nitride (TaN) diffusion barrier region on low-k materials. The methods include forming a protective layer (104) on the low-k material substrate (102) by performing plasma-enhanced atomic layer deposition (PE-ALD) from tantalum-based precursor and a nitrogen plasma in a chamber. The protective layer (104) has a nitrogen content greater than its tantalum content. A substantially stoichiometric tantalum-nitride layer is then formed by performing PE-ALD from the tantalum-based precursor and a plasma including hydrogen and nitrogen. The invention also includes the tantalum-nitride diffusion barrier region (108) so formed. In one embodiment, the metal precursor includes tantalum penta-chloride (TaC1 5 ). The invention generates a sharp interface between low-k materials and liner materials.

Abstract translation: 在低k材料上沉积氮化钽（TaN）扩散阻挡区域的方法。 所述方法包括通过从钽基前体和室中的氮等离子体进行等离子体增强的原子层沉积（PE-ALD）在低k材料衬底（102）上形成保护层（104）。 保护层（104）的氮含量大于钽的含量。 然后通过从钽基前体和包括氢和氮的等离子体中进行PE-ALD形成基本上化学计量的氮化钽层。 本发明还包括如此形成的氮化钽 - 氮化物扩散阻挡区域（108）。 在一个实施方案中，金属前体包括五氯化钽（TaCl 5 N 5）。 本发明在低k材料和衬垫材料之间产生尖锐的界面。

公开(公告)号：WO2005122195A3

公开(公告)日：2006-06-22

申请号：PCT/US2005018196

申请日：2005-05-23

Applicant: IBM ,  HUANG ELBERT E ,  KIM HYUNGJUN ,  MILLER ROBERT D ,  NITTA SATYANARAYANA V ,  PURUSHOTHAMAN SAMPATH

Inventor： HUANG ELBERT E ,  KIM HYUNGJUN ,  MILLER ROBERT D ,  NITTA SATYANARAYANA V ,  PURUSHOTHAMAN SAMPATH

IPC: H01L21/302 ,  H01G13/00 ,  H01L21/311 ,  H01L21/312 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L21/76808 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/3125 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31629 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76837 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Interconnect structures are fabricated by methods that comprise depositing a thin conformal passivation dielectric and/or diffusion barrier cap and/or hard mask by an atomic layer deposition or supercritical fluid based process.

Abstract translation: 通过包括通过原子层沉积或基于超临界流体的方法沉积薄的共形钝化介质和/或扩散阻挡盖和/或硬掩模的方法来制造互连结构。

公开(公告)号：AU2002357054A1

公开(公告)日：2003-06-10

申请号：AU2002357054

申请日：2002-11-27

Applicant: IBM

Inventor： KIM HYUNGJUN ,  MCFEELY FENTON ,  NARAYANAN VIJAY ,  RODBELL KENNETH ,  YURKAS JOHN ,  AMOS RICKY ,  BUCHANAN DOUGLAS ,  CABRAL CYRIL JR ,  CALLEGARI ALESSANDRO ,  GUHA SUPRATIK

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/30 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/76

Abstract: A method for fabricating a CMOS gate electrode by using Re, Rh, Pt, Ir or Ru metal and a CMOS structure that contains such gate electrodes are described. The work functions of these metals make them compatible with current pFET requirements. For instance, the metal can withstand the high hydrogen pressures necessary to produce properly passivated interfaces without undergoing chemical changes. The thermal stability of the metal on dielectric layers such as SiO2, Al2O3 and other suitable dielectric materials makes it compatible with post-processing temperatures up to 1000° C. A low temperature/low pressure CVD technique with Re2(CO)10 as the source material is used when Re is to be deposited.

公开(公告)号：DE112019005119T5

公开(公告)日：2021-07-22

申请号：DE112019005119

申请日：2019-09-30

Applicant: IBM

Inventor： KIM SEYOUNG ,  KIM HYUNGJUN ,  GOKMEN TAYFUN ,  RASCH MALTE

IPC: G06N3/06

Abstract: Es werden Nullpunkt-Verschiebungstechniken in analogen Kreuzungspunktanordnungen bereitgestellt. In einem Aspekt umfasst eine analoge anordnungsbasierte Vektor-Matrix-Multiplikation Folgendes: eine Gewichtungs-Matrix, die mit einer Referenzen-Matrix verbunden ist, die jeweils eine Kreuzschienenanordnung (802, 804) mit einem Satz von leitfähigen Zeilendrähten (806a, 806b) und einem Satz von leitfähigen Spaltendrähten (808a, 808b), die den Satz von leitfähigen Zeilendrähten (806a, 806b) kreuzen, sowie optimierbare Kreuzungspunkteinheiten (810a, 810b) an Kreuzungspunkten des Satzes von leitfähigen Spaltendrähten (808a, 808b) und des Satzes von leitfähigen Zeilendrähten (806a, 806b) umfassen. Es wird auch ein Verfahren für eine analoge anordnungsbasierte Vektor-Matrix-Datenverarbeitung bereitgestellt, das Folgendes umfasst: Anlegen von wiederholten Spannungsimpulsen an die Kreuzungspunkteinheiten (810a) in der Gewichtungs-Matrix, bis alle Kreuzungspunkteinheiten (810a) in der Gewichtungs-Matrix auf ihren eigenen Symmetriepunkt konvergieren; und Kopieren von Leitwerten für jede Kreuzungspunkteinheit (810a) von der Gewichtungs-Matrix in die Referenzen-Matrix.