公开(公告)号：DE102011010248B3

公开(公告)日：2012-07-12

申请号：DE102011010248

申请日：2011-02-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： AHRENS CARSTEN ,  FRANK MANFRED ,  BERGER RUDOLF DR ,  HOECKELE UWE ,  KNOTT BERNHARD ,  KRUMBEIN ULRICH ,  LEHNERT WOLFGANG ,  SCHUDERER BERTHOLD ,  WAGNER JUERGEN DR ,  WILLKOFER STEFAN

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/283 ,  H01L23/48

Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbausteins mit einer Seitenwandisolation weist folgende Merkmale auf: – Bereitstellen eines Halbleiterkörpers (10) mit einer ersten Seite (11) und einer der ersten Seite (11) gegenüberliegenden zweiten Seite (12), – Erzeugen von mindestens zwei mit Isolationsmaterial (13) zumindest teilweise gefüllten ersten Gräben (14) ausgehend von der ersten Seite (11) in Richtung zur zweiten Seite (12) in den Halbleiterkörper (10) hinein, wobei die mindestens zwei ersten Gräben (14) zwischen einem ersten Halbleiterkörperbereich (10a) für einen ersten Halbleiterbaustein (20) und einem zweiten Halbleiterkörperbereich (10b) für einen zweiten Halbleiterbaustein (30) erzeugt werden, – Erzeugen eines Trenngrabens (15) ausgehend von der ersten Seite (11) des Halbleiterkörpers (10) in Richtung zur zweiten Seite (12) des Halbleiterkörpers (10) zwischen zwei dieser ersten Gräben und zwischen dem ersten und zweiten Halbleiterkörperbereich (10a, 10, 17) des Trenngrabens (15) mindestens ein Teil des Isolationsmaterials zumindest einer der ersten Gräben (14) angrenzt, – Zumindest teilweises Entfernen der zweiten Seite (12) des Halbleiterkörpers (10) bis zum Trenngraben (15).

公开(公告)号：DE19936322A1

公开(公告)日：2001-02-22

申请号：DE19936322

申请日：1999-08-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FRANK MANFRED ,  KROENINGER WERNER ,  KOEPNICK RENATE ,  HUMMEL RICHARD ,  FISCHBACH REINHARD ,  OPOLKA HEINZ

IPC: G01B7/28 ,  A61B5/1172 ,  C10M107/38 ,  C10M107/50 ,  C10M173/00 ,  G06K9/00 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  C09D191/00 ,  C09D183/04 ,  C09D127/18 ,  C10M169/00 ,  G01R27/26 ,  A61B5/117

Abstract: The aim of the invention is to increase the scratchproofness of a surface passivation, especially for fingerprint sensors. To this end, a sliding layer made of fat, oil, surfactants and/or wax is applied. Said layer reduces shearing forces. In a preferred embodiment, an emulsion made of water, paraffin oil, propyl glycol, lactarimic acid, cetylic acid, TEA, beeswax, carbomer 954, methylparaben, propylparaben and optionally perfume is used.

公开(公告)号：DE102014110358A1

公开(公告)日：2015-01-29

申请号：DE102014110358

申请日：2014-07-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FRANK MANFRED ,  HESS EVA-MARIA ,  KRENZER MICHAEL ,  KUNSTMANN THOMAS

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/283 ,  H01L21/306 ,  H01L21/60 ,  H01L23/36 ,  H01L23/48

Abstract: Ein Verfahren zum Bearbeiten eines Werkstücks (101) kann Folgendes beinhalten: Bereitstellen eines Werkstücks (101), das eine erste Region (103) und eine zweite Region (105) beinhaltet; Ausbilden einer porösen Metallschicht (107) über der ersten Region (103) und der zweiten Region (105); wobei die erste Region (103) und die zweite Region (105) so gestaltet sind, dass eine Haftkraft zwischen der zweiten Region (105) und der porösen Metallschicht (107) geringer ist als eine Haftkraft zwischen der ersten Region (103) und der porösen Metallschicht (107).

公开(公告)号：DE19936322C2

公开(公告)日：2001-08-09

申请号：DE19936322

申请日：1999-08-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FRANK MANFRED ,  KROENINGER WERNER ,  KOEPNICK RENATE ,  HUMMEL RICHARD ,  FISCHBACH REINHARD ,  OPOLKA HEINZ

IPC: G01B7/28 ,  A61B5/1172 ,  C10M107/38 ,  C10M107/50 ,  C10M173/00 ,  G06K9/00 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  C09D191/00 ,  C09D183/04 ,  C09D127/18 ,  C10M169/00 ,  G01R27/26 ,  A61B5/117 ,  G06K9/28

Abstract: To increase the scratch resistance of a surface passivation, in particular, for fingerprint sensors, a antifrictional layer is applied to reduce the shearing forces. The antifrictional layer includes fat, oil, surfactants and/or wax. The antifrictional layer is preferably an emulsion including water, paraffin oil, propylene glycol, stearic acid, palmitic acid, TEA, beeswax, carbormer 954, methylparaben, propylparaben and possibly perfume.

公开(公告)号：DE102010037247A1

公开(公告)日：2011-05-05

申请号：DE102010037247

申请日：2010-08-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FRANK MANFRED ,  KUNSTMANN THOMAS ,  NIKITIN IVAN

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/321 ,  H01L29/45

公开(公告)号：DE50115154D1

公开(公告)日：2009-11-19

申请号：DE50115154

申请日：2001-08-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FOERSTER JUERGEN ,  HECHT FRANZ ,  MUSSGER WERNER ,  FRANK MANFRED ,  KUHR JOERG ,  RAUSCH NORBERT

IPC: C23C14/50 ,  C23C14/32 ,  C23C14/34 ,  C23C14/56

公开(公告)号：ES2200917T3

公开(公告)日：2004-03-16

申请号：ES00958203

申请日：2000-08-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FRANK MANFRED ,  KRONINGER WERNER ,  KOPNICK RENATE ,  HUMMEL RICHARD ,  FISCHBACH REINHARD ,  OPOLKA HEINZ

IPC: G01B7/28 ,  A61B5/1172 ,  C10M107/38 ,  C10M107/50 ,  C10M173/00 ,  G06K9/00 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

Abstract: To increase the scratch resistance of a surface passivation, in particular, for fingerprint sensors, a antifrictional layer is applied to reduce the shearing forces. The antifrictional layer includes fat, oil, surfactants and/or wax. The antifrictional layer is preferably an emulsion including water, paraffin oil, propylene glycol, stearic acid, palmitic acid, TEA, beeswax, carbormer 954, methylparaben, propylparaben and possibly perfume.

公开(公告)号：DE10044419C1

公开(公告)日：2002-05-02

申请号：DE10044419

申请日：2000-09-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FOERSTER JUERGEN ,  FRANK MANFRED ,  HECHT FRANZ ,  KUHR JOERG ,  MUSSGER WERNER ,  RAUSCH NORBERT

IPC: C23C14/50 ,  C23C14/56 ,  C23C16/458

公开(公告)号：DE102014102242A1

公开(公告)日：2014-08-28

申请号：DE102014102242

申请日：2014-02-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FAISS SIMON ,  FRANK MANFRED ,  KRUG MAXIMILIAN ,  KUNSTMANN THOMAS ,  MÜLLER MATTHIAS ,  ROBL WERNER ,  STRASSER JOHANN

IPC: H01L21/283 ,  C23C28/00

Abstract: Verschiedene Verfahren und Vorrichtungen betreffen poröse Metallschichten auf einem Substrat, die dreidimensional beschichtet sind. In einer Ausführungsform wird eine poröse Metallschicht über einem Substrat abgeschieden. Die poröse Metallschicht kann mit einem Beschichtungsmaterial dreidimensional beschichtet sein.

公开(公告)号：DE102007002965A1

公开(公告)日：2008-07-24

申请号：DE102007002965

申请日：2007-01-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAUDER ANTON ,  GSCHWANDTNER ALEXANDER ,  WIEBAUER WOLFGANG ,  FRANK MANFRED ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L29/06 ,  H01C7/10 ,  H01L29/78

Abstract: The method involves producing a layer (11') with silicon grains at a surface of a trench (103) of a semiconductor body (100), and separating individual silicon grains. A dielectric layer (104) is produced on the silicon grains in between the separated silicon grains, where the separation of individual silicon grains is performed by etching. The separation of the silicon grains is implemented by an oxidation step for surface proximity oxidation of the layer with silicon grains, where the dielectric layer is formed as a semi-isolating layer comprising polysilicon.