公开(公告)号：DE102019114242A1

公开(公告)日：2020-12-03

申请号：DE102019114242

申请日：2019-05-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LI WU HU ,  SCHWAB STEFAN ,  ROTH ALEXANDER ,  MUHR VERENA ,  RIEDL EDMUND ,  SAX HARRY

IPC: B05C11/00 ,  G01B11/06 ,  G01N19/04 ,  G01N21/21 ,  G01N21/55 ,  H01L21/60 ,  H01L21/66

Abstract: Verfahren (10) zum Bereitstellen von beschichteten Leadframes in einer Prozesslinie, umfassend das Bereitstellen einer Vielzahl von Leadframes und das sukzessive Zuführen derselben in eine Prozesslinie (11), das Abscheiden einer Schicht auf einer Hauptfläche der Leadframes (12), das Messen physikalischer Eigenschaften der Schicht durch eines von einer Ellipsometrie oder einer Reflektometrie und das Zuordnen von gemessenen physikalischen Daten zu einer von einer Anzahl von Kategorien (13), und abhängig von einer resultierenden Kategorie der gemessenen physikalischen Daten, entweder Ändern von Prozessparametern des Abscheidungsprozesses, oder Nicht Ändern der Prozessparameter des Abscheidungsprozesses, oder Abschalten der Prozesslinie (14).

公开(公告)号：DE102019101061A1

公开(公告)日：2020-07-16

申请号：DE102019101061

申请日：2019-01-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GATTERBAUER JOHANN ,  LEHNERT WOLFGANG ,  MAIS NORBERT ,  MUHR VERENA ,  RIEDL EDMUND ,  SAX HARRY

IPC: C23C22/00 ,  C23C16/50

Abstract: Es ist ein Verfahren zum Ausbilden einer Schichtstruktur bereitgestellt. Das Verfahren kann eine Plasmabehandlung einer Metalloberfläche mit einem wasserstoffhaltigen Plasma umfassen, wodurch nukleophile Gruppen über der Metalloberfläche entstehen, und ein Ausbilden einer organischen Schicht über der Metalloberfläche, wobei die organische Schicht Silan umfasst oder daraus besteht und kovalent an die nukleophilen Gruppen gebunden ist.

公开(公告)号：DE102019101061B4

公开(公告)日：2022-02-17

申请号：DE102019101061

申请日：2019-01-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GATTERBAUER JOHANN ,  LEHNERT WOLFGANG ,  MAIS NORBERT ,  MUHR VERENA ,  RIEDL EDMUND ,  SAX HARRY

IPC: C23C22/00 ,  C23C16/50

Abstract: Verfahren zum Ausbilden einer Kontaktstruktur, wobei das Verfahren umfasst:Bilden von nukleophilen Gruppen, die an einer Metalloberfläche befestigt sind (910);Ausbilden einer organischen Schicht, die kovalent an die nukleophilen Gruppen gebunden ist,wobei die organische Schicht mindestens ein organisches Material umfasst, das ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus:N-(2-Aminoethyl)-3-aminopropyltrimethoxysilan;(3-Trimethoxysilylpropyl)diethylentriamin;Cycloamin-silan 2,2-Dimethoxy-1,6-diaza-2-silacyclooctan,Aminopropyltrimethoxysilan;(Aminoethylaminomethyl)-Phenethyltrimethoxysilan;Bis(triethoxysilylpropyl)amin;Bis(trimethoxysilylpropyl)amin;N,N'-Bis(3-(trimethoxysilyl)propyl)ethylendiamin;Bis(triethoxysilyl)ethan;3-Amino-5-mercapto-1,2,4-triazol;3-Mercaptopropyltrimethoxysilan und3-Mercaptopropyltriethoxysilan (920); undvor oder nach dem Bilden der nukleophilen Gruppen ein Ausbilden eines elektrischen Kontakts an der Metalloberfläche.

公开(公告)号：DE102023118849A1

公开(公告)日：2025-01-23

申请号：DE102023118849

申请日：2023-07-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HEINRICH ALEXANDER ,  MUHR VERENA ,  RÖSL KONRAD ,  SEHR MAXIMILIAN ,  WILLE CATHARINA

IPC: B23K35/26

Abstract: Ein Lötmaterial wird bereitgestellt. Das Lötmaterial kann Metall-Lotpartikel, eine Carbonsäure und einen Alkohol aufweisen, der aus der Gruppe bestehend aus Methanol, Ethanol, Propan-1-ol, Propan-2-ol, 2-Methyl-1-propanol, Butan-1-ol, Pentan-1-ol, 1,2-Propandiol, 1,3-Propandiol und Glycerin ausgewählt ist.