公开(公告)号：DE102019101061A1

公开(公告)日：2020-07-16

申请号：DE102019101061

申请日：2019-01-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GATTERBAUER JOHANN ,  LEHNERT WOLFGANG ,  MAIS NORBERT ,  MUHR VERENA ,  RIEDL EDMUND ,  SAX HARRY

IPC: C23C22/00 ,  C23C16/50

Abstract: Es ist ein Verfahren zum Ausbilden einer Schichtstruktur bereitgestellt. Das Verfahren kann eine Plasmabehandlung einer Metalloberfläche mit einem wasserstoffhaltigen Plasma umfassen, wodurch nukleophile Gruppen über der Metalloberfläche entstehen, und ein Ausbilden einer organischen Schicht über der Metalloberfläche, wobei die organische Schicht Silan umfasst oder daraus besteht und kovalent an die nukleophilen Gruppen gebunden ist.

公开(公告)号：DE102019101061B4

公开(公告)日：2022-02-17

申请号：DE102019101061

申请日：2019-01-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GATTERBAUER JOHANN ,  LEHNERT WOLFGANG ,  MAIS NORBERT ,  MUHR VERENA ,  RIEDL EDMUND ,  SAX HARRY

IPC: C23C22/00 ,  C23C16/50

Abstract: Verfahren zum Ausbilden einer Kontaktstruktur, wobei das Verfahren umfasst:Bilden von nukleophilen Gruppen, die an einer Metalloberfläche befestigt sind (910);Ausbilden einer organischen Schicht, die kovalent an die nukleophilen Gruppen gebunden ist,wobei die organische Schicht mindestens ein organisches Material umfasst, das ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus:N-(2-Aminoethyl)-3-aminopropyltrimethoxysilan;(3-Trimethoxysilylpropyl)diethylentriamin;Cycloamin-silan 2,2-Dimethoxy-1,6-diaza-2-silacyclooctan,Aminopropyltrimethoxysilan;(Aminoethylaminomethyl)-Phenethyltrimethoxysilan;Bis(triethoxysilylpropyl)amin;Bis(trimethoxysilylpropyl)amin;N,N'-Bis(3-(trimethoxysilyl)propyl)ethylendiamin;Bis(triethoxysilyl)ethan;3-Amino-5-mercapto-1,2,4-triazol;3-Mercaptopropyltrimethoxysilan und3-Mercaptopropyltriethoxysilan (920); undvor oder nach dem Bilden der nukleophilen Gruppen ein Ausbilden eines elektrischen Kontakts an der Metalloberfläche.

公开(公告)号：DE102013101935B4

公开(公告)日：2022-05-12

申请号：DE102013101935

申请日：2013-02-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ENGL REIMUND ,  HENNECK STEPHAN ,  MAIS NORBERT ,  MEINHOLD DIRK ,  TIMME HANS-JÖRG ,  URBANSKY NORBERT ,  VATER ALFRED

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L23/31 ,  H01L23/482 ,  H01L23/52

Abstract: Halbleiterbauelement, das Folgendes aufweist:• eine Metallatome aufweisende Metallleitung (230), über einem Substrat (10) angeordnet, wobei ein Abschnitt einer oberen Oberfläche der Metallleitung (230) einen Kontaktbereich (271, 272) aufweist; und• eine die Metallatome aufweisende Schutzschicht (270), auf dem Kontaktbereich (271, 272) angeordnet, wobei die Schutzschicht (270) ein anderes Material als die Metallleitung (230) ist und die Metallleitung (230) teilweise abdeckt, so dass ein Abschnitt der Metallleitung (230) frei ist von der Schutzschicht (270);• eine Passivierungsschicht (240), auf der Metallleitung (230) angeordnet, wobei die Passivierungsschicht (240) eine Öffnung über dem Kontaktbereich (271, 272) aufweist, welche die Schutzschicht (270) teilweise freilegt; und• wobei die Passivierungsschicht den Abschnitt der Metallleitung (230) abdeckt.

公开(公告)号：DE102013101935A1

公开(公告)日：2013-09-05

申请号：DE102013101935

申请日：2013-02-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ENGL REIMUND ,  HENNECK STEPHAN ,  MAIS NORBERT ,  MEINHOLD DIRK ,  TIMME HANS-JOERG ,  URBANSKY NORBERT ,  VATER ALFRED

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L23/31 ,  H01L23/482 ,  H01L23/52

Abstract: Bei einer Ausführungsform beinhaltet ein Verfahren zum Ausbilden eines Halbleiterbauelements das Ausbilden einer Metallleitung (230) über einem Substrat (10) und Abscheiden einer legierenden Materialschicht über einer oberen Oberfläche der Metallleitung (230). Das Verfahren beinhaltet weiterhin das Ausbilden einer Schutzschicht (270) durch Kombinieren der legierenden Materialschicht mit der Metallleitung (230).