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    Integrierte Schaltung mit ESD Struktur
    1.
    发明专利
    Integrierte Schaltung mit ESD Struktur 未知

    公开(公告)号：DE102009049671B4

    公开(公告)日：2020-02-27

    申请号：DE102009049671

    申请日：2009-10-16

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： MEISER ANDREAS PETER ,  JENSEN NILS DR ,  PRECHTL GERHARD

    IPC: H01L23/60

    Abstract: Integrierte Schaltung, die aufweist:einen Halbleiterkörper (100, 800) von einem ersten Leitfähigkeitstyp und darin ausgebildet:eine ESD Struktur, die im ESD Belastungsfall als parasitärer Bipolartransistor wirkt mit einer Abfolge von entweder NPN oder PNP Gebieten zwischen einer Anode und einer Kathode, wobei die ESD Struktur aufweist:eine erste Halbleiterzone (105, 805) von einem zum ersten Leitfähigkeitstyp entgegen gesetzten zweiten Leitfähigkeitstyp, die an eine Oberfläche (110, 810) des Halbleiterkörpers (100, 800) reicht;eine zweite Halbleiterzone (115, 815) vom ersten Leitfähigkeitstyp, die in die erste Halbleiterzone (105, 815) eingebettet ist und bis zur Oberfläche (110, 810) reicht;eine dritte Halbleiterzone (120, 820) vom zweiten Leitfähigkeitstyp, die entlang einer parallel zur Oberfläche (110, 810) verlaufenden lateralen Richtung (125, 825) wenigstens teilweise aus der ersten Halbleiterzone (105, 805) herausragt;eine Kontaktstruktur (135, 835), welche an der Oberfläche (110, 810) einen elektrischen Kontakt zur ersten (105, 805) und zweiten (115, 815) Halbleiterzone herstellt; wobei die zweite Halbleiterzone (115, 815) entlang der lateralen Richtung (125, 825) zwischen dem aus der ersten Halbleiterzone (105, 805) herausragenden Teil (130) der dritten Halbleiterzone (120, 820) und einem die erste Halbleiterzone (105, 805) kontaktierenden Teil (140) der Kontaktstruktur (135, 835) angeordnet ist;eine vergrabene Halbleiterzone (875) vom ersten Leitfähigkeitstyp, die über einen mit leitfähigem Material gefüllten Graben oder über eine zur Oberfläche reichende Halbleiteranschlusszone (880) vom ersten Leitfähigkeitstyp elektrisch kontaktiert ist; undwobei eine elektrische Durchbruchsspannung zwischen dem Halbleiterkörper (100, 800) einerseits und der ersten sowie dritten Halbleiterzone (105, 120, 805, 820) andererseits durch den Halbleiterkörper (100, 800) und die dritte Halbleiterzone (120, 820) festgelegt ist.

    Integrierte Schaltung mit ESD Struktur
    3.
    发明专利
    Integrierte Schaltung mit ESD Struktur 未知

    公开(公告)号：DE102009049671A1

    公开(公告)日：2011-04-21

    申请号：DE102009049671

    申请日：2009-10-16

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： MEISER ANDREAS PETER ,  JENSEN NILS ,  PRECHTL GERHARD

    IPC: H01L23/60 ,  H01L27/06

    Abstract: Es ist eine integrierte Schaltung beschrieben, die einen Halbleiterkörper (100) von einem ersten Leitfähigkeitstyp aufweist. Innerhalb des Halbleiterkörpers (100) ist eine erste Halbleiterzone (105) von einem zum ersten Leitfähigkeitstyp entgegengesetzten zweiten Leitfähigkeitstyp, die an eine Oberfläche (110) des Halbleiterkörpers (100) reicht, ausgebildet sowie eine zweite Halbleiterzone (115) vom ersten Leitfähigkeitstyp, die in die erste Halbleiterzone (105) eingebettet ist und bis zur Oberfläche (110) reicht. Eine dritte Halbleiterzone (120) vom zweiten Leitfähigkeitstyp ragt entlang einer parallel zur Oberfläche (110) verlaufenden lateralen Richtung (125) wenigstens teilweise aus der ersten Halbleiterzone (105) heraus. Eine Kontaktstruktur (135) stellt an der Oberfläche (110) einen elektrischen Kontakt zur ersten (105) und zweiten (115) Halbleiterzone her. Die zweite Halbleiterzone (115) ist entlang der lateralen Richtung (125) zwischen dem aus der ersten Halbleiterzone (105) herausragenden Teil der dritten Halbleiterzone (120) und einem die erste Halbleiterzone (105) kontaktierenden Teil der Kontaktstruktur (135) angeordnet.

    Verfahren zur Herstellung eines Bipolartransistors und Halbleitervorrichtung aufweisend einen Bipolartransistor; Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung und Halbleitervorrichtung
    6.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung eines Bipolartransistors und Halbleitervorrichtung aufweisend einen Bipolartransistor; Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung und Halbleitervorrichtung 未知

    公开(公告)号：DE102011055816B4

    公开(公告)日：2016-02-25

    申请号：DE102011055816

    申请日：2011-11-29

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： PRECHTL GERHARD ,  MEISER ANDREAS PETER ,  OSTERMANN THOMAS

    IPC: H01L21/283 ,  H01L21/265 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/331 ,  H01L29/73

    Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Bipolartransistors, wobei das Verfahren Folgendes umfasst: Bereitstellen eines Halbleitersubstrats (10) mit einer ersten Oberfläche (11); Ausbilden einer ersten Isolationsschicht (31) auf der ersten Oberfläche (11) des Halbleitersubstrats (10); Ausbilden einer ein leitfähiges Material umfassenden Maskenschicht (40) mit einer ersten Öffnung (41) auf der ersten Isolationsschicht (31), wobei die erste Öffnung (41) der Maskenschicht (40) einen Ort eines ersten Dotierungsbereichs (21) im Halbleitersubstrat (10) definiert; Durchführen eines ersten Implantationsschritts unter Verwendung der Maskenschicht (40) als Implantationsmaske, um den ersten Dotierungsbereich (21) im Halbleitersubstrat (10) auszubilden, wobei der erste Dotierungsbereich (21) ein Emitterbereich (21) oder ein Emitterkontaktbereich (27) des Bipolartransistors ist; Ätzen der ersten Isolationsschicht (31) selektiv in Bezug auf die Maskenschicht (40), um einen Abschnitt des ersten Dotierungsbereichs (21) durch Ausbilden einer ersten Öffnung (31a) in der ersten Isolationsschicht (31) unter Verwendung der Maskenschicht (40) als Ätzmaske freizulegen; Ausbilden einer zweiten Isolationsschicht (32) auf der Maskenschicht (40), um die erste Öffnung (41) in der Maskenschicht (40) zu bedecken, wobei das Material der ersten und der zweiten Isolationsschicht (31, 32) in Bezug auf das Material der Maskenschicht (40) selektiv ätzbar ist; Ausbilden einer Ätzmaske (33) auf der zweiten Isolationsschicht (32) zum Definieren mindestens einer ersten Öffnung (32a) in der zweiten Isolationsschicht (32) über der ersten Öffnung (41) der Maskenschicht (40); Ätzen der zweiten Isolationsschicht (32) selektiv in Bezug auf die Ätzmaske (33) und die Maskenschicht (40), um die erste Öffnung (32a) in der zweiten Isolationsschicht (32) auszubilden, wobei die erste Öffnung (32a) der zweiten Isolationsschicht (32) die erste Öffnung (41) in der Maskenschicht (40) freilegt; und Abscheiden eines leitfähigen Materials, um mindestens ein Kontaktelement (50, 51), das in der ersten Öffnung (31a), die in der ersten Isolationsschicht (31) ausgebildet ist, in der ersten Öffnung (32a), die in der zweiten Isolationsschicht ...

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