公开(公告)号：DE102014102848A1

公开(公告)日：2015-06-25

申请号：DE102014102848

申请日：2014-03-04

Applicant: OSRAM GMBH ,  OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GÖÖTZ BRITTA ,  SINGER FRANK ,  HÜTTINGER ROLAND

IPC: H01L33/50 ,  C09K11/02 ,  H01L51/52 ,  H05B33/22

Abstract: Es wird ein Konversionselement mit einem Plättchen umfassend ein anorganisches Glas und mit ersten Konverterpartikeln angegeben. Die ersten Konverterpartikel weisen eine Hülle und einen Kern auf. Die Hülle umfasst ein anorganisches Material und der Kern umfasst einen nitridischen oder oxynitridischen Leuchtstoff. Die ersten Konverterpartikel sind auf und/oder in dem Plättchen angeordnet.

公开(公告)号：DE102014102848B4

公开(公告)日：2025-01-02

申请号：DE102014102848

申请日：2014-03-04

Applicant: OSRAM GMBH ,  OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GÖÖTZ BRITTA ,  SINGER FRANK ,  HÜTTINGER ROLAND

IPC: H10H20/851 ,  C09K11/02 ,  H05B33/22 ,  H10K50/80

Abstract: Konversionselement (1)- mit einem Plättchen (2) umfassend ein anorganisches Glas,- mit ersten Konverterpartikeln (3), wobei- die ersten Konverterpartikel (3) eine Hülle (3a) und einen Kern (3b) aufweisen,- wobei die Hülle (3a) ein anorganisches Material umfasst und eine Dicke zwischen wenigstens 10 nm und höchstens 50 µm aufweist, und- der Kern (3b) einen nitridischen oder oxynitridischen Leuchtstoff umfasst und- wobei die ersten Konverterpartikel (3) auf und/oder in dem Plättchen (2) angeordnet sind.

公开(公告)号：DE102017123798A1

公开(公告)日：2019-04-18

申请号：DE102017123798

申请日：2017-10-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SORG JÖRG ERICH ,  KÖNIG HARALD ,  LELL ALFRED ,  PESKOLLER FLORIAN ,  AUEN KARSTEN ,  SCHULZ ROLAND ,  BRUNNER HERBERT ,  SINGER FRANK ,  HÜTTINGER ROLAND

IPC: H01S5/02

Abstract: In einer Ausführungsform beinhaltet der Halbleiterlaser (1) einen Träger (2) sowie eine kantenemittierende Laserdiode (3), die auf dem Träger (2) angebracht ist und die eine aktive Zone (33) zur Erzeugung einer Laserstrahlung (L) sowie eine Facette (30) mit einem Strahlungsaustrittsbereich (31) umfasst. Der Halbleiterlaser (1) weist ferner eine Schutzabdeckung (4), bevorzugt eine Linse zur Kollimation der Laserstrahlung (L), auf. Die Schutzabdeckung (4) ist mit einem Klebemittel (5) an der Facette (30) und an einer Seitenfläche (20) des Trägers (2) befestigt. Ein mittlerer Abstand zwischen einer Lichteintrittsseite (41) der Schutzabdeckung (4) und der Facette (30) beträgt höchstens 60 µm. Der Halbleiterlaser (1) ist dazu eingerichtet, in normaler Atmosphäre ohne zusätzliche gasdichte Kapselung betrieben zu werden.

公开(公告)号：DE102014100584A1

公开(公告)日：2015-07-23

申请号：DE102014100584

申请日：2014-01-20

Applicant: OSRAM GMBH ,  OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SABATHIL MATTHIAS ,  SINGER FRANK ,  HÜTTINGER ROLAND

IPC: H01L25/075 ,  B29C47/00 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L33/48

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform ist das Verfahren zum Herstellen von optoelektronischen Halbleiterbauteilen (1) eingerichtet. Das Verfahren umfasst die folgenden Schritte: A) Erstellen eines Rohlings (21) mittels Strangzug oder Extrusion aus einer Materialschmelze, B) Formen des Rohlings (21) zu einer strangförmigen Optik (2) mit einer Längsachse (A) sowie mit einer Montageseite (23) und mit einer Lichtaustrittsseite (22), C) Erzeugen von Leiterbahnen (4) auf der Montageseite (23), D) Montieren einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips (3) an der Montageseite (23) der Optik (2) und Anschließen an die Leiterbahnen (4), und E) Zerteilen der Optik (2) zu den optoelektronischen Halbleiterbauteilen (1), wobei die optoelektronischen Halbleiterbauteile (1) je mindestens zwei der Halbleiterchips (3) umfassen und die Optik (2) die mechanisch tragende Komponente der Halbleiterbauteile (1) ist.

公开(公告)号：DE102021109968A1

公开(公告)日：2022-10-20

申请号：DE102021109968

申请日：2021-04-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HIRN JOSEF ,  NÖMER MARTIN ,  WALTHER HANNES ,  RÜGHEIMER TILMAN ,  HÜTTINGER ROLAND ,  BAUR ELMAR ,  WOMBACHER RALF

IPC: H01L33/48 ,  H01S5/02 ,  H01S5/02253 ,  H01S5/02257

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (100) angegeben, das zumindest einen optoelektronischen Halbleiterchip (10) in einem Innenraum (29) eines Gehäuses (20) aufweist, wobei das Gehäuse einen Bodenteil (21) und einen Deckelteil (22) aufweist, der Bodenteil als Keramikträger ausgebildet ist, der Deckelteil aus einem oder mehreren Glasmaterialien gebildet ist, zwischen dem Bodenteil und dem Deckelteil eine Verbindungsschicht (23) aus einem Glaslot angeordnet ist und der Keramikträger einen Verbindungsbereich (210) mit einer Nickel-haltigen Oberfläche (211) aufweist, die in direktem Kontakt mit dem Glaslot steht.

公开(公告)号：DE102017012409B4

公开(公告)日：2025-05-15

申请号：DE102017012409

申请日：2017-10-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SORG JÖRG ERICH ,  KÖNIG HARALD ,  LELL ALFRED ,  PESKOLLER FLORIAN ,  AUEN KARSTEN ,  SCHULZ ROLAND ,  BRUNNER HERBERT ,  SINGER FRANK ,  HÜTTINGER ROLAND

IPC: H01S5/02

Abstract: Halbleiterlaser (1) mit- einem Träger (2),- einer kantenemittierenden Laserdiode (3), die auf dem Träger (2) angebracht ist und die eine aktive Zone (33) zur Erzeugung einer Laserstrahlung (L) sowie eine Facette (30) mit einem Strahlungsaustrittsbereich (31) aufweist,- einer Schutzabdeckung (4), und- einem Klebemittel (5), mit dem die Schutzabdeckung (4) an der Facette (30) und an einer Seitenfläche (20) des Trägers (2) befestigt ist, wobei- ein mittlerer Abstand zwischen einer Lichteintrittsseite (41) der Schutzabdeckung (4) und der Facette (30) höchstens 60 µm beträgt,- der Halbleiterlaser (1) dazu eingerichtet ist, in normaler Atmosphäre ohne zusätzliche gasdichte Kapselung betrieben zu werden, und- zumindest eine der Facette (30) abgewandte Lichtaustrittsseite (42) der Schutzabdeckung (4) mit einer fotokatalytischen Beschichtung (45) versehen ist, wobei die fotokatalytische Beschichtung (45) dazu eingerichtet ist, aufgrund der Laserstrahlung (L) Ablagerungen an der Lichtaustrittsseite (42) zu entfernen und/oder zu zersetzen,- das Klebemittel (5) die Lichteintrittsseite (41), die Seitenfläche (20) sowie den gesamten Strahlungsaustrittsbereich (31) unmittelbar bedeckt und die Schutzabdeckung (4) eine Linse zur Kollimation der Laserstrahlung (L) ist, wobei der mittlere Abstand zwischen der Lichteintrittsseite (41) und der Facette (30) zwischen einschließlich 0,2 µm und 15 µm beträgt.