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公开(公告)号：DE102018108842A1
公开(公告)日：2019-05-16
申请号：DE102018108842
申请日：2018-04-13
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： BUTENDEICH RAINER , PUST PHILIPP , O'BRIEN DAVID , STOLL ION , ADAM MARCUS
Abstract: Es wird eine Leuchtstoffkombination (10) angegeben, die einen ersten Leuchtstoff (1) und einen zweiten Leuchtstoff (2) umfasst, wobei es sich bei dem zweiten Leuchtstoff um einen rot emittierenden Quantenpunkt-Leuchtstoff handelt. Außerdem wird ein Konversionselement (20) und eine optoelektronische Vorrichtung (30) angegeben, die jeweils die Leuchtstoffkombination (10) umfassen.
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公开(公告)号：DE102016123972A1
公开(公告)日：2018-06-14
申请号：DE102016123972
申请日：2016-12-09
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： PUST PHILIPP , RACZ DAVID , AHL JAN-PHILIPP , BAUER ADAM , PETERSEN KIRSTIN
Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben. Das optoelektronische Bauelement umfassteinen Halbleiterchip, der dazu eingerichtet ist, eine elektromagnetische Primärstrahlung zu emittieren,ein Konversionselement umfassend Konverterpartikel, die dazu eingerichtet sind, die elektromagnetische Primärstrahlung zumindest teilweise in eine elektromagnetische Sekundärstrahlung im grünen Bereich des elektromagnetischen Spektrums zu konvertieren, wobei die Konverterpartikel eine Quantenstruktur mit Barriereschichten und Quantenschichten aufweisen und die Quantenschichten und die Barriereschichten alternierend angeordnet sind.
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公开(公告)号：DE102016123971A1
公开(公告)日：2018-06-14
申请号：DE102016123971
申请日：2016-12-09
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： PUST PHILIPP
Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement zur Emission einer weißen Gesamtstrahlung angegeben. Das Bauelement umfasst einen Halbleiterchip zur Emission einer Primärstrahlung mit einer Peakwellenlänge zwischen einschließlich 420 nm und einschließlich 480 nm und ein Konversionselement umfassend ein erstes Konvertermaterial zur Emission von Sekundärstrahlung im grünen Bereich des elektromagnetischen Spektrums und ein zweites Konvertermaterial zur Emission von Sekundärstrahlung im roten Bereich des elektromagnetischen Spektrums. Das zweite Konvertermaterial umfasst einen ersten roten Leuchtstoff der Formel (K,Na)(Si,Ti)F:Mnund einen zweiten roten Leuchtstoff der Formel
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公开(公告)号：DE102015119817A1
公开(公告)日：2017-05-18
申请号：DE102015119817
申请日：2015-11-17
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： PUST PHILIPP , RACZ DAVID , KÖLPER CHRISTOPHER
Abstract: Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterchip zur Erzeugung einer elektromagnetischen Primärstrahlung mit einer ersten Peakwellenlänge, mit einem ersten Konversionselement, das eine Quantenstruktur aufweist, wobei die Quantenstruktur ausgebildet ist, um die Primärstrahlung wenigstens teilweise in eine Sekundärstrahlung mit einer zweiten Peakwellenlänge zu verschieben, wobei ein zweites Konversionselement vorgesehen ist, das einen Leuchtstoff aufweist, wobei der Leuchtstoff ausgebildet ist, um eine elektromagnetische Strahlung zu einer Tertiärstrahlung mit einer Dominanzwellenlänge zu verschieben, wobei das erste Konversionselement ausgebildet ist, um eine Sekundärstrahlung zu erzeugen, die eine kleinere Peakwellenlänge als die Dominanzwellenlänge der Tertiärstrahlung aufweist.
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公开(公告)号：DE102018121338A1
公开(公告)日：2020-03-05
申请号：DE102018121338
申请日：2018-08-31
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： JEREBIC SIMON , LEISEN DANIEL , PUST PHILIPP , BIRKE THOMAS
IPC: H01L33/48 , H01L25/075 , H01L33/50
Abstract: Es wird eine optoelektronische Leuchtvorrichtung beschrieben mit:wenigstens einem lichtemittierenden, optoelektronischen Halbleiterbauteil (23), insbesondere eine LED oder ein LED-Chip, wobei das Halbleiterbauteil (23) an wenigstens einer Oberflächenseite (29) einen Austrittsbereich (31) für Licht aufweist,einem Träger (27) für das Halbleiterbauteil (23), wobei das Halbleiterbauteil (23) auf einer Oberseite (25) des Trägers (27) angeordnet ist,wenigstens einer Funktionsschicht (37), insbesondere eine Konversionsschicht zur Konversion von aus dem Austrittsbereich ausgetretenem Licht in Licht mit wenigstens einer anderen Wellenlänge, wobei die Funktionsschicht (37) oberhalb des Austrittsbereichs (31) und/oder neben dem Austrittsbereich (31) angeordnet ist, undeiner Einfassung (39) für die Funktionsschicht (37), wobei die Einfassung (39) die Funktionsschicht (37) in einer Umfangsrichtung (U) gesehen umgibt, wobei die Umfangsrichtung (U) parallel zur Trägeroberseite (25) um die Funktionsschicht (37) herum verläuft.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE102018205464A1
公开(公告)日：2019-05-16
申请号：DE102018205464
申请日：2018-04-11
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： STOLL ION , PUST PHILIPP
Abstract: Es wird eine Beleuchtungsvorrichtung zur Emission einer roten Gesamtstrahlung angegeben. Die Beleuchtungsvorrichtung weist auf:- eine Halbleiterschichtenfolge, die zur Emission von elektromagnetischer Primärstrahlung eingerichtet ist;- ein Konversionselement, das einen ersten Leuchtstoff der Formel Sr[AlLiON] : Eu, in der tetragonalen Raumgruppe P4/m kristallisiert, umfasst und zumindest teilweise die elektromagnetische Primärstrahlung in eine elektromagnetische Sekundärstrahlung im roten Bereich des elektromagnetischen Spektrums konvertiert, wobei- das Konversionselement einen zweiten Leuchtstoff umfasst, der zumindest teilweise die elektromagnetische Primärstrahlung in eine elektromagnetische Sekundärstrahlung im roten Bereich des elektromagnetischen Spektrums konvertiert und/oder- die Beleuchtungsvorrichtung eine über dem Konversionselement angeordneten Spiegel oder Filter umfasst.
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公开(公告)号：DE102016104875A1
公开(公告)日：2017-09-21
申请号：DE102016104875
申请日：2016-03-16
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： PUST PHILIPP , NÖMER MARTIN
IPC: H01L33/50 , G03B15/05 , H01L25/075
Abstract: Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement (100) aufweisend einen Halbleiterchip (2) zur Erzeugung einer Primärstrahlung im blauen Spektralbereich, ein Konversionselement (4), das im Strahlengang des Halbleiterchips (2) angeordnet ist und zur Erzeugung einer Sekundärstrahlung aus der Primärstrahlung eingerichtet ist, wobei das Konversionselement (4) zumindest einen ersten Leuchtstoff (9) als Konversionsmaterial umfasst, wobei der erste Leuchtstoff (9) (La1-xCax)3Si6(N1-yOy)11:Ce3+ mit 0 ≤ x ≤ 1 und 0 ≤ y ≤ 1 ist, wobei eine aus dem Bauelement (100) austretende Gesamtstrahlung (G) weißes Mischlicht ist.
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公开(公告)号：DE102015120775B4
公开(公告)日：2025-04-30
申请号：DE102015120775
申请日：2015-11-30
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： PUST PHILIPP
IPC: H10H20/851 , C09K11/08
Abstract: Optoelektronisches Bauelement (100) aufweisend- einen Halbleiterchip (2) zur Erzeugung einer Primärstrahlung im blauen Spektralbereich,- ein Konversionselement (4), das im Strahlengang des Halbleiterchips (2) angeordnet ist und zur Erzeugung einer Sekundärstrahlung aus der Primärstrahlung eingerichtet ist, und- ein Reflexionselement (5),wobei das Konversionselement (4) zumindest einen ersten Leuchtstoff (9) und einen zweiten Leuchtstoff (10) umfasst,wobei der erste Leuchtstoff (9) Sr(Sr1-xCax)Si2Al2N6:Eu2+und (Sr1-yCay) [LiAl3N4]:Eu2+mit 0 ≤ x ≤ 1 und 0 ≤ y ≤ 1 ist,wobei eine aus dem Bauelement (100) austretende Gesamtstrahlung (G) weißes Mischlicht ist,wobei das Reflexionselement (5) sowohl die Seitenflächen des Halbleiterchips (2) als auch die Seitenflächen des Konversionselements (4) direkt umgibt.
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公开(公告)号：DE102017129917A1
公开(公告)日：2019-06-19
申请号：DE102017129917
申请日：2017-12-14
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： BERTRAM RALPH PETER , TÅNGRING IVAR , PUST PHILIPP
Abstract: Es wird eine Leuchtstoffmischung (1) angegeben, die zumindest einen Quantenpunkt-Leuchtstoff (20) und zumindest ein Funktionsmaterial umfasst, wobei das Funktionsmaterial streuend für elektromagnetische Strahlung ausgebildet ist und/oder eine hohe Dichte aufweist.
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公开(公告)号：DE102015120775A1
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：DE102015120775
申请日：2015-11-30
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： PUST PHILIPP
Abstract: Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement (100) aufweisend einen Halbleiterchip (2) zur Erzeugung einer Primärstrahlung im blauen Spektralbereich, ein Konversionselement (4), das im Strahlengang des Halbleiterchips (2) angeordnet ist und zur Erzeugung einer Sekundärstrahlung aus der Primärstrahlung eingerichtet ist, wobei das Konversionselement (4) zumindest einen ersten Leuchtstoff (9) und einen zweiten Leuchtstoff (10) umfasst, wobei der erste Leuchtstoff (9) Sr(Sr1-xCax)Si2Al2N6:Eu2+ und/oder (Sr1-yCay)[LiAl3N4]:Eu2+ mit 0 ≤ x ≤ 1 und 0 ≤ y ≤ 1 ist, wobei eine aus dem Bauelement (100) austretende Gesamtstrahlung (G) weißes Mischlicht ist.
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