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    Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterchips
    1.
    发明专利
    Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterchips 未知

    公开(公告)号：DE102015116495A1

    公开(公告)日：2017-03-30

    申请号：DE102015116495

    申请日：2015-09-29

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： HARTMANN RAINER ,  MANDL MARTIN ,  KATZ SIMEON ,  RÜCKERL ANDREAS

    IPC: H01L33/00 ,  H01L33/30 ,  H01L33/44

    Abstract: Ein optoelektronischer Halbleiterchip (1), insbesondere in der Form eines Dünnfilmchips, umfasst einen Träger (5), sowie eine Chipvorderseite und Chiprückseite und einen auf dem Träger (5) angeordneten Halbleiterkörper (2) mit einer Halbleiterschichtenfolge. Die Halbleiterschichtenfolge umfasst einen aktiven Bereich (20), der zwischen einer ersten Halbleiterschicht (21) und einer zweiten Halbleiterschicht (22) angeordnet ist. Dieser dient zur Erzeugung oder zum Empfangen von elektromagnetischer Strahlung. Die erste Halbleiterschicht (21) ist elektrisch leitend mit einem ersten Kontakt (41) verbunden, wobei der erste Kontakt (41) an der Chipvorderseite, insbesondere neben dem Halbleiterkörper (2), ausgebildet ist. Die zweite Halbleiterschicht (22) ist elektrisch leitend mit einem zweiten Kontakt (42) verbunden und der zweite Kontakt (42) ist an der Chipvorderseite, insbesondere neben dem Halbleiterkörper (2), ausgebildet. Eine elektrisch isolierende Trennschicht (6) ist zwischen elektrischer Anschlussschicht und Träger (5), im Träger oder auf der Rückseite des Trägers ausgebildet.

    Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterchips
    2.
    发明专利
    Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterchips 未知

    公开(公告)号：DE102015116495B4

    公开(公告)日：2025-04-30

    申请号：DE102015116495

    申请日：2015-09-29

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： HARTMANN RAINER ,  MANDL MARTIN ,  KATZ SIMEON ,  RÜCKERL ANDREAS

    IPC: H10H20/00 ,  H10H20/824 ,  H10H20/83 ,  H10H20/84

    Abstract: Optoelektronischer Halbleiterchip (1), der einen Träger (5) und einen auf dem Träger (5) angeordneten Halbleiterkörper (2) mit einer Halbleiterschichtenfolge, sowie eine Chipvorderseite und eine Chiprückseite aufweist, wobei- die Halbleiterschichtenfolge einen aktiven Bereich (20) umfasst, der zwischen einer ersten Halbleiterschicht (21) und einer zweiten Halbleiterschicht (22) angeordnet ist und zur Erzeugung oder zum Empfangen von elektromagnetischer Strahlung vorgesehen ist,- die erste Halbleiterschicht (21) elektrisch leitend mit einem ersten Kontakt (41) verbunden ist,- der erste Kontakt (41) auf der Chipvorderseite, insbesondere neben dem aktiven Bereich (20), ausgebildet ist,- die zweite Halbleiterschicht (22) elektrisch leitend mit einem zweiten Kontakt (42) verbunden ist,- der zweite Kontakt (42) ebenfalls auf der Chipvorderseite, insbesondere neben dem aktiven Bereich (20), ausgebildet ist und- der optoelektronische Halbleiterchip eine elektrisch isolierende Trennschicht (6) umfasst, die die Chiprückseite von dem aktiven Bereich (2) des Halbleiterchips elektrisch isoliert, wobei die elektrisch isolierende Trennschicht (6) zumindest eine erste Trennschicht (61) umfasst, die wenigstens eine Atomlagenschicht oder zumindest eine Moleküllagenschicht aufweist, und- die elektrisch isolierende Trennschicht (6) eine zweite Trennschicht (62) und eine dritte Trennschicht (63) aufweist, und- die erste Trennschicht (61) Pinholes und Risse in der zweiten Trennschicht (62) verschließt oder füllt.

    BAUTEIL, BAUTEILVERBUND UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES BAUTEILS ODER BAUTEILVERBUNDS
    4.
    发明专利
    BAUTEIL, BAUTEILVERBUND UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES BAUTEILS ODER BAUTEILVERBUNDS 未知

    公开(公告)号：DE102018110344A1

    公开(公告)日：2019-10-31

    申请号：DE102018110344

    申请日：2018-04-30

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： HARTMANN RAINER ,  VIERHEILIG CLEMENS ,  MEYER TOBIAS ,  RÜCKERL ANDREAS ,  SCHIMPKE TILMAN ,  BINDER MICHAEL

    IPC: H01L33/02 ,  H01L21/205

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von optoelektronischen Bauteilen (10) oder eines Bauteilverbunds (100) aus einer Mehrzahl von optoelektronischen Bauteilen angegeben, bei dem ein Aufwachsubstrat (1) mit einer darauf angeordneten Pufferschicht (3) bereitgestellt wird. Die Pufferschicht wird derart strukturiert, dass diese eine Mehrzahl von Öffnungen (30) aufweist, die in lateralen Richtungen voneinander räumlich beabstandet sind. Es wird eine Mehrzahl von Halbleiterkörpern in den Öffnungen ausgebildet, wobei die Pufferschicht in den Bereichen der Öffnungen Teilregionen (31) aufweist, die in einer vertikalen Richtung zwischen dem Aufwachssubstrat und den Halbleiterkörpern angeordnet sind. Das Aufwachssubstrat wird von den Halbleiterkörpern abgelöst. Die Pufferschicht wird zumindest in den Bereichen der Teilregionen entfernt. Des Weiteren wird ein Bauteil oder ein Bauteilverbund aus einer Mehrzahl von Bauteilen angegeben, wobei das Bauteil oder der Bauteilverbund durch ein solches Verfahren herstellbar ist.

    Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauelements und strahlungsemittierendes Bauelement
    5.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauelements und strahlungsemittierendes Bauelement 未知

    公开(公告)号：DE102016109874B4

    公开(公告)日：2019-09-12

    申请号：DE102016109874

    申请日：2016-05-30

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： RÜCKERL ANDREAS

    IPC: H01L51/56 ,  H01L33/44 ,  H01L51/52 ,  H01S5/028

    Abstract: Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauelements (100) mit den Schritten:A) Bereitstellen einer dielektrischen Schicht (1), die durch Umwelteinflüsse (4) degradiert,B) Aufbringen einer ersten Schutzschicht (2) auf die dielektrische Schicht (1) mittels eines Atomlagenabscheideverfahren,C) Aufbringen einer zweiten Schutzschicht (3) auf die erste Schutzschicht, wobei die zweite Schichtschicht (3) elementares Si umfasst, wobei die erste Schutzschicht (2) Si elementar oder in Verbindung umfasst,wobei die Schichtdicke der ersten Schutzschicht (2) kleiner oder gleich 1 nm ist, so dass die erste Schutzschicht (2) eine Degradation der dielektrischen Schicht (1) vermindert oder verhindert,wobei im Falle einer Beschädigung (6) der ersten Schutzschicht (2) und/oder der dielektrischen Schicht (1) die zweite Schutzschicht (3) selbstständig die Beschädigung (6) der ersten Schutzschicht (2) und/oder der dielektrischen Schicht (1) heilt.

    Halbleiterkörper, Halbleiterchip und ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Halbleiterkörpern oder Halbleiterchips
    6.
    发明专利
    Halbleiterkörper, Halbleiterchip und ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Halbleiterkörpern oder Halbleiterchips 未知

    公开(公告)号：DE102017124585A1

    公开(公告)日：2019-04-25

    申请号：DE102017124585

    申请日：2017-10-20

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： RÜCKERL ANDREAS ,  HARTMANN RAINER

    IPC: H01L33/20 ,  H01L33/16

    Abstract: Es wird ein Halbleiterkörper (2) basierend auf einem III-V-Verbindungshalbleitermaterial mit einer hexagonal-wurtzitischen Kristallstruktur angegeben, der eine erste Halbleiterschicht (21), eine zweite Halbleiterschicht (22) und eine dazwischenliegende aktive Zone (23) aufweist. Der Halbleiterkörper umfasst einen ersten Teilkörper (2U) und einen zweiten Teilkörper (2D), wobei der erste Teilkörper die erste Halbleiterschicht, die aktive Zone und zumindest eine Teilschicht (22U) der zweiten Halbleiterschicht aufweist und der zweite Teilkörper eine weitere Teilschicht (22D) der zweiten Halbleiterschicht aufweist. Der erste Teilkörper und der zweite Teilkörper weisen unterschiedlich große laterale Querschnitte auf, wobei der erste Teilkörper zumindest eine vertikale Seitenfläche (2US) aufweist, die parallel zu einer m-Fläche oder parallel zu einer a-Fläche der hexagonal-wurtzitischen Kristallstruktur des III-V-Verbindungshalbleitermaterials verläuft.Des Weiteren werden ein Halbleiterchip (10) mit einem solchen Halbleiterkörper und ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl solcher Halbleiterkörper oder einer Mehrzahl solcher Halbleiterchips angegeben.

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