公开(公告)号：DE102018133123A1

公开(公告)日：2020-06-25

申请号：DE102018133123

申请日：2018-12-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BEHRINGER MARTIN ,  TONKIKH ALEXANDER ,  VARGHESE TANSEN

IPC: H01L33/04 ,  H01L31/12

Abstract: Ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) weist eine aktive Zone (120) auf, die Teilschichten (111, 112, 113) zur Ausbildung einer Quantentopfstruktur enthält. Dabei sind Energieniveauunterschiede innerhalb der Quantentopfstruktur in einem zentralen Bereich (14) des optoelektronischen Halbleiterbauelements (10) kleiner als in einem Randbereich (15) des optoelektronischen Halbleiterbauelements (10).Gemäß weiteren Ausführungsformen weist ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) eine aktive Zone (120) auf, die eine Teilschicht, die zur Ausbildung einer Quantentopfstruktur geeignet ist, enthält. Dabei sind in der aktiven Zone (120) in einem zentralen Bereich (14) des optoelektronischen Halbleiterbauelements Quantendotstrukturen (122) ausgebildet. In einem Randbereich (15) des optoelektronischen Halbleiterbauelements (10) sind keine Quantendotstrukturen ausgebildet.

公开(公告)号：DE102017113383A1

公开(公告)日：2018-12-20

申请号：DE102017113383

申请日：2017-06-19

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： TONKIKH ALEXANDER

IPC: H01L33/20

Abstract: Es wird ein Halbleiterchip (10) mit einem Halbleiterkörper (2), einer Stromaufweitungsschicht (3) und einer Kontaktstruktur (4) angegeben, wobei der Halbleiterkörper eine erste Halbleiterschicht (21), eine zweite Halbleiterschicht (22) und eine dazwischenliegende aktive Schicht (23) umfasst und die Stromaufweitungsschicht in vertikaler Richtung zwischen der Kontaktstruktur und dem Halbleiterkörper angeordnet ist. Der Halbleiterkörper weist eine Mehrzahl von inneren Stufen (24) auf, die terrassenähnlich ausgebildet sind, wobei die Kontaktstruktur eine Mehrzahl von Leiterbahnen (42) umfasst, die hinsichtlich deren lateraler Orientierungen in Bezug zu den lateralen Orientierungen der inneren Stufen derart angeordnet sind, dass eine Stromaufweitung entlang der inneren Stufen gegenüber einer Stromaufweitung quer zu den inneren Stufen begünstigt ist.Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterchips angegeben.

公开(公告)号：DE112020000398B4

公开(公告)日：2025-03-27

申请号：DE112020000398

申请日：2020-01-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： JENTZSCH BRUNO ,  TONKIKH ALEXANDER

IPC: H10H20/813 ,  H01S5/022 ,  H01S5/40 ,  H10H20/814 ,  H10H20/819 ,  H10H20/841

Abstract: Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) mit:- einer Halbleiterschichtenfolge (2) mit zumindest zwei aktiven Bereichen (6), die im Betrieb elektromagnetische Strahlung erzeugen,- zumindest einer reflektierenden Außenfläche (8), die seitlich jedes aktiven Bereichs (6) angeordnet ist, und- einem elektrisch isolierenden Bereich (7), der zwischen den aktiven Bereichen (6) angeordnet ist, wobei- der elektrisch isolierende Bereich (7) eine reflektierende Innenfläche (9) aufweist, die gegenüber der reflektierenden Außenfläche (8) angeordnet ist,- die reflektierende Innenfläche (9) einen Winkel von mindestens 35° und höchstens 55° mit einer Haupterstreckungsebene des Halbleiterchips (1) einschließt,- die reflektierende Außenfläche (8) einen Winkel von mindestens 35° und höchstens 55° mit einer Haupterstreckungsebene des Halbleiterchips (1) einschließt, und- auf der Halbleiterschichtenfolge (2) im Bereich der reflektierenden Außenfläche (8) eine Reflexionsbeschichtung (15) angeordnet ist und auf der Halbleiterschichtenfolge (2) im elektrisch isolierenden Bereich (7) eine Antireflexbeschichtung (16) angeordnet ist, oder- auf der Halbleiterschichtenfolge (2) im Bereich der reflektierenden Außenfläche (8) eine Antireflexbeschichtung (16) angeordnet ist und auf der Halbleiterschichtenfolge (2) im elektrisch isolierenden Bereich (7) eine Reflexionsbeschichtung (15) angeordnet ist.

公开(公告)号：DE102019100532A1

公开(公告)日：2020-07-16

申请号：DE102019100532

申请日：2019-01-10

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： JENTZSCH BRUNO ,  TONKIKH ALEXANDER

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/46

Abstract: Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) angegeben, mit:- einer Halbleiterschichtenfolge (2) mit zumindest zwei aktiven Bereichen (6), die im Betrieb elektromagnetische Strahlung erzeugen, und- zumindest einer reflektierenden Außenfläche (8), die seitlich jedes aktiven Bereichs (6) angeordnet ist, wobei- die reflektierende Außenfläche (8) einen Winkel von mindestens 35° und höchstens 55° mit einer Haupterstreckungsebene des Halbleiterchips (1) einschließt.Zudem wird ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips (1) angegeben.

公开(公告)号：DE102017124559A1

公开(公告)日：2019-04-25

申请号：DE102017124559

申请日：2017-10-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： TONKIKH ALEXANDER ,  VARGHESE TANSEN ,  BEHRINGER MARTIN

IPC: H01L33/50 ,  F21K9/64 ,  F21V9/40 ,  H01L33/04 ,  H01L33/08 ,  H01L33/22

Abstract: Es wird ein Epitaxie-Wellenlängenkonversionselement (100) angegeben, das eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer zwischen einer ersten Mantelschicht (11) und einer zweiten Mantelschicht (12) angeordneten aktiven Schicht (10) aufweist, die dazu eingerichtet ist, Licht in einem ersten Wellenlängenbereich zu absorbieren und Licht in einem zweiten Wellenlängenbereich, der vom ersten Wellenlängenbereich verschieden ist, zu reemittieren, wobei die erste Mantelschicht und die aktive Schicht auf einem III-V-Verbindungshalbleitermaterialsystem basieren und wobei die zweite Mantelschicht auf einem II-VI-Verbindungshalbleitermaterialsystem basiert.Weiterhin werden ein Licht emittierendes Halbleiterbauelement mit einem Licht emittierenden Halbleiterchip und einem Epitaxie-Wellenlängenkonversionselement sowie Verfahren zur Herstellung des Epitaxie-Wellenlängenkonversionselements und des Licht emittierenden Halbleiterbauelements angegeben

公开(公告)号：DE102018133047A1

公开(公告)日：2020-06-25

申请号：DE102018133047

申请日：2018-12-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： TONKIKH ALEXANDER ,  KUGLER SIEGMAR

IPC: H01L33/04

Abstract: Eine Leuchtdiode (10), umfasst eine erste Halbleiterschicht (101) von einem ersten Leitfähigkeitstyp, eine zweite Halbleiterschicht (105) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp, sowie eine aktive Zone (104) zwischen der ersten Halbleiterschicht (101) und der zweiten Halbleiterschicht (105). Die aktive Zone (104) weist eine Vielzahl von Quantenpunkten (103) auf, die jeweils aus InGaAs aufgebaut sind, mit 0,3

公开(公告)号：DE102018116224A1

公开(公告)日：2020-01-09

申请号：DE102018116224

申请日：2018-07-04

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： TONKIKH ALEXANDER ,  AVRAMESCU ADRIAN STEFAN ,  BEHRINGER MARTIN RUDOLF

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/08 ,  H01L33/20 ,  H01L33/30

Abstract: In einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen eingerichtet und umfasst die Schritte:A) Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (2), undB) Wachsen einer Vielzahl von lichtemittierenden Halbleitersäulen (3) an dem Aufwachssubstrat (2), wobei- ein mittlerer Durchmesser der Halbleitersäulen (3) bei höchstens 1 µm liegt,- eine erste Gruppe (31) und/oder eine zweite Gruppe (32) der Halbleitersäulen (3) an dem Aufwachssubstrat (2) aus einem III-Nitrid-Material gewachsen wird, und- eine dritte Gruppe (33) der Halbleitersäulen (3) an dem Aufwachssubstrat (2) aus oder mit einem III-Phosphid-Material gewachsen wird.

公开(公告)号：DE102018105080A1

公开(公告)日：2019-09-12

申请号：DE102018105080

申请日：2018-03-06

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： JENTZSCH BRUNO ,  GOMEZ-IGLESIAS ALVARO ,  TONKIKH ALEXANDER ,  ILLEK STEFAN

IPC: H01S5/10

Abstract: In einer Ausführungsform umfasst der Halbleiterlaser (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2) sowie elektrische Kontaktflächen (41, 42). Die Halbleiterschichtenfolge (2) beinhaltet einen Wellenleiter (20) mit einer aktiven Zone (25). Ferner beinhaltet die Halbleiterschichtenfolge (2) eine erste und eine zweite Mantelschicht (21, 22), zwischen denen sich der Wellenleiter (20) befindet. An der Halbleiterschichtenfolge (2) ist zumindest eine schräge Facette (31, 32) gebildet, die mit einer Toleranz von höchstens 10° einen Winkel von 45° zu einer Resonatorachse (R) aufweist. Diese Facette (31, 32) bildet eine Reflexionsfläche (30) hin zur ersten Mantelschicht (21) für im Betrieb erzeugte Laserstrahlung (L). Eine Maximaldicke (D) der ersten Mantelschicht (21) liegt zumindest in einem Strahlungsdurchtrittsbereich (50) zwischen einschließlich 0,5 M/n und 10 M/n, wobei n der mittlere Brechungsindex der ersten Mantelschicht (21) und M die Vakuumwellenlänge maximaler Intensität der Laserstrahlung (L) ist.

公开(公告)号：DE102018101089A1

公开(公告)日：2019-07-18

申请号：DE102018101089

申请日：2018-01-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： TONKIKH ALEXANDER

IPC: H01L33/50 ,  H01L21/20 ,  H01L27/15 ,  H01L33/08 ,  H01L33/22

Abstract: Es wird ein epitaktisches Konversionselement (1) angegeben, das elektromagnetische Strahlung eines Anregungsspektrums (2) in elektromagnetische Strahlung eines Emissionsspektrums (3) umwandelt. Das epitaktische Konversionselement (1) weist eine Vielzahl an epitaktischen Konversionsschichten (4) auf, wobei - jede epitaktische Konversionsschicht (4) elektromagnetische Strahlung des Anregungsspektrums (2) in elektromagnetische Strahlung eines Einzelspektrums (5) umwandelt und sich das Emissionsspektrum (3) aus den Einzelspektren (5) zusammensetzt, und- eine FWHM-Breite des Emissionsspektrums (3) breiter ist als eine FWHM-Breite des Anregungsspektrums (2).Außerdem werden ein Verfahren zur Herstellung des epitaktischen Konversionselements, ein strahlungsemittierender Halbleiterchip und ein Verfahren zur Herstellung des strahlungsemittierenden Halbleiterchips angegeben.

公开(公告)号：DE102016123262A1

公开(公告)日：2018-06-07

申请号：DE102016123262

申请日：2016-12-01

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： TONKIKH ALEXANDER ,  STAUSS PETER

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/02

Abstract: Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterkörper (1) mit einer Halbleiterschichtenfolge (2), die einen zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20), eine n-leitende Halbleiterschicht (21) und eine p-leitende Halbleiterschicht (22) aufweist, angegeben, wobei der aktive Bereich zwischen der n-leitenden Halbleiterschicht und der p-leitenden Halbleiterschicht angeordnet ist und die p-leitende Halbleiterschicht einen ersten Dotierbereich (221) mit einem ersten Dotierstoff und einen zweiten Dotierbereich (222) mit einem vom ersten Dotierstoff verschiedenen zweiten Dotierstoff aufweist.Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterschichtenfolge angegeben.