公开(公告)号：DE102018126494A1

公开(公告)日：2020-04-30

申请号：DE102018126494

申请日：2018-10-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SPATH GÜNTER ,  LEISEN DANIEL ,  JEREBIC SIMON ,  KIESSLING MATTHIAS

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/52

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauteil (1) angegeben, mit:- einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (2), der im Betrieb elektromagnetische Primärstrahlung (P) von einer Strahlungsaustrittsfläche (3) aussendet,- einem Konversionselement (6), das Primärstrahlung (P) in elektromagnetische Sekundärstrahlung konvertiert,- einem ersten Verguss (8), der zumindest eine Seitenfläche des Halbleiterchips (5) bedeckt, und- einem Haftvermittler (10), mit dem das Konversionselement (6) auf der Strahlungsaustrittsfläche (3) des Halbleiterchips (2) befestigt ist, wobei- der Haftvermittler (10) auf einer Deckfläche des ersten Vergusses (9) angeordnet ist.Des Weiteren werden ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils und eine Beleuchtungsvorrichtung angegeben.

公开(公告)号：DE102012111247A1

公开(公告)日：2014-05-22

申请号：DE102012111247

申请日：2012-11-21

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GRÖTSCH STEFAN ,  KIESSLING MATTHIAS ,  WITTMANN MICHAEL ,  GRUBER STEFAN

IPC: H01L27/15 ,  H05B37/02 ,  H05B44/00

Abstract: Ein optoelektronisches Halbleiterbauteil umfasst einen ersten Funktionsbereich (1) mit einer aktiven Zone, die zur Strahlungserzeugung oder zum Strahlungsempfang vorgesehen ist, sowie einen zweiten Funktionsbereich (3), der geeignet ist zur Ansteuerung des ersten Funktionsbereichs (1) beizutragen, wobei der erste Funktionsbereich (1) und der zweite Funktionsbereich (2) auf demselben Trägersubstrat (3) integriert sind.

公开(公告)号：DE102015104220A1

公开(公告)日：2016-09-22

申请号：DE102015104220

申请日：2015-03-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LEIRER CHRISTIAN ,  LINKOV ALEXANDER ,  SPERL MATTHIAS ,  KIESSLING MATTHIAS

IPC: H01L33/58 ,  H01L33/50

Abstract: Die Erfindung betrifft eine optoelektronische Leuchtvorrichtung, umfassend: – einen Träger, – auf welchem eine lichtemittierende Diode angeordnet ist, – wobei auf einer lichtemittierenden Oberfläche der Diode eine mehrere Mikrolinsen aufweisende Mikrolinsenstruktur angeordnet ist, – wobei auf der Mikrolinsenstruktur eine Konversionsschicht angeordnet ist, – so dass von der lichtemittierenden Oberfläche emittiertes Licht zumindest teilweise durch die Mikrolinsenstruktur abgebildet und dann konvertiert werden kann. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung.

公开(公告)号：DE102018116821A1

公开(公告)日：2020-01-16

申请号：DE102018116821

申请日：2018-07-11

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KIESSLING MATTHIAS ,  REITH ANDREAS

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/268 ,  H01L21/56 ,  H01L23/28 ,  H01L23/495

Abstract: Es wird ein elektronisches Halbleiterbauelement (1) mit einer Gehäusestruktur (10) und einer in die Gehäusestruktur (10) eingebrachten Kavität (100) angegeben. Die Kavität (100) weist eine Grundfläche (100A) auf. Ferner umfasst das elektronische Halbleiterbauelement (1) eine Hilfsschicht (110), die auf der Grundfläche (100A) der Kavität (100) angeordnet ist, und eine die Hilfsschicht (110) bis mindestens zur Grundfläche (100A) der Kavität (100) durchdringende Markierung (120). Die Markierung (120) weist einen optischen Kontrast auf, der sowohl von einer optischen Eigenschaft der Gehäusestruktur (10) als auch einer optischen Eigenschaft der Hilfsschicht (110) abhängt.Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Halbleiterbauelements (1) angegeben.

公开(公告)号：DE102014116076A1

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：DE102014116076

申请日：2014-11-04

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HOXHOLD BJÖRN ,  KIESSLING MATTHIAS ,  SPERL MATTHIAS

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/20 ,  H01L33/46

Abstract: Es wird ein Verfahren zum Aufbringen eines ersten Materials (5) auf einer Oberfläche (1) in einer Mehrzahl von voneinander getrennten Beschichtungsbereichen (2) angegeben mit den Schritten: A) Bereitstellen der Oberfläche (1) mit den Beschichtungsbereichen (2), B) Herstellen einer ersten Maskenschicht (3) auf der Oberfläche (1) mittels eines fotolithografischen Verfahrens, wobei die erste Maskenschicht (3) eine Mehrzahl von ersten Öffnungen (31) aufweist, die über den Beschichtungsbereichen (2) angeordnet sind, C) Bereitstellen einer selbsttragenden zweiten Maskenschicht (4) und anschließendes Aufbringen der zweiten Maskenschicht (4) auf der ersten Maskenschicht (3), wobei die zweite Maskenschicht (4) eine Mehrzahl von zweiten Öffnungen (41) aufweist, die über den ersten Öffnungen (31) angeordnet sind und die eine Größe aufweisen, die kleiner oder gleich einer Größe der ersten Öffnungen (31) ist, D) Aufbringen des ersten Materials (5) auf der Oberfläche (1) in den Beschichtungsbereichen (2) durch die ersten und zweiten Öffnungen (31, 41) der ersten und zweiten Maskenschicht (3, 4) hindurch.

公开(公告)号：DE112013005569A5

公开(公告)日：2015-09-03

申请号：DE112013005569

申请日：2013-11-21

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GRÖTSCH STEFAN ,  KIESSLING MATTHIAS ,  WITTMANN MICHAEL ,  GRUBER STEFAN

IPC: H05B44/00 ,  H01L27/15 ,  H01L33/00

公开(公告)号：DE102015107660A1

公开(公告)日：2016-11-17

申请号：DE102015107660

申请日：2015-05-15

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PERZLMAIER KORBINIAN ,  KIESSLING MATTHIAS ,  RACZ DAVID

IPC: H01L23/04 ,  H01L31/0203 ,  H01L33/52 ,  H01L33/60

Abstract: Es wird ein elektronisches Bauteil (1) angegeben, das sich entlang einer Haupterstreckungsebene in einer ersten lateralen Richtung (x) und in einer zweiten lateralen Richtung (y) erstreckt, umfassend – zumindest einen elektronischen Halbleiterchip (10), – einen Formkörper (3), der den Halbleiterchip (10) lateral vollständig umschließt, und – eine Vielzahl von mechanischen Verstärkungsstrukturen (2, 2‘), wobei – die Verstärkungsstrukturen (2, 2‘) in den Formkörper (3) eingebettet sind, – jede Verstärkungsstruktur (2, 2‘) länglich ausgebildet ist und jeweils eine Länge (L, L‘) aufweist, die einen Großteil einer maximalen Erstreckung des elektronischen Bauteils (1) in der ersten lateralen Richtung (x) und/oder in der zweiten lateralen Richtung (Y) beträgt und – jede Verstärkungsstruktur (2, 2‘) in der ersten und/oder zweiten lateralen Richtung (x, y) beabstandet zu dem Halbleiterchip (10) angeordnet ist.

公开(公告)号：DE102015104185A1

公开(公告)日：2016-09-22

申请号：DE102015104185

申请日：2015-03-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： RICHTER DANIEL ,  KIESSLING MATTHIAS

IPC: H01L33/62 ,  H01L21/52 ,  H01L23/48

Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement umfasst einen oberen Gehäuseteil und einen unteren Gehäuseteil. Der obere Gehäuseteil ist über dem unteren Gehäuseteil angeordnet. Der obere Gehäuseteil weist einen optoelektronischen Halbleiterchip auf. Zwischen dem oberen Gehäuseteil und dem unteren Gehäuseteil ist eine mittlere Metallisierungsebene angeordnet. An einer von dem oberen Gehäuseteil abgewandten Unterseite des unteren Gehäuseteils ist eine untere Metallisierungsebene angeordnet. Der untere Gehäuseteil weist einen unteren Durchkontakt auf, der sich von der mittleren Metallisierungsebene durch den unteren Gehäuseteil zu der unteren Metallisierungsebene erstreckt.

公开(公告)号：DE102014118449A1

公开(公告)日：2016-06-16

申请号：DE102014118449

申请日：2014-12-11

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STOLL ION ,  KIESSLING MATTHIAS ,  EISERT DOMINIK

IPC: H01L33/58 ,  H01L33/50

Abstract: Ein optisches Bauelement umfasst einen optoelektronischen Halbleiterchip, der dazu ausgebildet ist, elektromagnetische Strahlung zu emittieren, und ein Streuelement, das Streupartikel aufweist, die im Lichtweg des optoelektronischen Halbleiterchips angeordnet sind. Dabei weisen die Streupartikel jeweils eine Schale und einen materialverschiedenen Kern auf.

公开(公告)号：WO2014079939A2

公开(公告)日：2014-05-30

申请号：PCT/EP2013074400

申请日：2013-11-21

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GRÖTSCH STEFAN ,  KIESSLING MATTHIAS ,  WITTMANN MICHAEL ,  GRUBER STEFAN

CPC classification number: H01L27/15 ,  H05B33/0803 ,  H05B33/0815 ,  H05B33/083

Abstract: An optoelectronic semiconductor component comprises a first functional region (1) having an active zone provided for generating radiation or for receiving radiation, and a second functional region (2), which is suitable for contributing to the driving of the first functional region (1), wherein the first functional region (1) and the second functional region (2) are integrated on the same carrier substrate (3).

Abstract translation: 的光电子半导体器件，包括用活性区，其被设置用于生成辐射或辐射接收和第二功能区域（3），其是适用于驱动所述第一功能区域（1）有助于，其中，所述第一功能区域（第一功能区域（1） 1）和第二功能区域（2）集成在同一载体衬底（3）上。