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公开(公告)号：CN105702718A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201510918997.3
申请日：2015-12-10
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/739
CPC classification number: H01L29/7397 , H01L29/0623 , H01L29/0834 , H01L29/1095 , H01L29/7395
Abstract: 本发明提供一种对两步式导通现象的产生进行抑制的反向导通绝缘栅双极性晶体管。反向导通绝缘栅双极性晶体管(1)的半导体层(10)具备n型的势垒区(18)，所述势垒区(18)被设置在体区(15)内，并且通过从半导体层(10)的表面(10B)延伸的柱区(19)而与发射极(24)电连接。势垒区(18)具有第一势垒部分区域(18a)及第二势垒部分区域(18b)，其中，所述第一势垒部分区域(18a)到漂移区(14)的距离为第一距离(18Da)，所述第二势垒部分区域(18b)到漂移区(14)的距离为与第一距离(18Da)相比较长的第二距离(18Db)。第二势垒部分区域(18b)与绝缘沟槽栅部(30)的侧面相接。
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公开(公告)号：CN105702718B
公开(公告)日：2018-10-30
申请号：CN201510918997.3
申请日：2015-12-10
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/739
CPC classification number: H01L29/7397 , H01L29/0623 , H01L29/0834 , H01L29/1095
Abstract: 本发明提供一种对两步式导通现象的产生进行抑制的反向导通绝缘栅双极性晶体管。反向导通绝缘栅双极性晶体管(1)的半导体层(10)具备n型的势垒区(18)，所述势垒区(18)被设置在体区(15)内，并且通过从半导体层(10)的表面(10B)延伸的柱区(19)而与发射极(24)电连接。势垒区(18)具有第一势垒部分区域(18a)及第二势垒部分区域(18b)，其中，所述第一势垒部分区域(18a)到漂移区(14)的距离为第一距离(18Da)，所述第二势垒部分区域(18b)到漂移区(14)的距离为与第一距离(18Da)相比较长的第二距离(18Db)。第二势垒部分区域(18b)与绝缘沟槽栅部(30)的侧面相接。
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公开(公告)号：CN105556668B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201380079133.6
申请日：2013-08-26
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L27/04 , H01L29/739 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种能够对二极管区域中的电压变动进行抑制的技术。半导体装置(102)作为二极管而进行工作时的发射极(148)与下部体区(166)之间的电阻值小于阳极电极(148)与下部阳极区(168)之间的电阻值。此外，发射极(148)与第二势垒区(116)之间的空穴的量少于阳极电极(148)与第一势垒区(122)之间的空穴的量。
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公开(公告)号：CN103403872B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201280011777.7
申请日：2012-03-07
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/36
CPC classification number: H01L29/423 , H01L29/0619 , H01L29/0623 , H01L29/0696 , H01L29/0847 , H01L29/1095 , H01L29/4238 , H01L29/7395 , H01L29/7397
Abstract: 在IGBT（10）中，以弯曲形状延伸而具有转角的沟槽（70a、70b）形成于半导体衬底的上表面中。沟槽（70a、70b）的内面覆盖有绝缘膜。栅极被置于沟槽（70a、70b）内。发射极和集电极分别形成在半导体衬底的上表面和下表面上。发射极区域、体区域、漂移区以及集电极区域形成于半导体衬底中。发射极区域是由n型半导体形成的，与绝缘膜相接触，并且与发射电极欧姆接触。体区域是由p型半导体形成的，与发射极区域下方的绝缘膜相接触，与沟槽（70a、70b）的内转角部（72?1、72?2）的绝缘膜相接触，并且与发射电极欧姆接触。
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公开(公告)号：CN105556668A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201380079133.6
申请日：2013-08-26
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L27/04 , H01L29/739 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种能够对二极管区域中的电压变动进行抑制的技术。半导体装置(102)作为二极管而进行工作时的发射极(148)与下部体区(166)之间的电阻值小于阳极电极(148)与下部阳极区(168)之间的电阻值。此外，发射极(148)与第二势垒区(116)之间的空穴的量少于阳极电极(148)与第一势垒区(122)之间的空穴的量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107068733B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201611257527.8
申请日：2012-07-27
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/36 , H01L29/40 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/872 , H01L29/10 , H01L29/16 , H01L29/20 , H01L29/417
Abstract: 公开了一种能够在二极管导通时降低损耗的技术。在本说明书中公开的二极管包括阴极电极、由第一导电型半导体制成的阴极区域、由浓度比所述阴极区域低的第一导电型半导体制成的漂移区、由第二导电型半导体制成的阳极区域、阳极电极、形成于所述漂移区和所述阳极区域之间且由浓度比所述漂移区的浓度更高的第一导电型半导体制成的势垒区域，以及形成为将所述势垒区域连接至所述阳极电极且由金属制成的柱电极。柱电极形成为从所述阳极电极侧透过所述阳极区域且到达所述势垒区域。势垒区域和柱电极通过肖特基结相连接。
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公开(公告)号：CN106463529B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201580023346.6
申请日：2015-02-27
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L21/336 , H01L27/04 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/868
Abstract: 本发明提供一种能够抑制回扫的半导体装置。该半导体装置具有半导体基板，半导体基板具有IGBT区和二极管区。在对从表面朝向背面的方向上的n型杂质浓度分布进行观察时，在阴极区与缓冲区的边界处形成有n型杂质浓度的极小值。在缓冲区内形成有n型杂质浓度的极大值。在缓冲区与阴极区中的至少一方内形成有与周围相比以高浓度分布有晶体缺陷的晶体缺陷区域。对从表面朝向背面的方向上的晶体缺陷的浓度分布进行观察时的晶体缺陷的浓度的峰值被形成在与具有n型杂质浓度的极大值的一半的n型杂质浓度的位置相比靠背面侧的区域内。
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公开(公告)号：CN104900690B
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201510093283.3
申请日：2015-03-02
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/10
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其在采用了具有肖特基接触的二极管结构的RC‑IGBT中，对栅极干扰进行抑制。所述半导体装置具有半导体基板(12)，该半导体基板(12)具有二极管区域(92)和IGBT区域(90)。该半导体装置中，二极管区域(92)具有：p型的阳极区(34)，其与阳极电极(14)欧姆接触；n型的多个柱区(24)，其与阳极电极(14)肖特基接触；n型的势垒区(26)；n型的二极管漂移区(28)；以及n型的阴极区(36)。第一柱区(24a)相对于阳极电极(14)的导通电阻与位于距IGBT区域(90)较近的位置处的第二柱区(24b)相对于阳极电极(14)的导通电阻相比较高。
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公开(公告)号：CN107068733A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201611257527.8
申请日：2012-07-27
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/36 , H01L29/40 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/872 , H01L29/10 , H01L29/16 , H01L29/20 , H01L29/417
Abstract: 公开了一种能够在二极管导通时降低损耗的技术。在本说明书中公开的二极管包括阴极电极、由第一导电型半导体制成的阴极区域、由浓度比所述阴极区域低的第一导电型半导体制成的漂移区、由第二导电型半导体制成的阳极区域、阳极电极、形成于所述漂移区和所述阳极区域之间且由浓度比所述漂移区的浓度更高的第一导电型半导体制成的势垒区域，以及形成为将所述势垒区域连接至所述阳极电极且由金属制成的柱电极。柱电极形成为从所述阳极电极侧透过所述阳极区域且到达所述势垒区域。势垒区域和柱电极通过肖特基结相连接。
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公开(公告)号：CN105097958A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510232850.9
申请日：2015-05-08
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/872 , H01L29/47
CPC classification number: H01L29/47 , H01L21/26513 , H01L29/06 , H01L29/0619 , H01L29/16 , H01L29/401 , H01L29/456 , H01L29/7395 , H01L29/872
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具备：半导体层，其含有Si；阳极电极，其与半导体层的一个主面的至少一部分肖特基接触。阳极电极的材料为，含有选自Ti、Ta、Nb、Hf、Zr、W、Mo以及V中的至少一种的AlSi合金。
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