公开(公告)号：CN110931442B

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN201910115893.7

申请日：2019-02-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡宗甫 ,  黄厚儒 ,  林士庭 ,  卢思维 ,  蔡鸿伟

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56

Abstract: 提供一种电子装置及其制造方法。电子装置包括半导体管芯、与半导体管芯电耦接的导电结构、包封半导体管芯和导电结构的绝缘包封件以及设置在绝缘包封件上和半导体管芯的重布线结构。导电结构包括第一导体、第二导体和在第一导体与第二导体之间的扩散阻挡层。重布线结构电连接到半导体管芯和导电结构的第一导体。

公开(公告)号：CN103915374B

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：CN201310127589.7

申请日：2013-04-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杜家玮 ,  郭彦良 ,  谢维伦 ,  蔡宗甫

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L23/49811 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/525 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13664 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03

Abstract: 本发明公开了钝化后互连结构及其形成方法。一种方法包括：在钝化层上方形成聚合物层，其中钝化层还包括位于金属焊盘上方的一部分。图案化聚合物层以在聚合物层中形成开口，其中聚合物层的暴露表面具有第一粗糙度。实施表面处理以使聚合物层的粗糙度增加至大于第一粗糙度的第二粗糙度。在聚合物层的暴露表面上方形成金属部件。

公开(公告)号：CN103515314B

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201210377778.5

申请日：2012-10-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杜家玮 ,  郭彦良 ,  吕文雄 ,  陈宪伟 ,  蔡宗甫

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L23/3135 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/585 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/15 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02377 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0502 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/05 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明涉及集成电路封装及其形成方法，该方法包括：在晶片的衬底上方形成电连接件；然后形成聚合物层，其中，至少部分电连接件形成在该聚合物层中。执行第一锯切步骤从而在该聚合物层中形成沟槽。第一锯切步骤完成后，执行第二锯切步骤从而将晶片锯切成多个管芯。

公开(公告)号：CN118151300A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202410175850.9

申请日：2024-02-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  蔡宗甫 ,  尤志豪 ,  巢瑞麟 ,  卢思维

IPC: G02B6/26 ,  G02B6/42

Abstract: 一种制造光子系统的方法包括将第一光子封装件连接至衬底，其中第一光子封装件包括第一波导和位于第一波导上方的第一支撑件；相邻于第一光子封装件将第二光子封装件连接至相邻的衬底，其中，第二光子封装件包括第二波导，其中，第一光子封装件和第二光子封装件由间隙横向分隔开，间隙具有在15μm至190μm范围内的宽度；将第一量的光学粘合剂沉积到间隙中；以及固化第一量的光学粘合剂，其中，在固化第一量的光学粘合剂之后，第一波导通过第一量的光学粘合剂光耦合至第二波导。本发明的实施例还提供了光子系统。

公开(公告)号：CN116110852A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202210797222.5

申请日：2022-07-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 茅一超 ,  蔡宗甫 ,  卢思维 ,  余振华

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/683 ,  H01L23/528

Abstract: 实施例提供了预切割技术以在器件晶圆的前表面处切割平行开口，然后将器件晶圆翻转并且从器件晶圆的背侧完成切割以从晶圆分割管芯。组合的预切割技术和背侧切割技术在器件的侧表面中提供缩进。本发明的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN103456697A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201310125458.5

申请日：2013-04-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张志鸿 ,  郭庭豪 ,  蔡宗甫 ,  顾旻峰

IPC: H01L23/16 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/3121 ,  H01L21/304 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/78 ,  H01L21/82 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/564 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种器件，包括第一封装部件和在第一封装部件下面的并与其接合的第二封装部件。模制材料设置在第一封装部件下方并且模制为与第一封装部件和第二封装部件接触，其中，模制材料和第一封装部件形成界面。隔离区包括第一边缘，其中，隔离区的第一边缘与第一封装部件的第一边缘和模制材料的第一边缘接触。隔离区域的底部低于界面。本发明还提供了用于封装件的隔离环及其形成方法。

公开(公告)号：CN102468248A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201110242342.0

申请日：2011-08-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡宗甫 ,  郭彦良 ,  许明松 ,  蔡侑伶 ,  陈承先 ,  普翰屏

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/02013 ,  H01L21/02016 ,  H01L21/563 ,  H01L23/295 ,  H01L23/562 ,  H01L24/32 ,  H01L24/743 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/26145 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81009 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/10156 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种管芯具有第一表面，位于第一表面对面的第二表面，和包括第一部分和第二部分的侧壁，其中相比于第二部分，第一部分更接近于第一表面。填角接触管芯的侧壁的第一部分并且包围管芯。工件通过焊料凸块与管芯接合，其中第二表面面向工件。第一底部填充胶填充管芯和工件之间的间隙，其中第一底部填充胶接触填角，并且其中第一底部填充胶和填角由不同的材料形成。

公开(公告)号：CN114765149A

公开(公告)日：2022-07-19

申请号：CN202110578084.7

申请日：2021-05-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈俊廷 ,  吴志伟 ,  卢思维 ,  蔡宗甫 ,  施应庆 ,  叶庭聿 ,  蔡承轩

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明的实施例提供一种半导体封装以及其制造方法。半导体封装包含至少一个半导体管芯、插入件、包封体、保护层以及连接件。插入件具有第一表面、与第一表面相对的第二表面以及连接第一表面和第二表面的侧壁。半导体管芯设置在插入件的第一表面上且与插入件电连接。包封体设置在插入件上方且横向地包封至少一个半导体管芯。连接件设置在插入件的第二表面上且通过插入件与至少一个半导体管芯电连接。保护层设置在插入件的第二表面上且环绕连接件。插入件的侧壁包含连接到第二表面的倾斜侧壁，且保护层与插入件的倾斜侧壁接触。

公开(公告)号：CN113809040A

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202110624972.8

申请日：2021-06-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡宗甫 ,  卢思维

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 提供一种包括第一半导体管芯、中介层及第一绝缘包封体的结构。第一半导体管芯包括半导体衬底、设置在半导体衬底上的内连线结构及设置在内连线结构上的导通孔。中介层包括介电层及穿透过介电层的穿孔。第一绝缘包封体在侧向上包封第一半导体管芯及中介层，其中中介层的介电层的厚度实质上等于第一半导体管芯的厚度及第一绝缘包封体的厚度。

公开(公告)号：CN111863631A

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN202010330677.7

申请日：2020-04-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡宗甫 ,  叶宫辰 ,  黄怡婷 ,  林士庭 ,  卢思维

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 本公开提供一种封装结构的形成方法，包括：形成基板通孔结构于基板之中；形成第一沟槽于基板之中；使用第一接合结构堆叠第一堆叠晶粒封装结构于基板之上，第一接合结构位于基板及第一堆叠晶粒封装结构之间，且空腔位于两邻近第一接合结构之间；形成底胶层于第一堆叠晶粒封装结构之上且于空腔之中，其中底胶层形成于第一沟槽的部分之中；以及形成封装层于底胶层之上。