-
公开(公告)号：CN104425202A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410440345.9
申请日：2014-09-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32477 , H01J37/32495 , H01J37/32522 , H01J37/32623 , H01J37/32853 , H01L21/6831
Abstract: 本发明提供一种等离子处理装置，抑制等离子处理中的、对环状框架造成的热影响，还防止该热影响所导致的罩的损伤。对保持在由环状的框架(7)和保持片(6)构成的搬运托架(5)上的基板(2)实施等离子处理。等离子处理装置具备：腔室(4)，其具有能够减压的内部空间；等离子源(12)，其在腔室(4)内产生等离子；工作台(11)，其设置在腔室(4)内，并载置搬运托架(5)；罩(28)，其载置在工作台(11)的上方，覆盖保持片(6)和框架(7)，且具有以在厚度方向上贯通的方式形成的窗部(32)。罩(28)由导热性优异的材料构成，暴露于等离子的表面中的、至少窗部(32)侧由保护部(28a)覆盖，保护部(28a)由与等离子反应的反应性低的材料构成。
-
公开(公告)号：CN103155117A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201180048666.9
申请日：2011-09-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/683
CPC classification number: B44C1/227 , H01L21/67069 , H01L21/68742 , H01L21/68771 , H01L33/005
Abstract: 本发明提供一种基板的等离子体处理方法。通过实施如下工序而在等离子体处理中去除基板的缘部以及托盘所附着的副生成物以提高产品的品质，这些工序为：基板载置工序，将设置有收容基板的多个基板收容孔、且具有从各个基板收容孔的内壁突出的基板支撑部的托盘载置于基板台的托盘支撑部上，并且将基板载置于各个基板保持部上，由此成为使从基板保持部的端缘伸出的基板的缘部和基板支撑部分离的状态；第一等离子体处理工序，使腔室内减压并且供给处理气体，来进行对各个基板的等离子体处理；第二等离子体处理工序，在托盘以及各个基板被载置于基板台上的状态下，使腔室内减压并且供给处理气体来实施等离子体处理，通过第一等离子体处理工序的实施来去除在基板的缘部与基板支撑部所附着的副生成物。
-
公开(公告)号：CN102918640A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201180025856.9
申请日：2011-05-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/68 , H01L21/3065
CPC classification number: B44C1/227 , H01L21/67109 , H01L21/67167 , H01L21/67742 , H01L21/67754 , H01L21/67757 , H01L21/681 , H01L21/68742 , H01L21/68771
Abstract: 等离子体处理装置(1)具备贮存部(2)、处理室(5)及校准室(4)。贮存部(2)供给和回收在贯通厚度方向的多个容纳孔(7a)的每一个中容纳了晶片(W)的可传送的托盘(7)。在处理室(5)中，对被容纳在从贮存部(2)供给的托盘(7)中的晶片(W)执行等离子体处理。校准室(4)具备搭载等离子体处理前的托盘(7)的旋转台(41)，进行旋转台(41)上的晶片(W)的定位。控制装置(6)的有无晶片判定部(6a)基于来自有无晶片检测传感器(44A、44B)的信号，判定搭载于校准室(4)的旋转台(41)上的托盘(7)的各容纳孔(7a)内是否存在晶片(W)。
-
公开(公告)号：CN101258786A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200680032251.1
申请日：2006-09-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H05H1/46
CPC classification number: H01J37/321
Abstract: 实现了均匀性出色的等离子体掺杂。当预定气体从气体供应设备(2，16)引入真空容器(1)时，该真空容器(1)通过排气孔(11)藉由作为排气装置的涡轮分子泵(3)被排气，且通过压力调节阀(4)在真空容器(1)内维持预定压力。通过将13.56MHz的高频功率从高频电源(5)供应到置为与样品电极(6)对立的介质窗口(7)附近的线圈(8)，由此在真空容器(1)内产生感应耦合等离子体。介质窗口(7)是由多个介质板组成，且槽形成于相互对立的至少两个介质板的至少一侧内。气体通道由该槽和其对立的平坦表面形成，且设置于最靠近样品电极的介质板内的气体排出口(15，19)被允许连通介质窗口内的槽。从气体排出口(15，19)引入的气体的流速可以独立地被控制，且处理的均匀性可以提高。
-
公开(公告)号：CN102751159A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210238455.8
申请日：2006-09-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/321
Abstract: 实现了均匀性出色的等离子体掺杂。当预定气体从气体供应设备引入真空容器时，该真空容器通过排气孔藉由作为排气装置的涡轮分子泵被排气，且通过压力调节阀在真空容器内维持预定压力。通过将13.56MHz的高频功率从高频电源供应到置为与样品电极对立的介电质窗口附近的线圈，由此在真空容器内产生感应耦合等离子体。介电质窗口是由多个介电质板组成，且槽形成于相互对立的至少两个介电质板的至少一侧内。气体通道由该槽和其对立的平坦表面形成，且设置于最靠近样品电极的介电质板内的气体排出口被允许连通介电质窗口内的槽。从气体排出口引入的气体的流速可以独立地被控制，且处理的均匀性可以提高。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103155117B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201180048666.9
申请日：2011-09-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/683
CPC classification number: B44C1/227 , H01L21/67069 , H01L21/68742 , H01L21/68771 , H01L33/005
Abstract: 本发明提供一种基板的等离子体处理方法。通过实施如下工序而在等离子体处理中去除基板的缘部以及托盘所附着的副生成物以提高产品的品质，这些工序为：基板载置工序，将设置有收容基板的多个基板收容孔、且具有从各个基板收容孔的内壁突出的基板支撑部的托盘载置于基板台的托盘支撑部上，并且将基板载置于各个基板保持部上，由此成为使从基板保持部的端缘伸出的基板的缘部和基板支撑部分离的状态；第一等离子体处理工序，使腔室内减压并且供给处理气体，来进行对各个基板的等离子体处理；第二等离子体处理工序，在托盘以及各个基板被载置于基板台上的状态下，使腔室内减压并且供给处理气体来实施等离子体处理，通过第一等离子体处理工序的实施来去除在基板的缘部与基板支撑部所附着的副生成物。
-
公开(公告)号：CN103718284A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201280037016.9
申请日：2012-06-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/3065 , H01L31/04
CPC classification number: H01L31/18 , H01J37/32715 , H01J37/32724 , H01J2237/201 , H01L21/67069 , H01L21/68764 , H01L21/68785
Abstract: 干法蚀刻装置(1)具备搬运基板(5)的托架(3)。在托架(3)设有可收容(3)枚基板(5)的作为贯通孔的基板收容孔(4A～4C)。基板(5)被从基板收容孔(4A～4C)的孔壁突出的基板支撑部(11)支撑。在产生等离子体的腔室(2)内设有平台(21)。平台(21)具备基板载置部(27A～27C)，该基板载置部(27A～27C)从托架(3)的下面插入基板收容孔(4A～4C)、并且在作为其上端面的基板载置面(28)载置从基板支撑部(11)交付的基板(5)的下面。能够抑制装置的大型化同时，实现针对方形基板的高的形状控制性和良好的生产性。
-
公开(公告)号：CN103094043A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201210436576.3
申请日：2012-11-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种具有简单的装置结构而实现小型化，且能够有效降低基板或托盘上的气体的流动或压力分布偏差的等离子体处理装置。干式蚀刻装置(1)的腔室(5)具备：具有顶壁(8)、底壁(7)、侧壁(9)、端壁(11)及开口端(12)的一体结构的腔室主体(6)；封闭开口端(12)的盖体(16)。在处理对象物支承台(26)的基座(31)的侧部(31a)设有凹部(51)，该凹部(51)确保气体在端壁(11)和处理对象物支承台(26)间流动的充分空间。
-
公开(公告)号：CN102939648A
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：CN201180027087.6
申请日：2011-05-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/68 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/677 , H05H1/46
CPC classification number: B44C1/227 , H01J37/32779 , H01L21/67109 , H01L21/67742 , H01L21/67754 , H01L21/681 , H01L21/6831 , H01L21/68707 , H01L21/68742 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , H05H2001/4675 , Y10S438/973
Abstract: 等离子处理装置(1)具备贮存部(2)、处理部(5)、校准室(4)。贮存部(2)供给并回收在多个收容孔(7a)内分别收容有晶片(W)的可搬运的托盘(7)。处理室(5)对在从贮存部(2)供给的托盘(7)收容的晶片(W)执行等离子处理。校准室(4)具备载置等离子处理前的托盘(7)的旋转工作台(41)，并进行该旋转工作台(41)上的晶片(W)的定位。控制装置(6)的收容状态判断部(6b)使用由高度检测传感器(44A～44D)检测出的高度来判断晶片(W)是否相对于托盘(7)的收容孔(7a)产生错位。
-
公开(公告)号：CN103094043B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201210436576.3
申请日：2012-11-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种具有简单的装置结构而实现小型化，且能够有效降低基板或托盘上的气体的流动或压力分布偏差的等离子体处理装置。干式蚀刻装置(1)的腔室(5)具备：具有顶壁(8)、底壁(7)、侧壁(9)、端壁(11)及开口端(12)的一体结构的腔室主体(6)；封闭开口端(12)的盖体(16)。在处理对象物支承台(26)的基座(31)的侧部(31a)设有凹部(51)，该凹部(51)确保气体在端壁(11)和处理对象物支承台(26)间流动的充分空间。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
12
records
(took 0.027 seconds)
