公开(公告)号：CN101258784A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200680032713.X

申请日：2006-09-15

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 中岛节男 ,  武内稔公 ,  松崎纯一 ,  真弓聪 ,  西川理 ,  斋藤直道 ,  中野良宪 ,  福士麻琴 ,  古野喜彦

IPC: H05H1/24 ,  C23C16/50

CPC classification number: H01J37/32623 ,  H01J2237/0206 ,  H05H1/2406 ,  H05H2001/2412

Abstract: 为了提供能够容纳待加工物品的面积的增加、并且能够在开始正常等离子放电时确保适当的加工的大气压等离子加工设备。在一种大气压等离子加工设备中，台(20)的第一台部分(21)的第一金属表面(21a)被暴露，并且由电介质材料组成的待加工物品(W)放置在第一金属表面21a上。固体介电层(25)设置在第二台部分(22)的第二金属(24)上。物品W的周边部分放置在固体介电层(25)的内部介电部分(26)上。电极(11)在第二台部分(22)的上方的第二移动范围(R2)内产生助走放电(D2)。然后，电极(11)移动到第一台部分(21)的上方的第一移动范围(R1)并产生正常等离子放电(D1)。

公开(公告)号：CN102149460B

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN200980135309.9

申请日：2009-09-07

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 真弓聪 ,  功刀俊介 ,  佐藤崇 ,  梅冈尚

IPC: B01J19/08 ,  B01D53/22 ,  H01L21/3065

CPC classification number: B01D53/229 ,  B01D2257/2027 ,  B01D2258/0216 ,  H01L21/32137

Abstract: 在大气压等离子体处理中，抑制氟原料的回收率或回收浓度的波动，以保证处理的稳定性。通过分离部(4)的分离膜(41)将离开大气压等离子体处理部(2)到达废气管线(30)的废气分离成用于回收管线(50)的回收气体和用于释放管线(60)的释放气体。将回收气体用作处理气体的至少一部分。在分离时，根据处理气体的流率调整回收气体、释放气体和废气中的至少两种气体的与分离相关的物理量(优选压力)，使得氟原料的回收率或回收浓度中的一项或两项达到期望值。

公开(公告)号：CN102165566B

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN200980138173.7

申请日：2009-09-16

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 梅冈尚 ,  八木泽博史 ,  真弓聪

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01J37/32376 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32761 ,  H01J37/32834 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6776

Abstract: 本发明提供一种表面处理装置，该表面处理装置使设置于表面处理用处理槽的用于搬入搬出被处理物的开口处的气流稳定。将被处理物(9)沿搬送方向自搬入开口(13)搬入处理槽(10)的内部，并配置于处理空间(19)。自供给系统(30)向处理空间(19)供给处理气体，以便对被处理物(9)进行表面处理。此后，将被处理物(9)自搬出开口(14)搬出。利用排气系统(40)自处理槽(10)的内部排出气体。由彼此在与上述搬送方向正交的对置方向上相隔对置距离(D)而对置的一对整流面(17、18)划定开口(13、14)。将开口(13、14)的沿上述搬送方向的纵深(L)设为对置距离(D)的两倍以上，优选设为6倍以上。

公开(公告)号：CN102498550A

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201080041037.9

申请日：2010-08-25

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 功刀俊介 ,  真弓聪 ,  佐藤崇

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/24

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32825 ,  H05H1/2406 ,  H05H2001/2412

Abstract: 本发明公开了一种用于蚀刻含硅膜的方法，其中有机膜的隆起或剥离得到防止。具体地，将基本上不含氢原子的蚀刻材料气体引入到处于近大气压下的等离子体生成空间(23)中，以产生蚀刻气体。使蚀刻气体与包含含硅膜(92)和有机膜(93)的待处理目标物(90)接触。含硅膜(92)可通过氧化氮(NOx)氧化。蚀刻材料气体含有7至80体积％的不含氢原子的氟组分，7至80体积％的氮气(N2)和5至60体积％的氧气(O2)。

公开(公告)号：CN1754409B

公开(公告)日：2010-07-28

申请号：CN03801713.X

申请日：2003-08-28

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 真弓聪 ,  日野守 ,  屋代进 ,  清水治和

IPC: H05H1/24 ,  H01L21/3065 ,  C08J7/00

CPC classification number: H01J37/32009 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32752 ,  H05H1/48 ,  H05H2001/3478

Abstract: 一种等离子处理装置，用于对电场中的处理气进行等离子化(也包括激活、离子化和激化)，然后喷出处理气。等离子处理装置包括：喷嘴头，包括一对平行设置的电极和支撑电极的支架，每个电极具有第一和第二侧边，电场被施加在电极对之间，第一侧边之间的开口用作处理气接收孔，第二侧边之间的开口用作处理气吹气孔；所述电极为沿第一侧边和第二侧边伸长的长条电极，喷嘴头进一步包括防变形设备，防变形设备防止成对的电极在所述电极平行布置的方向上变形；而且防变形设备包括靠近变形阻止器，靠近变形阻止器防止电极中的一个电极变形而靠近另一电极。可以防止电极之间的间距变得不均匀，等离子流可以沿着电极纵向均匀吹出，最后可以执行均匀表面处理。

公开(公告)号：CN103098183A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201180020022.9

申请日：2011-03-24

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 真弓聪 ,  屋代进

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/3244 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32532

Abstract: 在等离子处理装置中，防止排列的3个以上的电极中的内侧电极的下端部被因潜流放电引起的腐蚀性成分腐蚀。排列3个以上的板状的电极(21)。用由板状的固体电介质构成的电介质部件(30)来覆盖各电极(21)的放电生成面(27)。从设置于电极(21)的侧部的清洗喷嘴(70)喷出清洗气体。清洗气体沿着内侧的电极(21B、21C、21D)的下端面而流动。

公开(公告)号：CN101352108B

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN200680049571.8

申请日：2006-12-22

Applicant: 夏普株式会社 ,  积水化学工业株式会社

Inventor： 若崎环树 ,  佐藤崇 ,  田中惠一 ,  中嶋节男 ,  真弓聪 ,  中野良宪

IPC: H05H1/24 ,  B65G49/06 ,  C23C16/458 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/316 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/68742 ,  B65G49/064 ,  B65G49/065 ,  B65G2249/02 ,  B65G2249/04 ,  B65G2249/045 ,  H01J37/32431 ,  H01J2237/20 ,  H01L21/68778

Abstract: 本发明涉及台装置和等离子体处理装置。提供在台的载置面上载置有被处理基板的状态下，在升降销的上端和载置面之间不产生高低平面差的台装置，此外，还提供利用该台装置作为电极台，能够抑制处理不均的发生的等离子体处理装置。在电极台(2)的中央部，配置有沿销移动方向具有弹性的弹簧式升降销(20)。弹簧式升降销(20)在收容位置上，销上端(20a)从电极台(2)的载置面(11)向上方突出，通过在载置面(11)上载置并吸附被处理基板(4)，由于从被处理基板(4)受到的负荷而被压下至与载置面(11)相同的高度。

公开(公告)号：CN101258784B

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN200680032713.X

申请日：2006-09-15

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 中岛节男 ,  武内稔公 ,  松崎纯一 ,  真弓聪 ,  西川理 ,  斋藤直道 ,  中野良宪 ,  福士麻琴 ,  古野喜彦

IPC: H05H1/24 ,  C23C16/50

CPC classification number: H01J37/32623 ,  H01J2237/0206 ,  H05H1/2406 ,  H05H2001/2412

Abstract: 为了提供能够容纳待加工物品的面积的增加、并且能够在开始正常等离子放电时确保适当的加工的大气压等离子加工设备。在一种大气压等离子加工设备中，台(20)的第一台部分(21)的第一金属表面(21a)被暴露，并且由电介质材料组成的待加工物品(W)放置在第一金属表面21a上。固体介电层(25)设置在第二台部分(22)的第二金属(24)上。物品W的周边部分放置在固体介电层(25)的内部介电部分(26)上。电极(11)在第二台部分(22)的上方的第二移动范围(R2)内产生助走放电(D2)。然后，电极(11)移动到第一台部分(21)的上方的第一移动范围(R1)并产生正常等离子放电(D1)。

公开(公告)号：CN1823554A

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200480019798.9

申请日：2004-05-13

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 日野守 ,  真弓聪 ,  伊藤巧 ,  上原刚 ,  大野毅之

IPC: H05H1/24 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32357 ,  H05H1/2406 ,  H05H2001/2412

Abstract: 一种等离子处理设备，通过绝缘件(41)设置在朝向具有传导件(51)的电极(31、32)的工件W的侧面上。绝缘件(41)夹在电极(31、32)和传导件(51)之间。绝缘件(41)的介电常数和厚度设置为以便施加到绝缘件(41)和传导件(51)之间形成的间隙(40b)的电压变为小于火花电压。由于此设置，可以防止在间隙(40b)中出现放电，因此，可以提高处理质量。

公开(公告)号：CN103155116B

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201180046520.0

申请日：2011-09-22

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 功刀俊介 ,  真弓聪

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/24

CPC classification number: H01L21/6708 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/6776

Abstract: 本发明的目的在于将含硅物的蚀刻量的控制简化。在前处理工序中，从前处理喷嘴(42)吹出含有第二氧化性反应成分的处理流体，使其与被处理物(9)接触。接着，在蚀刻处理工序中，在利用移动装置(20)以横穿处理空间(39)内的方式使被处理物(9)移动的同时，将含有氟系反应成分和第一氧化性反应成分的处理气体供给至处理空间(39)，使其与被处理物(9)接触。