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公开(公告)号：CN101508432A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200810005631.7
申请日：2008-02-14
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L51/0003 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/174 , C01B2202/02 , C01B2202/28 , H01L51/002 , H01L51/0048 , H01L51/5215 , Y02E10/549 , Y10T428/30 , Y10T428/31786
Abstract: 本发明提供制造柔性透明导电碳纳米管(CNT)膜的方法，以及由所述方法制备的CNT膜。本发明也涉及使用亚硫酰溴(SOBr2)作为掺杂剂处理CNT膜的方法、具有夹层结构的CNT膜层压体、包括该CNT膜层压体的柔性透明阳极和包括该阳极的有机发光二极管(LED)。与通常的浸渍方法相比，本申请的方法能够快速和完全地除去薄膜过滤器，而不破坏所得到的CNT，这使得得到的CNT膜能够在电致发光或光伏器件中得到更加广泛的应用。
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公开(公告)号：CN101450799A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200710196655.0
申请日：2007-11-29
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 一种制备掺氮碳纳米管的石墨电弧放电方法、掺氮碳纳米管以及使用其的碳纳米管元件。在该制备掺氮碳纳米管的电弧放电方法中，使用包括石墨、催化剂和作为氮源的含氮有机化合物的混合物制备阳极，并且使用该阳极和一阴极进行电弧放电以制备该掺氮碳纳米管。
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公开(公告)号：CN101450797B
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN200710196650.8
申请日：2007-11-29
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01J9/025 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/168 , C01B2202/02 , C01B2202/04 , H01J1/304 , H01J2201/30469 , Y10S977/845 , Y10S977/847
Abstract: 一种处理碳纳米管的方法、碳纳米管以及碳纳米管元件。在该处理碳纳米管的方法中，使用SO3气体在高温例如385～475℃的处理温度下对碳纳米管进行处理。
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公开(公告)号：CN101683976A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200810149298.7
申请日：2008-09-27
Applicant: 索尼株式会社
IPC: C01B31/02
CPC classification number: B82Y40/00 , B82Y30/00 , C01B32/162 , C01B2202/02 , C01B2202/30 , C01B2202/36 , Y10S977/742 , Y10S977/842
Abstract: 本发明公开了碳纳米管及其制备方法以及使用碳纳米管的元件。该制备碳纳米管的方法，包括在催化剂和助催化剂存在下，通过电弧放电法由碳源生产碳纳米管，其中，所述助催化剂包括能降低在催化剂上碳纳米管生长位点的表面能的单质。本发明制备碳纳米管的方法可以制备出纯度非常高并且直径分布窄的碳纳米管。
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公开(公告)号：CN101450798A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200710196652.7
申请日：2007-11-29
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/174 , C01B2202/28 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J2201/30469 , H01J2329/0455
Abstract: 一种处理碳纳米管的方法、由此得到的碳纳米管以及使用该碳纳米管制备的元件。该处理碳纳米管的方法使用含羟基自由基(HO.)的水溶液对碳纳米管进行处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101450797A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200710196650.8
申请日：2007-11-29
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01J9/025 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/168 , C01B2202/02 , C01B2202/04 , H01J1/304 , H01J2201/30469 , Y10S977/845 , Y10S977/847
Abstract: 一种处理碳纳米管的方法、碳纳米管以及碳纳米管元件。在该处理碳纳米管的方法中，使用SO3气体在高温例如385～475℃的处理温度下对碳纳米管进行处理。
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公开(公告)号：CN101746745A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200810178857.7
申请日：2008-12-04
Applicant: 索尼株式会社
IPC: C01B31/02
CPC classification number: B82Y40/00 , B82Y30/00 , C01B32/162 , C01B32/17 , C01B32/174 , C01B2202/02 , C01B2202/28
Abstract: 本申请公开了碳纳米管的制备方法以及纯化方法。本申请还涉及由本申请的方法获得的碳纳米管以及使用这些碳纳米管的元件。该制备碳纳米管的方法，包括(a)在催化剂和任选的助催化剂存在下通过电弧放电法生产碳纳米管，(b)使用能够与催化剂和/或任选的助催化剂中存在的金属元素形成络合物的物质与催化剂和/或任选的助催化剂中存在的金属元素络合，得到络合物，和(c)除去所述络合物。
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公开(公告)号：CN101462713A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200710159924.6
申请日：2007-12-20
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/174 , C01B2202/02 , C01B2202/06 , C01B2202/28 , H01M4/9083 , Y10S977/845
Abstract: 本发明披露一种处理碳纳米管的方法，包括如下的步骤：将碳纳米管分散在分散介质中，制备分散体；将所述分散体与吸附剂混合，以使所述分散体中特定类型或特性的碳纳米管吸附在所述吸附剂上，其中所述吸附剂经化学/生物改性剂改性而对不同类型或特性的碳纳米管具有不同的选择吸附性；以及将吸附剂与分散体分离，由此使得吸附在所述吸附剂上的特定类型或特性的碳纳米管与富集在分散体中其它类型或特性的碳纳米管分离。本发明还披露了经该方法处理的碳纳米管以及碳纳米管器件。
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公开(公告)号：CN101007631A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200610002907.7
申请日：2006-01-27
Applicant: 索尼株式会社
IPC: C01B31/02
Abstract: 提供一种单层碳纳米管的制备方法，该方法是一种可以很容易地制备出结构可控的高品质单层碳纳米管，并且可以制备直径极其小的单层碳纳米管、且直径分布范围可控的单层碳纳米管的方法。使用通过气化乙醇等的醇或醇的水溶液而得到的气体作为反应气体，利用化学气相沉积法，在常压下使单层碳纳米管生长。通过将在化学气相沉积装置的反应部位的外部利用自然蒸发等来气化醇或醇的水溶液而得到的气体导入该反应部位来进行反应。醇的水溶液中醇浓度范围为50％～95％。还提供一种通过该方法制备的单层碳纳米管以及利用该单层碳纳米管制备电子元件的方法。
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公开(公告)号：CN101748380A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200810182994.8
申请日：2008-12-15
Applicant: 索尼株式会社
IPC: C23C16/26 , C23C16/455
CPC classification number: H01M4/926 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B2202/02 , C01B2202/36
Abstract: 本申请涉及制造制备透明导电碳纳米管膜的方法，由所述方法制备的碳纳米管膜，以及包括该碳纳米管膜的碳纳米管元件。与常规通过过滤方法获得的碳纳米管膜相比，使用本申请的方法所获得的碳纳米管膜透明性高并且薄层电阻明显更低。
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