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公开(公告)号：CN107492538B
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN201710431549.X
申请日：2017-06-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/538
Abstract: 本发明公开了一种晶片到晶片接合结构，该晶片到晶片接合结构包括：第一晶片，包括在第一绝缘层中的第一导电焊垫和围绕第一导电焊垫的下表面和侧表面的第一阻挡层；第二晶片，包括在第二绝缘层中的第二导电焊垫和围绕第二导电焊垫的下表面和侧表面的第二阻挡层，第二晶片在反转之后接合到第一晶片使得第二绝缘层接合到第一绝缘层并且第二导电焊垫的上表面的至少一部分部分地或完全地接合到第一导电焊垫的上表面的至少一部分；以及第三阻挡层，在第一晶片和第二晶片之间的在该处第一导电焊垫和第二导电焊垫未彼此接合的部分中。
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公开(公告)号：CN111952276A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010086446.6
申请日：2020-02-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/538 , H01L29/06 , H01L27/088
Abstract: 本公开提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面的半导体层；在第一表面上的有源图案，所述有源图案包括源极/漏极区域；电连接到所述源极/漏极区域的电力轨；以及在所述第二表面上的电力输送网络，所述电力输送网络电连接到所述电力轨。所述半导体层包括蚀刻停止掺杂剂，并且所述蚀刻停止掺杂剂在所述第二表面处具有最大浓度。
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公开(公告)号：CN102456646A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201110339985.7
申请日：2011-10-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/482 , H01L29/78 , H01L21/48 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/10876 , H01L21/743 , H01L21/76254 , H01L21/76283 , H01L21/84 , H01L27/10885 , H01L27/1203 , H01L2924/00013 , H01L2224/13099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599
Abstract: 本发明提供了一种在具有相对低的电阻的埋置布线的同时可解决在制造工艺中产生的问题的基底结构、一种制造该基底结构的方法和一种半导体装置以及一种用于使用该基底结构制造该半导体装置的方法。所述基底结构可以包括：支撑基底；绝缘层，位于所述支撑基底上；线形导电层图案，设置在所述绝缘层中，并沿第一方向延伸；线形半导体图案，设置在所述绝缘层中且设置在所述导电层图案上，沿所述第一方向延伸并具有暴露到所述绝缘层外部的顶表面。
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公开(公告)号：CN118943133A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410201064.1
申请日：2024-02-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/16 , H01L23/48 , H01L23/488 , H01L23/31
Abstract: 示例半导体封装包括：结构；第一半导体芯片，设置在结构的上表面上，并且电连接到结构；虚设半导体芯片，设置在结构的上表面上，并且与结构的上表面接触；模制层，在结构的上表面上围绕第一半导体芯片的侧壁和虚设半导体芯片的侧壁；重分布层，设置在第一半导体芯片的上表面、虚设半导体芯片的上表面、以及模制层的上表面上；第一通孔，沿竖直方向延伸穿过模制层，并且将结构和重分布层电连接；第二通孔，沿竖直方向延伸穿过虚设半导体芯片，并且将结构和重分布层电连接；以及电容器，设置在虚设半导体芯片内部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110931443A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201910835996.0
申请日：2019-09-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L25/18
Abstract: 本公开提供了半导体装置和包括其的半导体封装件。半导体装置包括第一电介质层上的第一缓冲电介质层；按次序布置在第一缓冲电介质层上的第二电介质层和第二缓冲电介质层，第二缓冲电介质层与第一缓冲电介质层接触；以及焊盘互连结构，其穿过第一缓冲电介质层和第二缓冲电介质层，其中焊盘互连结构包括铜和锡。
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公开(公告)号：CN107492538A
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201710431549.X
申请日：2017-06-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/538
CPC classification number: H01L24/94 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/29 , H01L24/80 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L25/0657 , H01L2224/02215 , H01L2224/0345 , H01L2224/0346 , H01L2224/03616 , H01L2224/04105 , H01L2224/05007 , H01L2224/05026 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05546 , H01L2224/05547 , H01L2224/05556 , H01L2224/05559 , H01L2224/05562 , H01L2224/05571 , H01L2224/05573 , H01L2224/05647 , H01L2224/08121 , H01L2224/08147 , H01L2224/08501 , H01L2224/29187 , H01L2224/29188 , H01L2224/80013 , H01L2224/80097 , H01L2224/8012 , H01L2224/8082 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/8312 , H01L2224/83896 , H01L2224/9211 , H01L2224/94 , H01L2225/06527 , H01L2924/0537 , H01L2924/05432 , H01L2924/05442 , H01L2924/0549 , H01L2924/365 , H01L2224/80 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/01025 , H01L2924/013 , H01L2924/01013 , H01L23/5386
Abstract: 本发明公开了一种晶片到晶片接合结构，该晶片到晶片接合结构包括：第一晶片，包括在第一绝缘层中的第一导电焊垫和围绕第一导电焊垫的下表面和侧表面的第一阻挡层；第二晶片，包括在第二绝缘层中的第二导电焊垫和围绕第二导电焊垫的下表面和侧表面的第二阻挡层，第二晶片在反转之后接合到第一晶片使得第二绝缘层接合到第一绝缘层并且第二导电焊垫的上表面的至少一部分部分地或完全地接合到第一导电焊垫的上表面的至少一部分；以及第三阻挡层，在第一晶片和第二晶片之间的在该处第一导电焊垫和第二导电焊垫未彼此接合的部分中。
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公开(公告)号：CN102299136B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201110154632.X
申请日：2011-06-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L21/768
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L23/481 , H01L23/528 , H01L2224/16146 , H01L2225/06541 , H01L2924/01327 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括通路结构和导电结构。通路结构具有一表面，该表面具有平坦部分和突起部分。导电结构形成在通路结构的平坦部分的至少一部分上且不形成在通路结构的突起部分的至少一部分上。例如，导电结构仅形成在平坦部分上而不形成在突起部分的任何部分上，以形成导电结构与通路结构之间的高质量连接。
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公开(公告)号：CN103258787A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310052685.X
申请日：2013-02-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/768 , H01L21/02271 , H01L21/6836 , H01L21/76898 , H01L23/3192 , H01L23/481 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L25/0657 , H01L2221/68372 , H01L2224/02372 , H01L2224/0401 , H01L2224/05009 , H01L2224/05027 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/05568 , H01L2224/0557 , H01L2224/05571 , H01L2224/06181 , H01L2224/13006 , H01L2224/13009 , H01L2224/13022 , H01L2224/13023 , H01L2224/13025 , H01L2224/13076 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/14181 , H01L2224/16146 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06548 , H01L2225/06565 , H01L2924/00014 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种制造半导体装置的方法。在一个实施例中，所述方法包括在基层中形成导电孔结构。所述基层具有第一表面和第二表面，第二表面与第一表面相对。所述方法还包括：去除所述基层的第二表面，以暴露导电孔结构，从而导电孔结构从第二表面突出；在第二表面上方形成第一下绝缘层，使得导电孔结构的端部表面保持为被第一下绝缘层暴露。
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公开(公告)号：CN103247600A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310042094.4
申请日：2013-02-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/481 , H01L21/76898 , H01L23/525 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L2224/02372 , H01L2224/0401 , H01L2224/05 , H01L2224/05024 , H01L2224/05027 , H01L2224/05568 , H01L2224/06181 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/16145 , H01L2924/00014 , H01L2924/13091 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明提供了通孔连接结构、具有该结构的半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：下层；在所述下层的第一侧上的绝缘层；在所述绝缘层中的互连结构；在所述下层中的通孔结构。该通孔结构突出至所述绝缘层和所述互连结构内。
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