氮化物单晶生长方法及应用

    公开(公告)号:CN100352002C

    公开(公告)日:2007-11-28

    申请号:CN200410104180.4

    申请日:2004-12-30

    CPC classification number: C30B25/02 C30B25/18 C30B29/403 C30B29/406

    Abstract: 本发明披露了一种生长氮化物单晶层的方法、以及利用该方法制造发光装置的方法。生长氮化物单晶层的方法包括以下步骤:制备具有晶面(111)的上表面的硅基片;在硅基片的上表面形成具有化学式SixGe1-x的缓冲层(其中0<x≤1);以及在缓冲层上形成氮化物单晶。此外,本发明还披露了一种通过该方法制造的利用该方法的氮化物发光装置、以及制造该氮化物发光装置的方法。

    白光发射装置以及使用该白光发射装置的白光源模块

    公开(公告)号:CN101840987A

    公开(公告)日:2010-09-22

    申请号:CN201010180341.3

    申请日:2008-03-25

    Abstract: 本发明提供了一种白光发射装置以及使用该白光发射装置的白光源模块。该白光发射装置包括:具有443至455nm的主波长的蓝色发光二极管芯片;设置在蓝色发光二极管芯片周围的红色磷光体,该红色磷光体由蓝色发光二极管芯片激发以发射红光;以及设置在蓝色发光二极管芯片周围的绿色磷光体,该绿色磷光体由蓝色发光二极管芯片激发以发射绿光,其中由红色磷光体发射的红光具有的色坐标落在由基于CIE 1931色度图的四个坐标点(0.5448,0.4544)、(0.7079,0.2920)、(0.6427,0.2905)和(0.4794,0.4633)所限定的空间内,以及由绿色磷光体发射的绿光具有的色坐标落在由基于CIE 1931色度图的四个坐标点(0.1270,0.8037)、(0.4117,0.5861)、(0.4197,0.5316)和(0.2555,0.5030)所限定的空间内。

    基于氮化物的半导体发光二极管

    公开(公告)号:CN101051662B

    公开(公告)日:2010-04-07

    申请号:CN200710004902.2

    申请日:2007-02-07

    CPC classification number: H01L33/38 H01L33/20 H01L33/32

    Abstract: 一种基于氮化物的半导体LED,包括:衬底;n型氮化物半导体层,形成在衬底上;有源层,形成在n型氮化物半导体层的预定区域上;p型氮化物半导体层,形成在有源层上;透明电极,形成在p型氮化物半导体层上;p型电极焊盘,形成在透明电极上;一对p型连接电极,形成为从p型电极焊盘延伸的线形,以便相对于邻近p型电极焊盘的透明电极的一侧具有小于90°的倾角;一对P电极,从p型连接电极的两端沿n型电极焊盘的方向延伸,p电极平行于相邻的透明电极的一侧形成;以及n型电极焊盘,形成在n型氮化物半导体层上,在其上并不形成有源层,使得n型电极焊盘面向p型电极焊盘。

    白光发射装置以及使用该白光发射装置的白光源模块

    公开(公告)号:CN101546797A

    公开(公告)日:2009-09-30

    申请号:CN200810084540.7

    申请日:2008-03-25

    Abstract: 一种白光发射装置以及使用该白光发射装置的白光源模块。该白光发射装置包括:具有443至455nm的主波长的蓝色发光二极管芯片;设置在蓝色发光二极管芯片周围的红色磷光体,该红色磷光体由蓝色发光二极管芯片激发以发射红光;以及设置在蓝色发光二极管芯片周围的绿色磷光体,该绿色磷光体由蓝色发光二极管芯片激发以发射绿光,其中由红色磷光体发射的红光具有的色坐标落在由基于CIE 1931色度图的四个坐标点(0.5448,0.4544)、(0.7079,0.2920)、(0.6427,0.2905)和(0.4794,0.4633)所限定的空间内,以及由绿色磷光体发射的绿光具有的色坐标落在由基于CIE 1931色度图的四个坐标点(0.1270,0.8037)、(0.4117,0.5861)、(0.4197,0.5316)和(0.2555,0.5030)所限定的空间内。

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