公开(公告)号：CN107833921B

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN201710665659.2

申请日：2017-08-07

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 黑川雄斗 ,  山下侑佑 ,  浦上泰

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/36 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及开关器件和制造开关器件的方法。开关器件包括半导体衬底；第一沟槽和第二沟槽；栅极绝缘层；和栅极电极。半导体衬底包括在延伸到第一沟槽和第二沟槽的底表面的区域中布置的第一导电类型的第一半导体区、第二导电类型的本体区、第一导电类型的第二半导体区、第二导电类型的第一底部半导体区和第二底部半导体区，以及从第一沟槽在从本体区的下端的深度到第一沟槽和第二沟槽的底表面的深度的深度范围内延伸以到达第二沟槽的第二导电类型的连接半导体区，所述连接半导体区接触所述第二半导体区，并且被连接到所述本体区以及所述第一底部半导体区和所述第二底部半导体区。

公开(公告)号：CN109844954A

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201780062414.9

申请日：2017-09-26

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 金原启道 ,  山下侑佑 ,  浦上泰

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L21/04

Abstract: 一种半导体器件(10)，包括：半导体衬底(12)，所述半导体衬底(12)包括元件区域(20)和外周耐压区域(22)。所述外周耐压区域包括按照多种方式围住所述元件区域(20)的多个p型保护环(40)。所述保护环(40)中的每个保护环(40)包括高浓度区域(42)和低浓度区域(44)。最外侧保护环的低浓度区域包括位于所述最外侧保护环的高浓度区域的外周侧的第一部分(51x)。所述保护环的各个低浓度区域包括分别位于夹在多个高浓度区域中对应的两个相邻高浓度区域之间的范围内的各个第二部分(52)。所述第一部分在前表面上的宽度比所述第二部分在所述前表面上的宽度宽。

公开(公告)号：CN105702718B

公开(公告)日：2018-10-30

申请号：CN201510918997.3

申请日：2015-12-10

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 平林康弘 ,  细川博司 ,  安田佳史 ,  添野明高 ,  妹尾贤 ,  町田悟 ,  山下侑佑

IPC: H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095

Abstract: 本发明提供一种对两步式导通现象的产生进行抑制的反向导通绝缘栅双极性晶体管。反向导通绝缘栅双极性晶体管(1)的半导体层(10)具备n型的势垒区(18)，所述势垒区(18)被设置在体区(15)内，并且通过从半导体层(10)的表面(10B)延伸的柱区(19)而与发射极(24)电连接。势垒区(18)具有第一势垒部分区域(18a)及第二势垒部分区域(18b)，其中，所述第一势垒部分区域(18a)到漂移区(14)的距离为第一距离(18Da)，所述第二势垒部分区域(18b)到漂移区(14)的距离为与第一距离(18Da)相比较长的第二距离(18Db)。第二势垒部分区域(18b)与绝缘沟槽栅部(30)的侧面相接。

公开(公告)号：CN105556668B

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201380079133.6

申请日：2013-08-26

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 斋藤顺 ,  町田悟 ,  山下侑佑

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种能够对二极管区域中的电压变动进行抑制的技术。半导体装置(102)作为二极管而进行工作时的发射极(148)与下部体区(166)之间的电阻值小于阳极电极(148)与下部阳极区(168)之间的电阻值。此外，发射极(148)与第二势垒区(116)之间的空穴的量少于阳极电极(148)与第一势垒区(122)之间的空穴的量。

公开(公告)号：CN105556668A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201380079133.6

申请日：2013-08-26

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 斋藤顺 ,  町田悟 ,  山下侑佑

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种能够对二极管区域中的电压变动进行抑制的技术。半导体装置(102)作为二极管而进行工作时的发射极(148)与下部体区(166)之间的电阻值小于阳极电极(148)与下部阳极区(168)之间的电阻值。此外，发射极(148)与第二势垒区(116)之间的空穴的量少于阳极电极(148)与第一势垒区(122)之间的空穴的量。

公开(公告)号：CN110073497B

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN201780076727.X

申请日：2017-11-28

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 三宅裕树 ,  浦上泰 ,  山下侑佑

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体装置，其具有半导体衬底、设置在半导体衬底的前表面中的第一沟槽、设置在第一沟槽内部的阳极电极、以及设置在半导体衬底的背表面上的阴极电极。所述半导体衬底具有第一p型区域、第二p型区域和与第一p型区域和第二p型区域接触的主n型区域，并且与第一沟槽的侧表面中的阳极电极形成肖特基接触。半导体衬底满足下述关系，即，当在平面图中观察前表面时，第一沟槽的面积小于主n型区域与在第一沟槽的侧表面中的阳极电极相接触的肖特基界面的面积。

公开(公告)号：CN109417089A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201780041585.3

申请日：2017-06-29

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 竹内有一 ,  箕谷周平 ,  铃木克己 ,  山下侑佑

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

Abstract: 与相邻的p型保护环(21)彼此的间隔对应地设定p型保护环(21)的宽度，使得p型保护环(21)彼此的间隔越大则宽度越大。另外，使框状部(32)的宽度基本上与p型深层(5)的宽度相等，并使框状部(32)彼此的间隔与p型深层(5)彼此的间隔相等。由此，能够在单元部、连接部以及保护环部减小每单位面积的沟槽(5a、21a、30a)的形成面积的差。因此，在形成p型层(50)时，进入每单位面积的沟槽(5a、21a、30a)内的p型层(50)的量的差也变小，能够使p型层(50)的厚度均匀化。

公开(公告)号：CN106206573B

公开(公告)日：2019-02-01

申请号：CN201610363603.7

申请日：2016-05-26

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 妹尾贤 ,  添野明高 ,  平林康弘 ,  久野敬史 ,  山下侑佑 ,  町田悟

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L27/0664 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/36 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明提供一种半导体装置。在对半导体基板进行俯视观察时，存在如下范围，即，柱区露出于半导体基板的表面的柱露出范围、柱区与阳极接触区的深部侧相接的柱接触范围、阳极区与阳极接触区的深部侧相接的阳极接触范围。在柱接触范围与阳极接触范围所并排的方向上的柱接触范围的宽度与阳极接触范围的宽度相比而较窄。

公开(公告)号：CN108364861A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201810027050.7

申请日：2018-01-11

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 冈田将和 ,  浦上泰 ,  山下侑佑

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/266 ,  H01L21/336 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/0634 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

Abstract: 本发明涉及制造半导体装置的方法。制造半导体装置的方法包括：在半导体基板的表面上形成沟道；在沟道的侧表面和底表面上形成氧化膜；从沟道的底表面通过干蚀刻除去氧化膜的至少一部分；以及在干蚀刻之后，通过沟道的底表面将导电杂质离子注入到半导体基板中。干蚀刻是反应离子蚀刻，在所述反应离子蚀刻中，使用蚀刻气体，所述蚀刻气体包括具有碳原子环结构的碳氟化合物基气体、氧气和氩气。

公开(公告)号：CN103890955B

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201280035577.5

申请日：2012-07-27

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 山下侑佑 ,  町田悟 ,  杉山隆英 ,  斋藤顺

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/08

Abstract: 公开了一种能够在二极管导通时降低损耗的技术。在本说明书中公开的二极管包括阴极电极、由第一导电型半导体制成的阴极区域、由低浓度的第一导电型半导体制成的漂移区、由第二导电型半导体制成的阳极区域、由金属制成的阳极电极、形成于漂移区和阳极区域之间且由浓度比漂移区的浓度更高的第一导电型半导体制成的势垒区域以及形成为将势垒区域连接至阳极电极且由浓度比势垒区域的浓度更高的第一导电型半导体制成的柱区域。柱区域和阳极通过肖特基结相连接。