公开(公告)号：CN101114646A

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：CN200710111845.8

申请日：2007-06-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 佐藤好弘 ,  小川久

IPC: H01L27/04 ,  H01L23/522 ,  H01L29/40 ,  H01L21/822 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/823481 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/823475 ,  H01L29/66545 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，特别是关于栅极电极被全硅化的半导体装置及其制造方法。本发明的目的在于：在具有全硅化栅极电极的半导体装置的制造方法中，可避免受到活性区域和元件隔离区域之间高度差异的影响，并能以高精度使分别在活性区域上和元件隔离区域上形成的栅极电极形成膜及栅极布线形成膜露出。以覆盖在形成有围绕活性区域(11)的元件隔离区域(12)的半导体衬底(10)上形成的保护膜(15a)及保护膜(15b)的形态，形成基层保护膜(19)和层间绝缘膜(20)后，利用化学机械研磨(CMP)法，研磨去除层间绝缘膜(20)、基层保护膜(19)及保护膜(15b)，直至保护膜(15a)的上表面露出为止。

公开(公告)号：CN1956195A

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN200610132140.X

申请日：2006-10-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小川久 ,  粉谷直树 ,  赤松晋 ,  工藤千秋

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/49 ,  H01L21/822 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L27/0251 ,  H01L28/20

Abstract: 一种半导体装置，其具备金属绝缘体半导体晶体管，该金属绝缘体半导体晶体管具有FUSI栅电极和多晶硅电阻体，其中多晶硅电阻体中设置在接触形成区域的部分与栅电极或杂质扩散区域同时被硅化物化。由此，提供一种具备FUSI电极和多晶硅电阻体且能够简便地制造的半导体装置及其制造方法。

公开(公告)号：CN1956186A

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN200610132131.0

申请日：2006-10-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 佐藤好弘 ,  小川久

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/823425 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/823443 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823475

Abstract: 提供一种栅电极的布线电阻小、且栅电极和共用接触插头的接触电阻小的半导体装置。半导体装置具备：形成在半导体衬底(10)上且被完全转化成硅化物的第1栅布线(19A)；形成在第1栅布线(19A)的侧面上的第1侧壁(21A)；和形成在活性区域(12)的杂质扩散层(14B)。在形成于半导体衬底(10)上的层间绝缘膜(35)形成有与第1栅布线(19A)及杂质扩散层(14B)连接的共用接触插头(24)。第1栅布线(19A)在与共用接触插头(24)连接的部分具有从第1侧壁(21A)突出的突出部(20A)。

公开(公告)号：CN1284243C

公开(公告)日：2006-11-08

申请号：CN03800231.0

申请日：2003-02-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小川久 ,  宫永绩 ,  江利口浩二 ,  山田隆顺 ,  糸长总一郎 ,  森义弘

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L27/10882 ,  H01L27/10829 ,  H01L27/10894 ,  Y10S257/905 ,  Y10S257/908

Abstract: 本发明提供一种以简易工序可实现希望电容的DRAM的半导体器件及其制造方法。在存储器区域设有存储单元晶体管和沟渠型电容器，在逻辑电路区域设有CMOS的各晶体管。设有位线接点(31)和延伸于层间绝缘膜(30)上的位线(31)。在存储单元晶体管，源极扩散层(18)为两个绝缘膜侧壁(25a、25b)所覆盖，硅化物层未形成于源极扩散层(18)上。此外，设有贯通层间绝缘膜(30)而连接屏蔽线(33)和板形电极(16b)的板形电极接点(31)，此屏蔽线(33)设于和位线(32)相同布线层。

公开(公告)号：CN1507658A

公开(公告)日：2004-06-23

申请号：CN03800231.0

申请日：2003-02-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小川久 ,  宫永绩 ,  江利口浩二 ,  山田隆顺 ,  糸长总一郎 ,  森义弘

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L27/10882 ,  H01L27/10829 ,  H01L27/10894 ,  Y10S257/905 ,  Y10S257/908

Abstract: 本发明提供一种以简易工序可实现希望电容的DRAM的半导体器件及其制造方法。在存储器区域设有存储单元晶体管和沟渠型电容器，在逻辑电路区域设有CMOS的各晶体管。设有位线接点(31)和延伸于层间绝缘膜(30)上的位线(31)。在存储单元晶体管，源极扩散层(18)为两个绝缘膜侧壁(25a、25b)所覆盖，硅化物层未形成于源极扩散层(18)上。此外，设有贯通层间绝缘膜(30)而连接屏蔽线(33)和板形电极(16b)的板形电极接点(31)，此屏蔽线(33)设于和位线(32)相同布线层。

公开(公告)号：CN1498424A

公开(公告)日：2004-05-19

申请号：CN03800148.9

申请日：2003-02-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小川久 ,  中冈弘明 ,  柁谷敦宏 ,  桥本伸 ,  江头恭子

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L27/10852 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/105 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/10897

Abstract: 本发明提供一种以简易工序可实现希望电容的DRAM的半导体器件及其制造方法。在存储器区域设有存储单元晶体管和平板型电容器，在逻辑电路区域设有CMOS的各晶体管。平板型电容器的电容绝缘膜(15)及板形电极(16b)遍及和浅沟渠分离(12a)共有的沟渠设置，用电容绝缘膜(15)及板形电极(16b)填于沟渠上部。为储存节点的n型扩散层(19)的端部沿着沟渠上部的侧面形成到和浅沟渠分离(12a)重叠的区域。不增加衬底面积而使起作用作为电容器的部分的面积增大。