公开(公告)号：CN102105985A

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200980127511.7

申请日：2009-07-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 斋藤繁 ,  田中圭介 ,  岁清公明 ,  广濑裕 ,  石井基范

IPC: H01L27/14 ,  G02B3/08 ,  G02B5/20

CPC classification number: G02B3/0056 ,  G02B3/0087 ,  G02B3/08 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14685

Abstract: 一种固体摄像元件，在斜向入射时，减低因向波导路内入射的光的角度增加导致的聚光损失及混色增加，在灵敏度提高方面具备有效的结构，其特征为，具备：Si基板(6)；多个单位像素，配置于Si基板(6)上；布线层(4)，形成于多个单位像素上；光波导区域(401)，形成于单位像素中包含的光电变换区域上，并且穿透布线层(4)；以及聚光元件(501)，形成于光波导区域(401)上；聚光元件(501)是具有有效折射率分布的折射率分布型微透镜。

公开(公告)号：CN100539196C

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200510080752.4

申请日：2005-06-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 引田正洋 ,  上野弘明 ,  广濑裕 ,  柳原学 ,  上本康裕 ,  田中毅

IPC: H01L29/812 ,  H01L21/338

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/4175

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。在本发明的构造中，第1源极电极(106)通过通孔(112)连接在导电性衬底(101)上，此外，还形成有第2源极电极(110)。由此，即便是在栅极电极(108)与漏极电极(107)之间施加高的反向电压，也可以效果良好地分散或缓和易于在栅极电极(108)中接近漏极电极(107)的一侧的端部产生的电场集中，故耐压增高。此外，由于作为形成元件形成层的衬底使用了导电性衬底，故在导电性衬底(101)上不需要设置贯穿到背面的通孔。因此，可以保持导电性衬底(101)所需要的强度不变地把第1源极电极(106)与背面电极(115)电连接起来。由此，实现耐压优良、强度高的由III-V族氮化物半导体构成的半导体器件。

公开(公告)号：CN1750273A

公开(公告)日：2006-03-22

申请号：CN200510080752.4

申请日：2005-06-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 引田正洋 ,  上野弘明 ,  广濑裕 ,  柳原学 ,  上本康裕 ,  田中毅

IPC: H01L29/812 ,  H01L21/338

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/4175

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。在本发明的构造中，第1源极电极(106)通过通孔(112)连接在导电性衬底(101)上，此外，还形成有第2源极电极(110)。由此，即便是在栅极电极(108)与漏极电极(107)之间施加高的反向电压，也可以效果良好地分散或缓和易于在栅极电极(108)中接近漏极电极(107)的一侧的端部产生的电场集中，故耐压增高。此外，由于作为形成元件形成层的衬底使用了导电性衬底，故在导电性衬底(101)上不需要设置贯穿到背面的通孔。因此，可以保持导电性衬底(101)所需要的强度不变地把第1源极电极(106)与背面电极(115)电连接起来。由此，实现耐压优良、强度高的由III－V族氮化物半导体构成的半导体器件。

公开(公告)号：CN1638149A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200410103700.X

申请日：2004-12-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 村田智洋 ,  广濑裕 ,  田中毅 ,  上本康裕

IPC: H01L29/812 ,  H01L29/41 ,  H01L21/338

CPC classification number: H01L29/66871 ,  H01L21/28 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/8128

Abstract: 在使用III～V族氮化物半导体的半导体装置中，可以确实抑制由III～V族氮化物半导体的上表面的空穴引起的频率分散。在衬底11上顺次形成了由氮化铝(AlN)形成的缓冲层12，由不掺杂的氮化镓(GaN)形成的沟道层13及由氮化镓铝(AlGaN)形成的载流子供给层14，在载流子供给层14的上部设置了断面V字形状的凹陷部分14b。在载流子供给层14上，设置填充凹陷部分14b形式的栅极电极15的同时，在栅极电极15的侧方以一定的间隔设置源极电极16及漏极电极17。

公开(公告)号：CN103703759A

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201280037094.9

申请日：2012-07-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森三佳 ,  坂田祐辅 ,  广濑裕 ,  宫川良平 ,  土井博之 ,  筒井将史

IPC: H04N5/357 ,  H04N5/359 ,  H04N5/3745

CPC classification number: H04N5/3742 ,  H04N5/3575 ,  H04N5/363 ,  H04N5/374 ,  H04N5/3745

Abstract: 本发明具备：外延层（2）；多个像素电极（11）；被形成在多个像素电极上，将光转换成电信号的光电转换膜（12）；被形成在光电转换膜（12）上的透明电极（13）；以与多个像素电极（11）分别对应的方式被形成在外延层（2）内，并与对应的像素电极（11）电连接，对通过光电转换而在光电转换膜（12）生成的电荷进行蓄积的n型电荷蓄积区域（14）；以与电荷蓄积区域（14）的底部分别接触的方式被形成在外延层（2）内的p型电荷势垒区域（21）；以与电荷势垒区域（21）的底部分别接触的方式被形成在外延层（2）内的n型电荷排出区域（22）。

公开(公告)号：CN103404124A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201280010614.7

申请日：2012-02-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 广濑裕 ,  宫川良平 ,  上田哲也 ,  加藤刚久

IPC: H04N5/369 ,  H01L27/146 ,  H04N5/357 ,  H04N5/374

CPC classification number: H01L27/14638 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14667

Abstract: 本发明涉及的固体摄像装置(101)具备：基板(318)；多个下部电极(311)，以分别电分离的方式，呈矩阵状被配置在基板(318)的上方；极薄绝缘膜(310)，完全覆盖多个下部电极(311)，且被平坦化；光电转换膜(308)，被形成在极薄绝缘膜(310)的上方，将光转换为信号电荷；上部电极(307)，被形成在光电转换膜(308)的上方；以及信号读出电路(220)，被形成在基板(318)上，通过检测在多个下部电极(311)的每一个中发生的电流或电压的变化，从而生成与信号电荷对应的读出信号，极薄绝缘膜(310)能够传导电子以及空穴的至少一方。

公开(公告)号：CN102893400A

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN201180023800.X

申请日：2011-02-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森三佳 ,  冲野彻 ,  石井基范 ,  斋藤繁 ,  大竹悠介 ,  藤原一夫 ,  岛田恭博 ,  广濑裕

IPC: H01L27/14 ,  H01L27/146 ,  H04N5/374

CPC classification number: H01L31/02325 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14687 ,  H01L31/18

Abstract: 一种固体摄像装置（10），多个像素被排列成二维状，该固体摄像装置具备硅层（101）；多个光电二极管（111），在硅层（101）内与多个像素对应地形成，通过将入射的光进行光电变换而生成信号电荷；以及多个滤色器（122a～122c），在硅层（101）的上方与多个像素对应地形成；多个滤色器（122a～122c）分别在作为相邻的滤色器之间的区域、并且是硅层（101）侧的区域的区域中，形成有折射率比滤色器（122a～122c）低的凸部（121），多个滤色器（122a～122c）分别在凸部（121）的上方与相邻的滤色器接触。

公开(公告)号：CN100440542C

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200410044704.5

申请日：2004-05-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 村田智洋 ,  广濑裕 ,  池田义人 ,  田中毅 ,  井上薰 ,  上田大助 ,  上本康裕

IPC: H01L29/812 ,  H01L21/338 ,  H01L33/00 ,  H01S5/30

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/41766

Abstract: 一种半导体装置，由III-V族氮化物半导体构成并具有通孔结构，包括：在导电性基板(11)上形成的由高阻抗AlxGa1-xN构成的缓冲层(12)；在该缓冲层(12)上形成的具有沟道层的由非掺杂GaN和N型AlyGa1-yN构成的元件形成层(14)；在元件形成(14)上选择形成的源电极(16)、漏电极(17)和栅电极(15)。源电极(16)通过填充于在缓冲层(12)和元件形成层(14)上设置的贯通孔(12a)而与导电性基板(11)电连接。这样，通过在防止基板和半导体层之间产生漏泄电流的同时使通孔的形成变得容易而获得高频特性、高输出特性和大功率特性。