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公开(公告)号：CN111052153A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201880057223.8
申请日：2018-08-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 将在神经网络运算中使用的耦合权重系数保存到存储器阵列(20)中，由字线驱动电路(24)驱动与神经网络的输入数据对应的字线(22)，由列选择电路(25)将连接有作为运算对象的耦合权重系数的位线连接到运算电路(26)，在运算电路(26)中判定流过位线(23)的单元电流的总和。将运算电路(26)的判定结果保存到输出保持电路(27)中，作为下一层的神经网络的输入而向字线驱动电路(24)设定。控制电路(29)基于保持在网络构成信息保持电路(28)中的信息，对字线驱动电路(24)及列选择电路(25)指示在神经网络运算中使用的字线(22)及位线(23)的选择。
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公开(公告)号：CN103339680B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201280006506.2
申请日：2012-01-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 河野和幸
IPC: G11C13/00
Abstract: 字线(WL1～WLm)分别与存储单元(MC11～MCmn)的存储单元行相对应。位线(BL1～BLn)及源极线(SL1～SLn)分别与存储单元(MC11～MCmn)的存储单元列相对应。第一开关元件(DB1～DBn)对被施加基准电压(VSS)的基准节点与位线(BL1～BLn)之间的连接状态和非连接状态进行切换，第二开关元件(DS1～DSn)对该基准节点与源极线(SL1～SLn)之间的连接状态和非连接状态进行切换，第三开关元件(CB1～CBn)对供给重写电压(Vwrite)的写驱动器(16)与位线(BL1～BLn)之间的连接状态和非连接状态进行切换，第四开关元件(CS1～CSn)对该写驱动器(16)与源极线(SL1～SLn)之间的连接状态和非连接状态进行切换。
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公开(公告)号：CN111542882A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN201880083668.3
申请日：2018-12-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C13/00 , G11C11/16 , H01L21/8239 , H01L27/105
Abstract: 电阻变化型非易失性存储装置具备：具有多个存储单元(10)的存储单元阵列、进行向存储单元(10)的写入的写入电路、以及控制电路。存储单元(10)具有：电阻变化型的非易失性的存储元件(12)、以及与其串联连接的单元晶体管(14)。写入电路具有：与单元晶体管(14)连接的源极线驱动电路(20)、以及与存储元件(12)连接的位线驱动电路(40)。控制电路在进行使存储元件(12)成为低电阻状态的写入动作的情况下，进行将第1电流值的电流流到存储元件(12)的控制，在此之后，进行将第2电流值的电流流到存储元件(12)的控制。第2电流值比存储元件(12)向低电阻状态的变化开始后的存储元件(12)的电流的过冲的最大值大。
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公开(公告)号：CN104145308A
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201380011703.8
申请日：2013-02-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 非易失性半导体存储装置具备：将多个存储单元(MC)配置为矩阵状而成的存储单元阵列(12)；基准位线(RBL)；基准源极线(RSL)；包含在这些布线之间串联连接的第1以及第2晶体管(TR1，TR2)的至少1个基准单元(RC)；与第1晶体管(TR1)的栅极连接的基准字线(RWL)；和对第2晶体管(TR2)的栅极电压进行控制的基准驱动器电路(20)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103548086A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201280024658.5
申请日：2012-05-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C13/00 , H01L27/105
CPC classification number: G11C13/0002 , G11C13/0028 , G11C13/0069 , G11C2013/0071 , G11C2213/82 , H01L27/0207 , H01L27/101
Abstract: 存储单元阵列(40)包括与多个存储单元(MC)内的单元晶体管(CT)的栅极相连接的多条字线(WL)、多条第一控制线(BL)、多条第二控制线(SL)以及根据第一信号将第一控制线(BL)全部一起接地的第一接地电路(42)。第一接地电路(42)包括多个分别对应于第一控制线(BL)而设且汲极与该第一控制线(BL)相连接的第一晶体管(BT)、将其源极共同接地的第一接地布线(GD1)以及将第一信号供给该栅极的第一信号布线(BC)。
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公开(公告)号：CN100573399C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200510125446.8
申请日：2005-11-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G05F1/56
CPC classification number: G05F1/56
Abstract: 一种调节器电路包括：检测电路，用于根据输出电压输出反馈电压；参考电压输入部件；反馈电压输入部件；运算放大电路，用于比较参考电压和反馈电压，并且输出电压作为比较结果；输出电路，用于根据运算放大电路的输出而提供输出电压；连接/断开电路，用于将检测电路的输出端与反馈电压输入部件连接或断开；以及电压设定电路，用于为反馈电压输入部件设置预定电压。在待命状态下，连接/断开电路将检测电路的输出端与反馈电压输入部件断开，以及电压设定电路为反馈电压输入部件设置预定电压。
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公开(公告)号：CN101123115A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200710135729.X
申请日：2007-08-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 河野和幸
IPC: G11C16/04
CPC classification number: G11C7/14 , G11C7/12 , G11C7/18 , G11C16/28 , G11C2207/002 , G11C2207/2254
Abstract: 本发明提供了一种可以正确地读出数据的半导体存储装置。主位线MBL1和主位线RMBL1的寄生电容分别等于Cmbl。而且，副位线DBL01和副位线DBL1n的寄生电容分别等于Cdbl256，副位线RDBL1和副位线DBL21的寄生电容分别等于Cdbl32。当读出存储单元MC的数据时，选择线驱动电路(50)选择选择线SEL00、SEL01以及选择线RSEL0、RSEL1之外，还选择选择线RDSEL11以及选择线SEL21。据此，与读出放大器(20)相连的主位线MBL1和RMBL1的合成寄生电容分别等于Cmbl+Cdbl256+Cdbl32。
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公开(公告)号：CN1992082A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200610171285.0
申请日：2006-12-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 河野和幸
CPC classification number: G11C16/0483 , G11C11/5628 , G11C11/5642 , G11C16/10 , G11C16/3459 , G11C2211/5621
Abstract: 根据本发明的非易失性半导体存储器包括：存储单元阵列，包括用于存储多个页面上的数据的多值存储单元；数据处理电路，用于执行用于从存储单元阵列读取数据的读取操作和用于以页面为单元向存储单元阵列写入数据的编程操作；以及控制电路，用于控制数据处理电路的操作，该控制电路根据执行编程操作的页面顺序，通过多值存储单元的阈值电压沿正向转换来执行编程操作的方式，来改变与多值存储单元的阈值电压分布对应的数据分配。
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公开(公告)号：CN1988041A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200610170025.1
申请日：2006-12-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C16/0491 , G11C16/28
Abstract: 现有的虚地方式的存储装置中，在存储单元(参考单元)中获得差动式的读出判定操作中成为基准的特性时，由于通过与参考单元邻接的单元的漏泄电流在过程中产生偏差，所以难以实现稳定的读出。本发明公开了一种非挥发性半导体存储装置，对与参考单元邻接的存储单元，设置位线电位选择装置，用于对电荷累积侧的位线施加写入电位，对另一侧的位线施加接地电位。利用该结构对邻接单元进行写入操作，由于从参考单元到邻接单元的漏泄电流消失，因此能够将参考单元的原有特性作为基准侧特性，反映到读出操作中，能够实现稳定的读出。
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