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公开(公告)号:CN1550573A
公开(公告)日:2004-12-01
申请号:CN200410044707.9
申请日:2004-05-17
CPC classification number: C22C5/06 , C23C14/3414
Abstract: 一种Ag-Bi基合金溅射靶以及该溅射靶的制备方法,其特征在于,溅射靶的析出Bi强度为0.01原子%-1或以下,其是根据下式,基于X-射线衍射的分析结果计算出来的。析出Bi强度=[IBi(102)/(IAg(111)+IAg(200)+IAg(220)+IAg(311))]/[Bi]该溅射靶的Bi固溶于Ag中。根据本发明,在使用该溅射靶形成薄膜时,可以抑制其薄膜之中Bi含量相对于溅射靶Bi含量的显著降低。
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公开(公告)号:CN107636194A
公开(公告)日:2018-01-26
申请号:CN201680031260.2
申请日:2016-05-02
Applicant: 株式会社钢臂功科研
IPC: C23C14/34 , H01L21/203
CPC classification number: C23C14/34 , H01L21/203
Abstract: 本发明为一种溅射靶材组装体,其含有多个载置部,所述多个载置部是配置于底板上,且彼此空开间隔而配置,在各载置部上经由接合材料而配置有一个以上的溅射靶材构件,并且在相邻的所述载置部之间的间隙部中具有Ni基材料的涂层。
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公开(公告)号:CN103154308A
公开(公告)日:2013-06-12
申请号:CN201180048311.X
申请日:2011-10-05
CPC classification number: C23C14/3414 , B22F3/115 , B22F3/15 , B22F3/24 , C22C1/0416 , C22C21/00 , C22F1/04 , C23C16/45504 , C23C16/4585 , C23C16/4586
Abstract: 本发明提供使用了溅射钯时的成膜速度(溅射速率)被提高、理想的是能够防止飞溅的发生的Al基合金溅射钯。本发明的Al基合金溅射钯含有Ta。优选的是含有Al及Ta的Al-Ta系金属间化合物的平均粒子直径为0.005μm以上且1.0μm以下,且Al-Ta系金属间化合物的平均粒子间距离满足0.01μm以上且10.0μm以下。
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公开(公告)号:CN101691657B
公开(公告)日:2012-07-25
申请号:CN200910132939.2
申请日:2009-03-31
CPC classification number: C23C14/3414 , C22C21/00 , C22F1/04
Abstract: 本发明提供一种能减少溅射靶在使用初始阶段产生的飞溅,由此防止配线膜等中产生的缺陷,提高FPD的成品率和动作性能的Al-(Ni,Co)-(Cu,Ge)-(La,Gd,Nd)系合金溅射靶及其制造方法。本发明涉及构成分别含有选自A组(Ni,Co)中的至少一种、选自B组(Cu,Ge)中的至少一种和选自C组(La,Gd,Nd)中的至少一种的Al-(Ni,Co)-(Cu,Ge)-(La,Gd,Nd)系合金溅射靶,并且其维氏硬度(HV)为35以上的Al-基合金溅射靶。
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公开(公告)号:CN102057074A
公开(公告)日:2011-05-11
申请号:CN200980121618.0
申请日:2009-06-08
CPC classification number: C22C1/0416 , B22F2998/10 , C23C14/3414 , B22F9/082 , B22F1/0003
Abstract: 本发明提供一种能够以高成品率制造含有稀土类元素、和熔点比Al高的高熔点元素的Al基合金溅射靶材的方法。本发明涉及Al基合金溅射靶材的制造方法,包括如下工序:准备由雾化法制造的含有稀土类元素的Al基合金的第一粉末的工序、将第一粉末和含有一种以上的熔点比Al高的高熔点元素X的第二粉末进行混合的工序、和使第一粉末和第二粉末的混合粉末致密化的工序,在所述混合工序中,第一粉末的最大粒径(a)为10~200μm,所述第二粉末的最大粒径(b)为10~150μm,所述第一粉末的最大粒径(a)和所述第二粉末的最大粒径(b)的比(a)/(b)为0.5~5。
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公开(公告)号:CN101220458B
公开(公告)日:2010-09-22
申请号:CN200710193219.8
申请日:2007-11-20
CPC classification number: C23C14/3414 , C22C21/00 , Y10T428/12229
Abstract: 本发明涉及一种Al-基合金溅射靶,其包含0.05至10原子%的量的Ni,其中当根据电子反向散射衍射花样法观察Al-基合金溅射靶的溅射表面的法线方向上的结晶取向 、 、 和 时,所述Al-基合金溅射靶满足:(1)P值对溅射表面的总面积的比率为70%以上,其中P值表示 ±15°、 ±15°、 ±15°和 ±15°的面积分数的总和;(2) ±15°的面积分数对P值的比率为30%以上;和(3) ±15°的面积分数对P值的比率为10%以下。
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公开(公告)号:CN101376962A
公开(公告)日:2009-03-04
申请号:CN200810145432.6
申请日:2008-08-05
Applicant: 株式会社钢臂功科研
CPC classification number: C23C14/3414 , B22F3/15 , C22C5/06 , G11B7/259
Abstract: 本发明提供一种能够在膜面方向(膜面内)稳定地形成成分均匀性优异的薄膜的Ag-Ta-Cu合金溅射靶。该溅射靶由Ta含量为0.6~10.5原子%、Cu含量为2~13原子%的Ag基合金构成,对溅射靶的溅射面进行图像分析时,(1)相对于Ta粒子的整个面积,当量圆直径为10~50μm的Ta粒子的合计面积为60面积%以上,且,Ta粒子的平均重心间距离为10~50μm;(2)相对于Cu粒子的整个面积,当量圆直径为10μm~50μm的Cu粒子的合计面积为70面积%以上,且,Cu粒子的平均重心间距离为60μm~120μm。
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公开(公告)号:CN101353779A
公开(公告)日:2009-01-28
申请号:CN200810134033.X
申请日:2008-07-22
CPC classification number: C23C14/3414 , B22F2998/10 , C22C1/0491 , C22C21/00 , C22F1/04 , B22F9/082 , B22F3/115 , B22F3/15 , B22F3/17 , B22F3/18
Abstract: 本发明涉及一种含有Ni、La和Si的Al-Ni-La-Si体系Al-基合金溅射靶,其中当使用扫描电子显微镜以2000倍的放大倍数观察在垂直于所述溅射靶的平面的横截面中从(1/4)t至(3/4)t(t:厚度)的截面时,(1)按面积分数计,平均粒径为0.3μm至3μm的Al-Ni体系金属间化合物的总面积相对于全部Al-Ni体系金属间化合物的总面积为70%以上,所述Al-Ni体系金属间化合物主要由Al和Ni组成;并且(2)按面积分数计,平均粒径为0.2μm至2μm的Al-Ni-La-Si体系金属间化合物的总面积相对于全部Al-Ni-La-Si体系金属间化合物的总面积为70%以上,所述Al-Ni-La-Si体系金属间化合物主要由Al、Ni、La和Si组成。
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公开(公告)号:CN101220458A
公开(公告)日:2008-07-16
申请号:CN200710193219.8
申请日:2007-11-20
CPC classification number: C23C14/3414 , C22C21/00 , Y10T428/12229
Abstract: 本发明涉及一种Al-基合金溅射靶,其包含0.05至10原子%的量的Ni,其中当根据电子反向散射衍射花样法观察Al-基合金溅射靶的溅射表面的法线方向上的结晶取向 、 、 和 时,所述Al-基合金溅射靶满足:(1)P值对溅射表面的总面积的比率为70%以上,其中P值表示 ±15°、 ±15°、 ±15°和 ±15°的面积分数的总和;(2) ±15°的面积分数对P值的比率为30%以上;和(3) ±15°的面积分数对P值的比率为10%以下。
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公开(公告)号:CN1821437A
公开(公告)日:2006-08-23
申请号:CN200610009203.2
申请日:2006-02-15
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C22C1/0416 , B22F2003/248 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , C22C21/00 , C23C14/3414 , B22F9/082 , B22F3/1208 , B22F3/15 , B22F3/17 , B22F3/18 , B22F3/24 , B22F2201/02
Abstract: 本发明提供一种可以减小制造时以及使用时所产生的翘曲(变形),并能够高精度、高效率地制造靶,而且可以进行稳定的成膜作业的Al-Ni-稀土类元素合金溅射靶。是一种包含Ni以及1或2种以上稀土类元素的Al基合金溅射靶,其特征在于,在以倍率:2000倍以上观察与该靶平面垂直的剖面的时候,纵横尺寸比为2.5以上、且当量圆直径为0.2μm以上的化合物存在5.0×104个/mm2以上。
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