-
公开(公告)号：CN1617350A
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN200410100597.3
申请日：2004-10-08
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 田谷圭司
IPC: H01L27/146 , G02B6/00 , H04N5/00
CPC classification number: H04N9/045 , H01L27/14603 , H01L27/14621
Abstract: 在一种固态成像设备中，将基色拜尔滤色镜提供在由具有不同结构的像素所限定的成像像素区上。滤色镜中用于相同色彩的色彩分量滤光器对应于具有相同结构的像素而布置。更具体地，像素基于滤色镜的色彩分量滤光器的排列而布置，或者色彩分量滤光器基于像素的排列而布置。
-
公开(公告)号：CN101207144A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200710161035.3
申请日：2007-12-19
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L27/148 , H04N5/225
Abstract: 本发明提供了一种固态成像器件，包括：形成有多个像素的半导体衬底，每个像素具有光电转换部分；以及形成在所述半导体衬底上的层叠膜，其中，所述层叠膜包括用于释放氢的氢释放膜和氢阻隔膜，所述氢阻隔膜被布置在所述氢释放膜的上方。
-
公开(公告)号：CN101197386A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200710197170.3
申请日：2007-12-10
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/822 , H04N5/225 , H04N5/335 , H04N9/07
Abstract: 本发明涉及一种固体摄像装置及其制造方法和照相机。所述固体摄像装置，即使设有光波导，也可以利用更简单的工序制造。所述固体摄像装置，在成为半导体衬底(10)的受光面的像素区域(RPX)形成有被每个像素划分的光电二极管(PD)和读取在光电二极管(PD)上生成并存储的信号电荷或根据信号电荷产生的电压的信号读取部；覆盖光电二极管且在半导体衬底上形成有绝缘膜(15～17，20～22，25～27，30，31，33)；在光电二极管的上方部分，在绝缘膜上形成有凹部(H)；在焊盘电极区域(RPAD)，在绝缘膜上层形成有焊盘电极(32)；覆盖凹部内壁且在比焊盘电极更上层形成有高折射率的钝化膜(36)；在钝化膜上层埋入凹部而形成有高折射率的埋入层(37)。
-
公开(公告)号：CN1819252A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200610067363.2
申请日：2006-02-05
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/822
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14643
Abstract: 本发明涉及固态图像拾取装置及其制造方法。该固态图像拾取装置包括：阱区表面上的电隔离像素的元件隔离绝缘膜；第一隔离扩散层，其在元件隔离绝缘膜下面电隔离像素；以及第二隔离扩散层，其在第一隔离扩散层下面电隔离像素，其中电荷积累区设置于由第一和第二隔离扩散层围绕的阱区中，第一隔离扩散层的内周部分形成突出区，具有第一隔离扩散层的导电类型的杂质和具有电荷积累区的导电类型的杂质在突出区中混合，并且电荷积累区的在电荷积累区和第二隔离扩散层之间的部分在突出区下邻接或邻近第二隔离扩散层。
-
公开(公告)号：CN1812115A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200610051305.0
申请日：2006-01-05
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/822
CPC classification number: H01L27/14601 , H01L27/1463 , H01L27/14689
Abstract: 本发明公开了一种固态成像器件及其制造方法，所述固态成像器件包括：多个像素，二维地排列在设置在半导体衬底上的阱区中，每个像素包括具有聚集信号电荷的电荷聚集区的光电转换部分；元件隔离层，其设置在沿各个电荷聚集区周边的阱区表面上，且其将各个像素彼此电隔离；和扩散层，其设置在所述元件隔离层下面，以围绕各个电荷聚集区，且将各个像素彼此电隔离，所述扩散层具有比所述元件隔离层小的宽度。每个电荷聚集区设置以在元件隔离层下延伸并与扩散层形成接触或与其紧邻。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101556964B
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN200910117896.0
申请日：2009-04-09
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种固体摄像器件，其包括像素部、周边电路部、以浅沟槽隔离结构形成在所述周边电路部中的半导体基板上的第一隔离区域以及以浅沟槽隔离结构形成在所述像素部中的半导体基板上的第二隔离区域。所述第二隔离区域的埋入到所述半导体基板中的部分比所述第一隔离区域的埋入到所述半导体基板中的部分浅，且所述第二隔离区域的顶面的高度等于所述第一隔离区域的顶面的高度。本发明还公开了该固体摄像器件的制造方法以及设有该固体摄像器件的电子装置。本发明可以实现处理步骤的减少以及包括灵敏度的像素特性的改善。
-
公开(公告)号：CN101640209B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200910161720.5
申请日：2009-07-31
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
Abstract: 本发明提供固体摄像器件、其制造方法以及摄像装置。该固体摄像器件包括：半导体基板，其包括具有光电转换部的像素部和周边电路部；第一侧壁部，其由侧壁膜构成并被布置在像素部中的MOS晶体管的栅极电极的各个侧壁上；第二侧壁部，其由上述侧壁膜构成并被布置在周边电路部中的MOS晶体管的栅极电极的各个侧壁上；第一硅化物阻挡膜，其由上述侧壁膜构成并被布置在光电转换部和像素部中的部分MOS晶体管上；以及第二硅化物阻挡膜，其被布置在像素部中的MOS晶体管上并与部分第一硅化物阻挡膜重叠，其中，像素部中的MOS晶体管被第一和第二硅化物阻挡膜覆盖着。本发明的固体摄像器件、其制造方法及摄像装置能够降低随机噪声、白点数量和暗电流。
-
公开(公告)号：CN1812115B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200610051305.0
申请日：2006-01-05
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/822
CPC classification number: H01L27/14601 , H01L27/1463 , H01L27/14689
Abstract: 本发明公开了一种固态成像器件及其制造方法，所述固态成像器件包括：多个像素，二维地排列在设置在半导体衬底上的阱区中，每个像素包括具有聚集信号电荷的电荷聚集区的光电转换部分；元件隔离层，其设置在沿各个电荷聚集区周边的阱区表面上，且其将各个像素彼此电隔离；和扩散层，其设置在所述元件隔离层下面，以围绕各个电荷聚集区，且将各个像素彼此电隔离，所述扩散层具有比所述元件隔离层小的宽度。每个电荷聚集区设置以在元件隔离层下延伸并与扩散层形成接触或与其紧邻。
-
公开(公告)号：CN100587961C
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200710197170.3
申请日：2007-12-10
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/822 , H04N5/225 , H04N5/335 , H04N9/07
Abstract: 本发明涉及一种固体摄像装置及其制造方法和照相机。所述固体摄像装置，即使设有光波导，也可以利用更简单的工序制造。所述固体摄像装置，在成为半导体衬底(10)的受光面的像素区域(RPX)形成有被每个像素划分的光电二极管(PD)和读取在光电二极管(PD)上生成并存储的信号电荷或根据信号电荷产生的电压的信号读取部；覆盖光电二极管且在半导体衬底上形成有绝缘膜(15～17，20～22，25～27，30，31，33)；在光电二极管的上方部分，在绝缘膜上形成有凹部(H)；在焊盘电极区域(RPAD)，在绝缘膜上层形成有焊盘电极(32)；覆盖凹部内壁且在比焊盘电极更上层形成有高折射率的钝化膜(36)；在钝化膜上层埋入凹部而形成有高折射率的埋入层(37)。
-
公开(公告)号：CN100555650C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200710161035.3
申请日：2007-12-19
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L27/148 , H04N5/225
Abstract: 本发明提供了一种固态成像器件，包括：形成有多个像素的半导体衬底，每个像素具有光电转换部分；以及形成在所述半导体衬底上的层叠膜，其中，所述层叠膜包括用于释放氢的氢释放膜和氢阻隔膜，所述氢阻隔膜被布置在所述氢释放膜的上方。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
22
records
(took 0.021 seconds)
