公开(公告)号：CN103361644B

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201310123603.6

申请日：2013-04-10

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 夕部邦夫 ,  玉井聪

IPC: C23F1/18 ,  C23F1/26

CPC classification number: C09K13/00 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/34 ,  C23F1/38 ,  G03F7/20 ,  G03F7/32 ,  H05K3/067 ,  H05K2201/0338

Abstract: 本发明提供用于蚀刻包含铜和钼的多层膜的液体组合物以及使用其的蚀刻方法。一种液体组合物，其包含(A)过硫酸根离子供给源、(B)铜离子供给源以及(C)选自由氨、铵离子、胺和烷基铵离子组成的组中的至少一种氮化合物供给源，所述液体组合物的pH为3.5～9。

公开(公告)号：CN105899713A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201580004409.3

申请日：2015-01-13

Applicant: 塞克姆公司

Inventor： P·韦尔默朗 ,  C·艾伦

IPC: C23F1/34 ,  C23F1/36 ,  C23F1/38 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L21/44 ,  C23F1/34 ,  C23F1/36 ,  C23F1/38 ,  H01L21/32134 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供了一种用于相对于氧化物半导体膜选择性地蚀刻钼或钛的方法，其包括提供基板，该基板包括氧化物半导体层和在该氧化物半导体层上的包含钼或钛的层；通过施加光致抗蚀剂层于包含钼或钛的层上，然后使光致抗蚀剂层形成图案并展开，以形成包含钼或钛的层的暴露部分来制备基板；提供包含氨或氢氧化铵、氢氧化季铵和过氧化物的组合物；和将所述组合物施加至所述暴露部分，持续足以蚀刻和去除包含钼或钛的层的暴露部分的时间，其中所述蚀刻相对于所述氧化物半导体选择性地去除钼或钛。

公开(公告)号：CN105603425A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201610046399.6

申请日：2016-01-25

Applicant: 熙腾电子科技(上海)有限公司

Inventor： 江月华

IPC: C23F1/14 ,  C23F1/38

CPC classification number: C23F1/14 ,  C23F1/38

Abstract: 本发明公开了一种铜选择性蚀刻液，其由铜氧化液和铜螯合液组成，所述铜氧化液包括氧化剂和/或水，所述铜螯合液包括草酸盐、氨基羧酸和水，所述铜选择性蚀刻液pH值为6.0～8.5。所述铜选择性蚀刻液可对铜进行选择性和均匀性地蚀刻。本发明还公开了一种钛选择性蚀刻液，其由钛氧化液和钛螯合液组成，所述钛氧化液包括过氧化氢和/或水，所述钛螯合液包括亚磷酸螯合剂、铜防腐蚀剂、无机碱和水，所述钛选择性蚀刻液pH值为7～10。所述钛选择性蚀刻液可对钛进行选择性和均匀性地蚀刻。在无铅焊料凸块的制作过程中使用所述铜选择性蚀刻液和钛选择性蚀刻液进行蚀刻可在半导体基板上方便快捷地制造出尺寸重现性好的无铅焊料凸块。

公开(公告)号：CN105378901A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201480038367.0

申请日：2014-07-03

Applicant: 和光纯药工业株式会社

Inventor： 横沟贵宏 ,  鹤本浩之 ,  柿泽政彦

IPC: H01L21/308 ,  C23F1/38 ,  H01L21/306

CPC classification number: C23F1/38 ,  H01L21/32134

Abstract: 本发明的课题在于提供一种半导体基板上的钛系金属用蚀刻剂和蚀刻方法、以及用于与过氧化氢混合使用的蚀刻剂制备液，所述钛系金属用蚀刻剂即使在用于具有钛系金属和金属铜或铜合金的半导体基板的情况下，也可抑制过氧化氢的分解，溶液寿命长，控制蚀刻剂中的过氧化氢的浓度的必要性小。本发明涉及半导体基板上的钛系金属用蚀刻剂、以使用该蚀刻剂为特征的蚀刻方法、以及用于与过氧化氢混合使用的蚀刻剂制备液，该半导体基板具有钛系金属和位于该钛系金属的上部的金属铜或铜合金，该钛系金属用蚀刻剂为至少包含(A)过氧化氢、(B)结构中具有氮原子的膦酸系螯合剂、(C)碱金属氢氧化物、以及(D)具有至少1个羟基和至少3个羧基的有机酸的水溶液。

公开(公告)号：CN105304503A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201510291027.5

申请日：2015-05-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 大卫·P·苏尔杜克 ,  马文·L·伯恩特

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/498

CPC classification number: H01L24/13 ,  C23F1/26 ,  C23F1/38 ,  H01L21/4846 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02321 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/03831 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/03914 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05609 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/11005 ,  H01L2224/11013 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11831 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13084 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13563 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13666 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/00012 ,  H01L23/498

Abstract: 根据本公开内容的一个实施方式，一种形成金属特征的方法包括：使用第一蚀刻化学品蚀刻第一金属层的一部分，和使用第二蚀刻化学品蚀刻阻挡层的一部分以实现阻挡层底切，所述底切小于或等于阻挡层厚度的两倍。

公开(公告)号：CN104412371A

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201380035304.5

申请日：2013-07-17

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 上村哲也 ,  稻叶正 ,  室祐继 ,  西脇良典

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/308

CPC classification number: H01L21/30604 ,  C09K13/00 ,  C09K13/02 ,  C09K13/06 ,  C23F1/00 ,  C23F1/02 ,  C23F1/14 ,  C23F1/26 ,  C23F1/38 ,  C23F1/44 ,  C23G1/106 ,  C23G1/205 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/6704

Abstract: 一种蚀刻半导体基板的方法，所述方法包括以下步骤：通过将第一液体与第二液体混合以在8.5至14的pH范围内制备蚀刻液，所述第一液体含有碱性化合物，所述第二液体含有氧化剂；并且之后适时地将所述蚀刻液涂布到半导体基板，用于蚀刻所述半导体基板之中或之上的含Ti层。

公开(公告)号：CN101903988B

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN200880121508.X

申请日：2008-12-19

Applicant: 和光纯药工业株式会社

Inventor： 松田修 ,  菊池信之 ,  林田一良 ,  白旗里志

IPC: H01L21/306 ,  C23F1/38 ,  C23F1/44

CPC classification number: H01L21/30604 ,  C23F1/38 ,  C23F1/44 ,  H01L21/32134

Abstract: 本发明涉及能够对半导体基板上的钛(Ti)系金属膜或钨(W)系金属膜进行蚀刻的半导体基板用蚀刻剂，其由含有下述(A)、(B)和(C)、以及(D-1)和/或(D-2)的溶液构成：(A)过氧化氢、(B)具有羟基的膦酸系螯合剂、(C)碱性化合物、(D-1)铜防蚀剂、0.01重量％～3重量％的(D-2)具有羟基的膦酸系螯合剂以外的不具有氧化力的2种以上的阴离子种。

公开(公告)号：CN101903988A

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN200880121508.X

申请日：2008-12-19

Applicant: 和光纯药工业株式会社

Inventor： 松田修 ,  菊池信之 ,  林田一良 ,  白旗里志

IPC: H01L21/306 ,  C23F1/38 ,  C23F1/44

CPC classification number: H01L21/30604 ,  C23F1/38 ,  C23F1/44 ,  H01L21/32134

Abstract: 本发明涉及能够对半导体基板上的钛(Ti)系金属膜或钨(W)系金属膜进行蚀刻的半导体基板用蚀刻剂，其由含有下述(A)、(B)和(C)、以及(D-1)和/或(D-2)的溶液构成：(A)过氧化氢、(B)具有羟基的膦酸系螯合剂、(C)碱性化合物、(D-1)铜防蚀剂、0.01重量％～3重量％的(D-2)具有羟基的膦酸系螯合剂以外的不具有氧化力的2种以上的阴离子种。

公开(公告)号：CN1318917C

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN200310123524.1

申请日：2003-12-24

Applicant: 海力士半导体有限公司

Inventor： 李圣权

IPC: G03F7/20 ,  G03F7/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: C23F1/02 ,  C23F1/38 ,  C23F4/00 ,  H01L21/0275 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32139

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：于一半导体基板上形成一导电层；依序在该导电层上形成一第一硬掩模层、一第二硬掩模层及一第三硬掩模层；利用氟化氩曝光光源于该第三硬掩模层上形成一光刻胶图案，以便形成一预定的图案；使用该光刻胶图案作为蚀刻掩模对该第三硬掩模层进行蚀刻，形成一第一硬掩模图案；使用该第一硬掩模图案作为蚀刻掩模对该第二硬掩模层进行蚀刻，形成一第二硬掩模图案；移除该第一硬掩模图案；以及使用该第二硬掩模图案作为蚀刻掩模对该第一硬掩模层和导电层进行蚀刻，并形成一具有该导电层以及该第二和第一硬掩模图案的叠层硬掩模图案，借此从该叠层硬掩模图案上移除尖顶形图案。

公开(公告)号：CN109518099A

公开(公告)日：2019-03-26

申请号：CN201910053457.1

申请日：2019-01-21

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 王志峰 ,  闫永辉 ,  李永艳 ,  秦春玲 ,  朱墨 ,  薛海涛

IPC: C22C45/10 ,  C22C1/02 ,  B22D11/06 ,  C23F1/26 ,  C23F1/38

CPC classification number: C22C45/10 ,  B22D11/06 ,  C22C1/02 ,  C23F1/26 ,  C23F1/38

Abstract: 本发明为一种非晶纳米花材料及其制备方法。该材料由非晶纳米球及位于其上的非晶纳米线构成，其中纳米球的直径为50～150nm，纳米线长20～50nm，宽3～8nm；材料元素组成为YαTiβCoγAlη，其中，元素组成成分的原子百分数为3.7≤α≤5.1，49.3≤β≤53.4，28.7≤γ≤30.1，13.1≤η≤15.5，且α+β+γ+η＝100；材料比表面积达26.27～88.76m2/g；制备方法以Y28Ti28Co20Al24非晶合金为脱合金前驱体，采用两步自由脱合金的策略，其中经过一次脱合金首先合成非晶纳米球，再通过二次脱合金合成非晶纳米花。本发明解决了目前非晶合金制备工艺复杂，材料三维结构单一，比表面积小，产量低，工艺时间长，不适合规模化生产等不足。