公开(公告)号：CN108074899A

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201710057874.4

申请日：2017-01-23

Applicant: 艾马克科技公司

Inventor： 瑞格·翰姆施 ,  格兰·瑞讷 ,  德发拉郡·巴拉罗门

IPC: H01L23/49 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/03001 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/03618 ,  H01L2224/0384 ,  H01L2224/039 ,  H01L2224/03901 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/0518 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/0519 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05576 ,  H01L2224/05578 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/0569 ,  H01L2224/0579 ,  H01L2224/058 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11614 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/034 ,  H01L2224/0361 ,  H01L21/78 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/033 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2224/03 ,  H01L23/49 ,  H01L24/10 ,  H01L24/26 ,  H01L24/27

Abstract: 电子装置和其制造方法。一种半导体装置和一种制造半导体装置的方法。作为非限制性实例，本发明的各种方面提供一种制造半导体装置的方法，其包括通过至少部分地执行横向镀覆处理形成互连结构，并且提供一种通过这种方法制造的半导体装置。

公开(公告)号：CN107210237A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201580074691.2

申请日：2015-12-08

Applicant: 半导体元件工业有限责任公司

Inventor： M·J·塞登 ,  F·J·卡尼

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/683 ,  H01L23/482

CPC classification number: H01L24/32 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/482 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/27 ,  H01L24/28 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/31 ,  H01L24/33 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/03416 ,  H01L2224/03418 ,  H01L2224/03444 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0348 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05075 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13171 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16503 ,  H01L2224/16507 ,  H01L2224/17106 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29166 ,  H01L2224/29171 ,  H01L2224/29565 ,  H01L2224/29582 ,  H01L2224/29655 ,  H01L2224/29666 ,  H01L2224/3003 ,  H01L2224/30505 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32503 ,  H01L2224/81439 ,  H01L2224/8181 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81825 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/8481 ,  H01L2224/8581 ,  H01L2224/8681 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/10162 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/20642 ,  H01L2224/48

Abstract: 提供了形成半导体封装件的方法。具体实施方式包括在管芯背面(16)形成具有多个子层(40‑46)的中间金属层(26)，每个子层包含金属，所述金属选自钛、镍、铜、银、以及它们的组合。将锡层(48)沉积到所述中间金属层(26)上，然后与衬底(50)的银层(52)一起进行回流焊以形成熔融温度大于260摄氏度并包括银和锡组成的金属间化合物和/或铜和锡组成的金属间化合物的金属间化合物层(56)。形成半导体封装件的另一种方法包括在管芯(14)的顶侧(18)上的多个裸露焊盘(20)中的每个裸露焊盘上形成凸块(22)，每个裸露焊盘(20)由钝化层(24)所包围，每个凸块(22)包括如上所述的中间金属层(36)和耦接到所述中间金属层(36)的锡层(48)，锡层(48)然后被以衬底(50)的银层(52)回流焊以形成如上所述的金属间化合物层(64)。

公开(公告)号：CN107017222A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201610984517.8

申请日：2016-11-09

Applicant: 安世有限公司

Inventor： 梁志豪 ,  波姆皮奥·V·乌马里 ,  杨顺迪 ,  林根伟

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L21/561 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/481 ,  H01L23/562 ,  H01L24/03 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/03011 ,  H01L2224/03013 ,  H01L2224/03424 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/036 ,  H01L2224/039 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05091 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05564 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/013 ,  H01L23/49838 ,  H01L21/4853

Abstract: 本发明公开一种半导体装置以及一种制造该半导体装置的方法。该装置包括具有主表面的半导体基板、位于该主表面上的一个或多个接触以及覆盖至少该主表面的包封物。每个接触的外围边缘限定主该表面上的接触面积。该装置还包括位于该包封物外部的一个或多个结合衬垫。每个结合衬垫通过穿过该包封物的相应金属填充通孔电连接到相应接触，该接触位于该基板的该主表面上。当从该基板的该主表面上方查看时，每个相应金属填充通孔的侧壁在该通孔与该相应接触接合的点处落入由该相应接触限定的该接触面积内，由此填充每个相应通孔的该金属都不会延伸到每个相应接触的该接触面积外部。

公开(公告)号：CN103026476B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201180033313.1

申请日：2011-06-23

Applicant: 安美特德国有限公司

Inventor： K-J.马特雅特 ,  S.兰普雷希特 ,  I.埃沃特

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/498

CPC classification number: B23K31/02 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11474 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/11502 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/11912 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 描述了一种在衬底上形成焊料合金沉积的方法，其包括下述步骤：i) 提供包括表面承载电路的衬底，所述表面承载电路包括至少一个内层接触焊盘，ii) 形成焊料掩模层，所述焊料掩模层被置于所述衬底表面上并且被图案化以暴露所述至少一个接触区域，iii) 使包括所述焊料掩模层和所述至少一个接触区域的整个衬底区域与适于在所述衬底表面上提供金属种层的溶液相接触，iv) 在所述金属种层上形成结构化的抗蚀剂层，v) 将含有锡的第一焊料材料层电镀到所述导电层上，vi)将第二焊料材料层电镀到所述第一焊料材料层上，vii) 去除所述结构化的抗蚀剂层，并且蚀刻掉一定量的金属种层，其足以将所述金属种层从所述焊料掩模层区域去除，以及对所述衬底进行回流，并且在这样做时根据所述金属种层、第一焊料材料层和第二焊料材料层形成焊料合金沉积。

公开(公告)号：CN103972115B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310594257.X

申请日：2013-11-21

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 清水浩三 ,  作山诚树 ,  宫岛丰生

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488 ,  B23K1/00 ,  B23K35/26

CPC classification number: H01L24/13 ,  B23K35/004 ,  B23K35/007 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/24 ,  B23K35/262 ,  B23K35/264 ,  B23K2101/40 ,  H01L21/76843 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49866 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16501 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81075 ,  H01L2224/81211 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15311 ,  H05K3/244 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/3463 ,  H05K3/3494 ,  H05K2201/10734 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体器件以及制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法，包括：在布线板的第一电极和半导体元件的第二电极中的至少一者的表面上形成阻挡金属膜；在第一电极与第二电极之间设置连接端子，连接端子由含锡、铋和锌的钎料制成；以及通过加热连接端子并且将连接端子的温度保持在不低于钎料熔点的恒定温度下一定时间段，来将连接端子接合至阻挡金属膜。

公开(公告)号：CN103314651B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201180062276.7

申请日：2011-12-16

Applicant: 安美特德国有限公司

Inventor： M·厄茨柯克 ,  G·拉莫斯 ,  A·基利安

IPC: H05K3/24 ,  H01L23/498

CPC classification number: H05K13/04 ,  H01B1/02 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49866 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05464 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85065 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/351 ,  H05K1/09 ,  H05K3/244 ,  H05K2203/049 ,  H05K2203/072 ,  H05K2203/095 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01201 ,  H01L2924/01202 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01001

Abstract: 本发明涉及将铜线键合到基板尤其是印刷电路板和IC基板上的方法，所述基板具有包括铜键合部分和钯或钯合金层的层组合件，还涉及具有键合到上述层组合件上的铜线的基板。

公开(公告)号：CN103545249B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201210459353.9

申请日：2012-11-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周孟纬 ,  郭宏瑞 ,  何明哲 ,  刘重希

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L23/525 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种形成后钝化互连件的方法，包括：在衬底上方形成钝化层，其中金属焊盘嵌入所述钝化层，在所述钝化层上沉积第一介电层，对所述第一介电层实施第一图案化工艺以形成第一开口，在所述第一开口的上方形成第一种子层，用导电材料填充所述第一开口，在所述第一介电层上沉积第二介电层，对所述第二介电层实施第二图案化工艺以形成第二开口，在所述第二开口上方形成凸块下金属结构，以及在所述凸块下金属结构上方设置互连凸块。

公开(公告)号：CN105140139A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201510411275.9

申请日：2015-05-29

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： P·加尼策尔 ,  R·策尔扎赫尔

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/03 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/82 ,  H01L24/05 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/0312 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0348 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/05016 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05084 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05583 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05672 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80825 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05624 ,  H01L24/81

Abstract: 本发明涉及厚金属焊盘的处理。在本发明的实施例中，形成半导体器件的方法包括提供包含第一芯片区和第二芯片区的半导体衬底。在所述第一芯片区之上形成第一接触焊盘并在所述第二芯片区之上形成第二接触焊盘。所述第一和第二接触焊盘至少与所述半导体衬底一样厚。该方法进一步包括在所述第一和第二接触焊盘之间切割穿过该半导体衬底。所述切割从包括所述第一接触焊盘和第二接触焊盘的半导体衬底一侧执行。在所述第一和第二接触焊盘以及通过切割暴露的半导体衬底的侧壁之上形成导电衬垫。

公开(公告)号：CN104099653B

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201310680470.2

申请日：2013-12-11

Applicant: 南茂科技股份有限公司

Inventor： 郑世杰 ,  卢东宝

IPC: C25D7/12 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/4853 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/742 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/039 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05576 ,  H01L2224/05578 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11825 ,  H01L2224/11848 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/11906 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/13564 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/814 ,  H01L2224/8159 ,  H01L2224/8169 ,  H01L2224/81744 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8185 ,  H01L2224/81862 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/1146

Abstract: 本发明提供一种用于制造一半导体结构的方法。该方法包括：在一半导体晶粒上形成一导电衬垫；在该导电衬垫上方形成一晶种层；在该晶种层上方界定一第一遮罩层；及在该第一遮罩层中形成一银合金凸块本体。该在该第一遮罩层中形成一银合金凸块本体包括以下操作：制备一第一基于氰化物的电镀浴；将该第一基于氰化物的电镀浴的一pH值控制在6至8的一范围内；将该半导体晶粒浸没至该第一基于氰化物的电镀浴中；及将0.1ASD至0.5ASD的一电镀电流密度施加至该半导体晶粒。

公开(公告)号：CN102782824B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201080065192.4

申请日：2010-12-14

Applicant: 德州仪器公司

Inventor： 胡安·亚力杭德罗·赫布佐默 ,  奥斯瓦尔多·洛佩斯

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/03424 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05016 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01084 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/365 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2224/05552

Abstract: 一种所描述的实例半导体装置包含在半导体衬底(210)及金属接触垫(220)的一部分上形成的钝化层(230)。使用ENIG无电镀敷工艺，将镍沉积于所述钝化层及金属接触垫上，且将金沉积于所述镍上。所述镍包含在所述镍与所述钝化层的界面(180)处及在所述镍与所述钝化层及金属接触垫的结(290)处的无多孔镍的第一无孔镍区域(层250A)。所述镍还包含在第一镍层(250A)上的多孔镍区域(层270)。金区域(层260)在多孔镍层(270)上。第二无孔镍区域(层250B)可在所述多孔镍区域与所述金区域之间。富含金的镍区域(275)可在所述多孔镍区域与所述金区域之间。对所沉积镍与所沉积金的相对厚度进行选择以防止在无电金镀敷工艺期间镍层的腐蚀到达装置层。