公开(公告)号：CN1516285A

公开(公告)日：2004-07-28

申请号：CN200410001239.7

申请日：1998-06-29

Applicant: NEC化合物半导体器件株式会社

Inventor： 加藤博

IPC: H01L29/73

CPC classification number: H01L29/66272 ,  H01L29/732

Abstract: 带有双极晶体管的半导体器件，可减少基极连接层和集电区之间的寄生电容；包括：具有主表面的半导体衬底，形成在衬底中的集电区、基区和发射区，形成在衬底主表面上并与集电区重叠的第一介电层，形成在第一介电层上并施加有特定电势的导电层，形成以覆盖导电层的第二介电层，形成在第二介电层上并与基区电连接的基极连接层，以及与基极连接层电连接的基极。发射区、基区和集电区构成双极晶体管，导电层与电源线电连接。导电层作为屏蔽电极，利用法拉第屏蔽效应，防止了在集电区和基极连接层之间产生寄生电容。

公开(公告)号：CN1499682A

公开(公告)日：2004-05-26

申请号：CN200310104428.2

申请日：2003-10-29

Applicant: NEC化合物半导体器件株式会社

Inventor： 栗原佑介 ,  伊藤彰浩 ,  向原一诚 ,  清水淳一

IPC: H01S5/026 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01S5/02252 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/0683

Abstract: 一种激光器模块包括固定在半导体衬底上的激光器二极管，以在水平方向从其前端发射前向激光束和从其后端的点源发射后向激光束。同样固定在该衬底上的光电二极管带有在水平方向上从邻近激光器二极管的边缘起延伸L长度、用于接收后向激光束的较低部分的光接收表面，该光接收表面比点源低垂直距离Y，邻近激光器二极管的边缘与激光器二极管的点源间隔有水平距离Z，其中，水平距离Z等于或大于(Y/tanθ)－L，θ是后向激光束的较低一半从点源发射的垂直角。

公开(公告)号：CN1146990C

公开(公告)日：2004-04-21

申请号：CN98102645.1

申请日：1998-06-24

Applicant: NEC化合物半导体器件株式会社

Inventor： 佐想亨

IPC: H01L23/34 ,  H05K3/46 ,  H05K1/18

CPC classification number: H05K1/0209 ,  H01L2224/48091 ,  H05K1/0201 ,  H05K1/0206 ,  H05K1/0207 ,  H05K1/0237 ,  H05K1/141 ,  H05K1/182 ,  H05K1/183 ,  H05K3/403 ,  H05K3/429 ,  H05K3/4641 ,  H05K5/0091 ,  H05K9/0039 ,  H05K2201/09181 ,  H05K2201/09781 ,  H05K2201/10166 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种高频电源模块，为制造此模块，要采用一种用于高频集成电路的多层衬底。衬底包括第一衬底层、第一金属层、空腔、第一通孔。第一衬底层具有在其上形成第一布线层的第一表面，第一金属层至少间接地形成于第一衬底层之上。空腔穿透第一衬底层形成以使第一金属的暴露部位露出，第一通孔开设在第一金属层的暴露部位处并贯穿第一金属层。

公开(公告)号：CN1130767C

公开(公告)日：2003-12-10

申请号：CN98117858.8

申请日：1998-08-05

Applicant: NEC化合物半导体器件株式会社

Inventor： 市川清治 ,  坪田邦彦 ,  梅本毅 ,  西村善一 ,  佐藤一成 ,  西部俊明 ,  田原和弘 ,  清雅人 ,  北古贺亨 ,  宫龙也 ,  冈平庆太

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/28 ,  H01L23/50 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L23/49568 ,  H01L23/49503 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1423 ,  H01L2924/1532 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明的半导体器件包括：一个半导体基片、一个安装半导体基片的辐射板、多个与半导体基片电连接的引线端子、以及一个用于封装上述部件的树脂部件。树脂部件具有第一表面和第二表面，并且辐射板具有第一部分和第二部分，第一部分从树脂部件的第一表面向外暴露，第二部分从树脂部件的第二表面向外暴露。

公开(公告)号：CN1407722A

公开(公告)日：2003-04-02

申请号：CN02140174.8

申请日：2002-07-04

Applicant: NEC化合物半导体器件株式会社 ,  夏普株式会社

Inventor： 永野畅雄 ,  恩田和彦 ,  染井润一

IPC: H03K17/00

CPC classification number: H04Q3/521

Abstract: 本发明提供了一种具有2×2矩阵SW的矩阵开关装置，其中，在前述2×2矩阵SW的后段具有SPDT开关，前述2×2矩阵SW及前述SPDT开关被半导体集成电路化并且相互形成为一体，前述2×2矩阵SW的2个输出端子中的一个以及前述SPDT开关的2个输入端子中的一个在半导体集成电路芯片上相互电连接，前述2×2矩阵SW的2个输入端子、前述2×2矩阵SW的前述2个输出端子中的另一个、前述SPDT开关的前述2个输入端子的另一个、以及前述SPDT开关的1个输出端子分别被前述半导体集成电路芯片。

公开(公告)号：CN1708206A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN200510076574.8

申请日：2005-06-09

Applicant: NEC化合物半导体器件株式会社

Inventor： 中泽大望

IPC: H05K1/18 ,  H05K1/02

CPC classification number: H05K1/111 ,  H01L2924/0002 ,  H05K3/321 ,  H05K2201/09745 ,  H05K2201/10484 ,  H05K2201/10636 ,  Y02P70/611 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种即使增加导电性粘接剂的量，加大芯片部件和导电性粘接剂的接触面积，也能抑制与邻接的焊盘部或部件的短路的芯片部件安装体和半导体装置。在印刷布线板(1)上夹介导电性粘接剂(3)而安装了芯片部件(2)的芯片部件安装体，其特征在于，芯片部件具有角部(2b)，并且使该角部的棱线向着印刷布线板的焊盘部(1a)侧而被配置，并且使与芯片部件的角部的棱线邻接的面和焊盘部的表面所构成的角度(α)成为锐角而被搭载。

公开(公告)号：CN1707809A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN200510076118.3

申请日：2005-06-08

Applicant: NEC化合物半导体器件株式会社

Inventor： 椿茂树

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66659 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/7835

Abstract: 一种半导体器件，包括：包含注入其中的第一导电型杂质的半导体衬底(N+衬底110)；第二导电型杂质注入层(P+注入层114)，其以相对高的浓度形成在半导体衬底(N+衬底110)上；第二导电型杂质外延层(P－外延层111)，其以相对低的浓度形成在第二导电型杂质注入层上(P+注入层114)；以及场效应晶体管(N沟道型横向MOSFET100)，其由位于第二导电型杂质外延层(P－外延层111)中的一对杂质扩散区(N+源扩散层115和N－漏层116)和位于被一对杂质扩散区(N+源扩散层115和N－漏层116)夹着的区域上的栅电极(117)构成。

公开(公告)号：CN1230893C

公开(公告)日：2005-12-07

申请号：CN02119112.3

申请日：2002-05-08

Applicant: NEC化合物半导体器件株式会社

Inventor： 小路博之

IPC: H01L23/02 ,  H01L23/28

CPC classification number: H01L23/10 ,  H01L23/49861 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/16315 ,  H01L2924/30107 ,  Y10S206/832 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 一种封装，包括：衬底，它具有脊状周边部分和由脊状周边部分限定的中心部分，并且中心部分低于脊状周边部分。半导体芯片安装在中心部分上。有多个引线与半导体芯片电连接，并且多个引线从中心部分穿过衬底到外部。该封装还包括限定了容纳半导体芯片的空腔空间的盖，并且盖具有与脊状周边部分的衬底键合面键合的盖键合面，盖键合面和衬底键合面比中心部分的上表面高。并且盖以及脊状周边部分的所有键合面都相对于衬底的中心部分的表面倾斜。

公开(公告)号：CN1702855A

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：CN200510074073.6

申请日：2005-05-30

Applicant: NEC化合物半导体器件株式会社

Inventor： 小路博之

IPC: H01L23/12 ,  H05K1/18 ,  H05K3/34

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L21/50 ,  H01L23/49805 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明提供一种实现半导体封装件的小型化，并且安装状态容易检查，安装强度高的半导体封装件、该半导体封装件用的插入式基板、安装了该半导体封装件的半导体装置及其制造方法。在封装件背面具有排列在外周部的多个外周侧电极(1a)和排列在内周部的多个内周侧电极(2a)，并且，在封装件侧面(端面)具有多个端面通孔电极(侧面电极)(1b)，安装半导体封装件(10)时，在多个端面通孔电极(1b)和安装基板(11)之间形成焊锡焊脚(侧部焊脚)(12)。

公开(公告)号：CN1207599C

公开(公告)日：2005-06-22

申请号：CN02143290.2

申请日：2002-09-25

Applicant: NEC化合物半导体器件株式会社

Inventor： 吉泽哲

IPC: G02B6/42 ,  G02B6/32 ,  H01L33/00

CPC classification number: G02B7/027 ,  G02B6/4201 ,  G02B6/4204 ,  G02B6/4237 ,  G02B6/4267 ,  G02B6/4268

Abstract: 一种用于对半导体发光器件与光纤光学耦合的半导体器件，包括：透镜，将从半导体发光器件发出的光聚焦到光纤上；壳体，壳体对透镜进行支撑，并且包括圆柱第一部分；第二部分，第二部分在第一部分的上端与第一部分一体成型，并且在第二部分的中心形成开口，透镜适配安装在开口内；和玻璃，玻璃环绕透镜，实现透镜与开口之间的密封。一个应力消除器，当用接触焊将壳体固定到底座上时，所述消除器消除作用在壳体上的应力，并且防止壳体由于应力的作用产生弹性变形，其中应力消除器包括圆柱形的第三部分，所述第三部分由第一部分向上延伸超过第二部分；在第二部件的上、下表面上形成增强件。避免壳体由于作用在壳体上的应力产生变形。