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公开(公告)号：CN119092403A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411209360.2
申请日：2024-08-30
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
IPC: H01L21/329 , H01L23/34 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供的一种电压基准二极管的制作工艺采用两片硅片分别制作用于基准电压的反向PN结硅片和用于进行温度系数补偿的正向PN结硅片，再将两片硅片键合后进行切割裂片，形成台面管芯；采用了一片掺入重掺杂复合中心的硅片对基准电压硅片进行温度补偿，在实际生产过程中，根据需要的基准电压，制备对应的补偿硅片。补偿硅片通过反向恢复时间表征其补偿能力，由于反向恢复时间的控制是通过控制补偿硅片生产过程中的铂扩散时间与温度实现，可达到较高精度，因此其补偿能力也可达到较高精度，可按照需要获得对应的温度系数档位，大幅提高了温度系数对档率，降低生产投入成本。
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公开(公告)号：CN113161269B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202110523987.5
申请日：2021-05-13
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
Abstract: 本发明公开了一种U型玻钝表贴器件烧结夹具及使用方法，属于U型封装二极管制造技术领域。该烧结夹具包括底板，所述底板上并排设有若干限位槽，所述限位槽内放置有两块引线定位块，所述引线定位块上设有引线定位槽。限位槽的宽度按照尺寸最大原则进行设计，一是使烧结夹具适用于夹持市面上所有不同尺寸的U型玻钝二极管，适用范围广，有助于降低烧结夹具和二极管的制造成本，二是为烧结夹具的热膨胀预留足够间隙，避免U型玻钝二极管管体因夹具热膨胀出现裂纹。能够避免烧结得到的产品出现管体到两端电极片的距离差异大、电极片相对管体歪斜、管体与电极片之间存在较大缝隙等情况，大大提高了U型玻钝二极管的烧结合格率。
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公开(公告)号：CN113707632B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202110999757.6
申请日：2021-08-30
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
IPC: H01L23/488 , H01L23/492 , H01L23/367 , H01L25/07 , H01L21/60
Abstract: 一种三端整流电路模块，包括芯片级封装无引线无电极片玻钝二极管、共电极金属基片、端电极1金属基片、端电极2金属基片、端电极3金属基片；芯片级封装无引线无电极片玻钝二极管包括封装本体、二极管芯片端电极金属化层、可焊接金属层；共电极金属基片具有共电极金属基片镂空贴片区、镂空贴片区焊接层；端电极金属基片具有端电极金属基片镂空贴片区，镂空贴片区焊接层；玻钝二极管公共端通过镂空贴片区焊接层嵌入式焊接到共电极金属基片镂空贴片区；另一端通过镂空贴片区焊接层嵌入式焊接到相应电极的端电极金属基片镂空贴片区。解决了现有三端整流电路模块高密度集成化、高可靠性的问题。广泛应用于电路模块的高密度集成化封装结构或工艺中。
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公开(公告)号：CN113314414B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202110731939.5
申请日：2021-06-29
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
IPC: H01L21/329 , H01L29/861
Abstract: 本发明提供的一种低功耗超快恢复整流二极管的制造方法，采用高电导P型单晶硅片和N型单晶硅片经过硼扩散后高温键合，再将形成PN结的硅片进行减薄，可间接减薄二极管芯片厚度，有效地降低二极管器件的正向压降，达到器件低功耗高频率的目的。
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公开(公告)号：CN107993967B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN201711404625.4
申请日：2017-12-22
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件的多功能腐蚀装置，包括提手、篮架、酸洗盘、支架；所述支架安装在支架内，所述支架安装在篮架内，所述提手安装在篮架的上端，所述酸洗盘在支架内上下水平布置有若干排。本发明将酸、碱腐蚀工艺在一个腐蚀盘内进行，大大简化了酸碱腐蚀过程中产品的流转，其设计满足了酸腐蚀工艺中喷淋清洗工艺的需求，同时满足了碱腐蚀过程中提挂式的腐蚀清洗要求，该腐蚀盘同时满足两种生产工艺。同时腐蚀盘的设计与后续涂覆的设备兼容，大大简化了后续产品的流转方式，该发明提高了生产效率，具有较高的市场推广价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113270502A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110491416.8
申请日：2021-05-06
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
IPC: H01L29/861 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L23/367
Abstract: 本发明提供了一种二极管芯片及其制造方法，该芯片包括多个相互并联的元胞，元胞包括N+衬底，N+衬底的背面设有背金属层，N+衬底的正面设有N‑外延区，N‑外延区的正面依次设有栅氧层、多晶硅、金属化层；N‑外延区的正面中部嵌入有P型基区，金属化层背面设有凸起部，凸起部嵌入P型基区，凸起部周围设有N+区，凸起部端面与P型基区之间设有P+区，P型基区、N+区的正面均被栅氧层覆盖。采用本发明相比于PN结结构，具备导通电压更低、反向恢复时间更短等优点；相比于肖特基二极管，具有高温特性好、漏电小、正温度系数等优点；且导通压降小，能耗低，产热量小，耐用性强；采用多元胞并联结构，大大提高了散热能力。
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公开(公告)号：CN109192658A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201810909448.3
申请日：2018-08-10
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
IPC: H01L21/228 , H01L21/225
Abstract: 本发明提供的一种降低合金型电压调整二极管正向压降的扩散方法，采用N型单晶硅片为衬底材料，使用深结扩散工艺制造欧姆接触，其步骤为：硅片清洗→一次携带源扩散→一次涂源扩散→二次携带源扩散→二次涂源扩散→三次携带源扩散→第四次携带源扩散。采用携带源扩散和涂源扩散交替扩散的方式，大大提升了芯片的表面浓度，降低了合金型电压调整二极管的正向压降，该工艺对于深结台面型半导体器件的制造具有较高的使用推广价值。
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公开(公告)号：CN107301949A
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201710581084.6
申请日：2017-07-17
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
IPC: H01L21/329 , H01L29/861
CPC classification number: H01L29/6609 , H01L29/861
Abstract: 本发明提供的一种采用钨电极制造高可靠瞬态电压抑制二极管的制造方法，包括管芯的制备、电极焊接、处理封装，采用了钨电极作为电极引线制造玻璃钝化瞬态电压抑制二极管，大大提升了器件的瞬态峰值功率，相同封装外形尺寸可以提升80％以上的瞬态峰值功率。
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公开(公告)号：CN106024624A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610584257.5
申请日：2016-07-23
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
IPC: H01L21/329
CPC classification number: H01L29/6609
Abstract: 本发明提供的一种高可靠抗辐照瞬变电压抑制二极管的制造方法，采用钼或钨作为电极引线，管芯采用铝作为焊料，芯片采用深结扩散工艺，台面造型为正斜角造型，该芯片结构降低表面电场，同时在进行玻璃钝化封装前，采用酸、碱腐蚀工艺及钝化工艺对芯片台面进行保护，然后采用特殊玻璃粉进行高温钝化封装成型；本发明芯片成正斜角，降低了器件的表面电场，提高了芯片表面的稳定性；在芯片腐蚀过程中最大限度的清洁了芯片表面，减少了界面电荷的影响，使器件具有良好的雪崩击穿性能，提升产品的可靠性；由于钝化层较厚，同时具有一定的含铅量使产品能在辐照条件下稳定工作。
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公开(公告)号：CN119153414A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411477075.9
申请日：2024-10-22
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
IPC: H01L23/08 , H01L23/373 , H01L23/367 , H01L23/488 , H01L21/52 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一张高可靠高功率密度陶瓷表贴气密性封装结构及封装方法，包括陶瓷壳体，所述陶瓷壳体顶部设置有芯片烧结区域；所述陶瓷壳体侧壁还分别设置有大电极片和小电极片，所述大电极片用于与芯片的源极电连接，所述小电极片用于与芯片的栅极电连接，所述陶瓷壳体顶部设置有散热件；降低了芯片的工作温度，进而保障了芯片良好的工作性能，进而有利于整个系统的正常运行。
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