公开(公告)号：CN1195318C

公开(公告)日：2005-03-30

申请号：CN02158815.5

申请日：2002-12-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 住田贤二 ,  奥村智洋 ,  前川幸弘 ,  中山一郎 ,  筱原己拔 ,  神田稔 ,  又村慎一

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32082 ,  H01J37/32183

Abstract: 本发明提供一种匹配电路，该匹配电路能够实现很宽的匹配范围并且相对于负荷状态的变化稳定。第一可变电抗元件(32)的一端连接到匹配电路(30)的输入端子(31)上。第一可变电抗元件(32)的另一端连接到串联的第一固定电抗元件(33a)和第二固定电抗元件(33b)之间的点上。第一固定电抗元件(33a)接地，并且第二固定电抗元件(33b)连接到第二可变电抗元件(36)的一端上并且连接到带状线(37)的一端上。第二可变电抗元件(36)的另一端接地，并且带状线(37)的另一端连接到输出端子(38)上。

公开(公告)号：CN1113397C

公开(公告)日：2003-07-02

申请号：CN96110303.5

申请日：1996-06-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥村智洋 ,  中山一郎 ,  柳义弘

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/30 ,  H05H1/00

CPC classification number: H01J37/321 ,  C23C16/507

Abstract: 在等离子处理方法中，通过将基片置于真空腔内的电极上、把气体导入真空腔并同时排出内部气体、向螺旋放电线圈施加高频电压并同时使真空腔内保持某一压力，以在真空腔内产生等离子体，从而处理基片，其特征在于：在处理基片时，至少改变气体类型、气体流速、压力、向线圈和电极施加的高频功率值及它们的高频电源频率等控制参数之一。该方法包括根据改变任何控制参数的定时选择，使等离子体密度平面分布得以控制的步骤。

公开(公告)号：CN1076518C

公开(公告)日：2001-12-19

申请号：CN95115736.1

申请日：1995-09-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥村智洋 ,  中山一郎 ,  柳义弘

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/24 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/321 ,  C23C16/507

Abstract: 本发明揭示一种等离子体处理装置，它包括：真空容器、基板电极、放电线圈、高频电源、用导线连至放电线圈且用连接电缆连至高频电源的匹配电路；通过把高频电压施加至放电线圈，在真空容器内产生等离子体，从而处理基板电极上的基板；其特征在于，所述放电线圈一部分或全部制成多重涡形的放电线圈或多重螺旋形的放电线圈。具有放电线圈用匹配电路的匹配用并联线圈引起的电力效率降低小及温升小的优点。

公开(公告)号：CN1220772A

公开(公告)日：1999-06-23

申请号：CN98800305.8

申请日：1998-03-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥村智洋 ,  中山一郎 ,  渡边彰三 ,  原口秀夫

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32522 ,  H01J37/321 ,  H01L21/3065

Abstract: 一种等离子体处理方法及装置包括,边导入规定的气体边排气,在保持真空室(1)内规定的压力的同时,在通过天线用高频电源(4)向轮辐天线(5),通过电极用高频电源(8)向电极(6)分别供给高频电力,使真空室(1)内产生等离子体,在对电极(6)上的基片(7)进行腐蚀等的等离子体处理时,通过外皮,由电磁波屏蔽的发热体构成的电阻加热的加热器(11)和设置在电介体(9)上的压接式热电偶(10)连接温调器(12),在电阻加热的加热器(11)和轮辐天线(5)之间,设置隔热材料(13),通过带有区域层加热器(22)的内室(16),将真空室内加热到80℃以上。

公开(公告)号：CN1132930A

公开(公告)日：1996-10-09

申请号：CN95115736.1

申请日：1995-09-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥村智洋 ,  中山一郎 ,  柳义弘

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/203 ,  H01L21/205 ,  H05H1/00

CPC classification number: H01J37/321 ,  C23C16/507

Abstract: 本发明揭示一种等离子体处理装置，它包括：真空容器、基板电极、放电线圈、高频电源、用导线连至放电线圈且用连接电缆连至高频电源的匹配电路；通过把高频电压施加至放电线圈，在真空容器内产生等离子体，从而处理基板电极上的基板；其特征在于，所述放电线圈一部分或全部制成多重涡形的放电线圈或多重螺旋形的放电线圈。具有放电线圈用匹配电路的匹配用并联线圈引起的电力效率降低小及温升小的优点。

公开(公告)号：CN103295868B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201310066970.7

申请日：2013-03-04

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥村智洋 ,  中山一郎

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01L21/268 ,  H01J37/321 ,  H05H1/30 ,  H05H2001/4667

Abstract: 本发明提供等离子体处理装置及方法，其能够稳定且高效率地产生等离子体，并能够在短时间内高效率地对基材的所希望的被处理区域整体进行处理。该等离子体处理装置包括：开口部，其开口宽度大于1mm；电介质部件，其划定由环状空间构成的环状腔室，该环状空间与所述开口部相连通；气体供给配管，其用于将气体导入所述环状腔室的内部；线圈，其设置在所述环状腔室附近；高频电源，其与所述线圈连接；基材载置台，其用于将基材与所述开口部相接近地配置。

公开(公告)号：CN102782817B

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201180012319.0

申请日：2011-05-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥村智洋 ,  中山一郎 ,  斋藤光央

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H05H1/30

CPC classification number: H05H1/30 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32376 ,  H01J37/32825 ,  H01L21/324

Abstract: 在基材载置台(1)的基材载置面(1a)上载置有基材(2)。感应耦合型等离子体喷枪单元(3)包括：筒状腔室(7)，其包括设有长方形的狭缝状的等离子体喷出口(4)且由绝缘体材料构成的圆筒(5)、及闭塞圆筒(5)的两端的盖(6)；气体喷出口(8)，其向筒状腔室(7)内供给气体；螺线管(9)，其使筒状腔室(7)内产生高频电磁场。通过从高频电源(41)向螺线管(9)供给高频电力，由此使筒状腔室(7)内产生等离子体(P)并将其从等离子体喷出口(4)向基材(2)照射。能够使等离子体喷枪单元(3)和基材载置台(1)相对地移动并同时对基材表面进行热处理。

公开(公告)号：CN102576749B

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201080045578.9

申请日：2010-10-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中山一郎 ,  山西齐 ,  大井户良久 ,  上木原伸幸 ,  奥村智洋

IPC: H01L31/18 ,  C01B33/02 ,  C01B33/037

CPC classification number: C01B33/02 ,  C01B33/037 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1872 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种硅粉末的制造方法，包括：将纯度等级为99.999％以上的硅锭通过高压纯水切割制成粒径3mm以下的粗硅粉末的工序；利用选自喷射式粉碎、湿式粒化、超声波破坏、冲击波破坏中的至少一种方法，将所述粗硅粉末制成粒径0.01μm以上且10μm以下的硅粉末的工序。由此，提供一种从硅锭迅速地得到硅粉末且不使其纯度下降的技术。

公开(公告)号：CN101151707B

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN200680010324.7

申请日：2006-03-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 水野文二 ,  中山一郎 ,  佐佐木雄一朗 ,  奥村智洋 ,  金成国 ,  伊藤裕之

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/677 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/67167 ,  H01J37/32412 ,  H01L21/2236

Abstract: 本发明的目的是当将导入固体试样中的杂质彼此混合时，防止最初期望的功能未展现，并且高精度地执行等离子体掺杂。为了区别可以混合的杂质和不应混合的杂质，首先区别核心的杂质导入机构。为了避免非常少量的杂质混合物，专门使用用于传送将处理的半导体衬底的机构和用于去除将形成在半导体衬底上的树脂材料的机构。

公开(公告)号：CN100561670C

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN200710127002.7

申请日：2003-09-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥村智洋 ,  中山一郎 ,  水野文二 ,  佐佐木雄一朗

IPC: H01L21/223 ,  H01J37/32 ,  H05H1/46

Abstract: 为了实现稳定的低浓度掺杂的等离子体掺杂方法，它是一边将掺杂原料气体输入到装有等离子体发生装置的真空容器内，一边从真空容器内排出气体，通过装有作为2个可变阻抗器件的环形磁芯的等离子体发生装置用匹配电路，将高频功率供给等离子体发生装置而使上述真空容器内产生等离子体，将杂质添加到放置于上述真空容器内的试样电极的试样或者试样表面的膜中的等离子体掺杂方法，其特征在于，在保持产生等离子体的状态下，使气体的种类、气体流量、压力、高频功率这些控制参数中的至少1个控制参数发生变化。