公开(公告)号：CN104669107A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201410708369.8

申请日：2014-11-28

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 篠崎弘行 ,  高桥信行 ,  丸山彻 ,  作川卓 ,  锅谷治

IPC: B24B37/10 ,  B24B37/34

CPC classification number: B24B37/04 ,  B24B37/005 ,  B24B37/32 ,  B24B49/08

Abstract: 本发明提供能够稳定地控制顶环的压力室内的压力的研磨装置。研磨装置具备用于支承研磨垫的能够旋转的研磨工作台(1)、具有用于将基板按压于研磨垫(1)的压力室(10)的能够旋转的顶环(5)、控制压力室(10)内的气体的压力的压力调节器(15)、及设于压力室(10)与压力调节器(15)之间的缓冲罐(40)。压力调节器(15)具备压力控制阀(16)、测量该压力控制阀(16)的下游侧的气体的压力的压力计(17)、及以使压力室(10)内的压力的目标值与由该压力计测量出的压力值的差最小的方式控制压力控制阀(16)的动作的阀控制部(25)。

公开(公告)号：CN102117736A

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN201110025552.4

申请日：2007-02-21

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 高桥信行 ,  西田弘明 ,  鸟居弘臣 ,  矶部壮一 ,  曾根忠一 ,  小菅隆一 ,  金子浩之 ,  外崎宏 ,  三仓崇夫 ,  小川贵弘 ,  杉田谦一

IPC: H01L21/00 ,  B24B37/04 ,  H01L21/677 ,  H01L21/687

CPC classification number: H01L21/67219 ,  B24B37/345 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/67751 ,  H01L21/67766 ,  H01L21/68707

Abstract: 本发明涉及一种能够提高基板处理工序的生产节拍时间的基板处理装置。作为基板处理装置的研磨装置具有：对半导体晶片(W)进行研磨的多个研磨部(3a、3b)；和搬运晶片(W)的摆动传送装置(7)。摆动传送装置(7)具有：把持晶片(W)的晶片把持机构(112)；使晶片把持机构(112)沿着研磨部(3a)的框体的框架(102)上下移动的上下移动机构(104、106)；以及，以与框架(102)邻接的轴为中心使晶片把持机构(112)转动的转动机构(108、110)。

公开(公告)号：CN113134785B

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202110042947.9

申请日：2021-01-13

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 小畠严贵 ,  安田穗积 ,  矢内昭夫 ,  高桥信行 ,  中村贵正 ,  坂田桂介 ,  高田畅行 ,  八木裕治 ,  高田泰弘 ,  渡边和英

IPC: B24B37/11 ,  B24B37/27 ,  B24B37/34 ,  B24B47/12 ,  B24B47/20 ,  B24B47/22 ,  B24B49/12

Abstract: 提供一种能够精密控制晶片、基板、面板等工件的膜厚轮廓的研磨头系统。研磨头系统具备：具有将多个按压力施加于工件(W)的多个压电元件(47)的研磨头(7)；及决定应施加于多个压电元件(47)的电压的多个指令值的动作控制部(10)。

公开(公告)号：CN113226641A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN201980085450.6

申请日：2019-12-16

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 高桥信行 ,  丸山徹 ,  横山太一 ,  温中新

IPC: B24B37/013 ,  B08B3/02 ,  B24B49/12 ,  B24B55/06 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明关于一种为了一边研磨晶片等基板，一边测量基板的膜厚而使用的光学式膜厚测量系统的清洗方法。本方法在使用浆液研磨基板(W)之前或之后，向形成于研磨台(3)上的研磨垫(2)的通孔(51)供给冲洗液，以冲洗液清洗配置于通孔(51)的下方的光学传感头(7)，并从通孔(51)通过排放管线(54)排出冲洗液。

公开(公告)号：CN110052961A

公开(公告)日：2019-07-26

申请号：CN201910043492.5

申请日：2019-01-17

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 金马利文 ,  高桥信行 ,  木下将毅

IPC: B24B49/12 ,  B24B37/005 ,  B24B37/34

Abstract: 提供一种研磨装置，能够通过对照射到晶片的光量进行调整而进行正确的膜厚测定。研磨装置具备：光源(30)；投光光纤(34)，该投光光纤具有配置于研磨台(3)内的不同位置的多个顶端(34a、34b)；以及受光光纤(50)，该受光光纤(50)具有配置于研磨台(3)内的不同位置的多个顶端(50a、50b)。投光光纤(34)具有第一投光光纤(36)和第二投光光纤(37)，第一减光器(70)安装于第一投光光纤(36)和第二投光光纤(37)，第二减光器(72)安装于第一投光光纤(36)和第二投光光纤(37)中的至少一个。

公开(公告)号：CN106413990B

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201580021724.7

申请日：2015-04-06

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 作川卓 ,  高桥信行 ,  丸山徹

IPC: B24B37/30 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明可简化气囊的校准作业。压力校正用夹具(400)用于校正对设在用于保持晶片(W)并向研磨垫按压的顶环(31)的内部的多个气囊(310‑1～310‑3)的压力的压力校正用夹具。压力校正用夹具(400)具备：与多个气囊(310)的各个连通的多个第一流路(440‑1～440‑3)；将多个第一流路(440)合流成一个流路而连接至压力校正用的压力传感器500)的第二流路(450)；及流动控制部(410)，针对多个第一流路(440)中的被选择为压力校正用的与气囊对应的流路，可使流体由气囊(310朝第二流路(450)的方向流通，并且针对被选择的一个流路以外的流路，阻止流体由第二流路(450)朝气囊(310)的方向流动。

公开(公告)号：CN106256016A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201580020452.9

申请日：2015-04-17

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 小畠严贵 ,  八木圭太 ,  渡边和英 ,  盐川阳一 ,  丸山彻 ,  高桥信行

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/304 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明是改善使用CARE法的基板处理装置。一种基板处理装置，用于在处理液的存在下使基板与催化剂接触而研磨基板的被处理区域，具备：基板保持部，被构成为保持基板；催化剂保持部，被构成为保持催化剂；以及驱动部，被构成为在基板的被处理区域与催化剂接触的状态下，使基板保持部与催化剂保持部相对移动。催化剂比基板小。

公开(公告)号：CN101164155A

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200680013105.4

申请日：2006-04-20

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 高桥信行 ,  曾根忠一 ,  小林卓二 ,  鸟居弘臣

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/304 ,  B24B37/04

CPC classification number: H01L21/67259 ,  B24B37/345 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/67751 ,  Y10S414/136 ,  Y10S414/137

Abstract: 一种晶片传送装置，具有将晶片(W)保持在下端面上的顶环(60)和与顶环(60)之间进行晶片(W)传送的推动机构(10)。推动机构(10)采用如下结构：具备装载晶片(W)的晶片装载部(40a)，使从顶环(60)的下端面脱离的晶片(W)落座到晶片装载部(40a)上。推动机构(10)具备检测晶片(W)适当地落座到晶片装载部(40a)上的传感机构(50)。传感机构(50)使从投光装置(51)投射的检测光被落座到晶片装载部(40a)上的晶片(W)遮挡。

公开(公告)号：CN1685482A

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN200380100128.5

申请日：2003-12-03

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 高桥信行 ,  鸟居弘臣 ,  正木干彦 ,  枇杷田宽

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/04

CPC classification number: B24B37/30 ,  B24B37/042

Abstract: 转动半导体晶片(W)和抛光台(100)。抛光台(100)上具有一个抛光面。半导体晶片(W)挤压在位于以第一转速转动的抛光台(100)上的所述抛光面上，以抛光半导体晶片(W)。半导体晶片(W)在其挤压在所述抛光面上之后从所述抛光面上分离。在半导体晶片(W)从所述抛光面上分离之前，将抛光台(100)的转速降至低于所述第一转速的第二转速，以在半导体晶片(W)与抛光台(100)之间提供转速差。

公开(公告)号：CN114302789B

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202080060537.0

申请日：2020-08-12

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 高桥信行 ,  木下将毅

IPC: B24B37/10 ,  B24B37/20 ,  B24B37/30 ,  B24B37/34 ,  B24B47/12 ,  B24B49/00 ,  B24B49/12 ,  B24B51/00 ,  B24B53/12 ,  B24B57/02

Abstract: 本发明关于一种一边通过分析来自研磨垫上的基板的反射光来检测基板的膜厚，一边研磨该基板的研磨装置及研磨方法。研磨装置具备：研磨台(3)，其支承具有通孔(61)的研磨垫(2)；垫高度测定装置(32)，其测定研磨面(2a)的高度；纯水供给管线(63)及纯水吸引管线(64)，其连结于通孔(61)；流量调节装置(71)，其连接于纯水供给管线(63)；及动作控制部(35)，其控制流量调节装置(71)的动作。动作控制部(35)根据相关数据决定与研磨面(2a)的高度的测定值对应的纯水的流量，并以控制流量调节装置(71)的动作，以使纯水以决定的流量在纯水供给管线(63)中流动。