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公开(公告)号：CN105510675B
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201510917919.1
申请日：2015-12-10
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
IPC: G01R19/00
Abstract: 本发明公开一种单芯片电流传感器，其根据被测定电流产生的磁感应强度来检测所述被测定电流，该单芯片电流传感器包括集成在同一芯片上的导体、第一磁传感器、第二磁传感器，所述导体用于为被测定电流提供流经通道，使被测定电流能够流过该导体；第一磁传感器和第二磁传感器位于导体周围，以形成差分输出；导体上存在宽度变窄的收敛段。与现有技术相比，本发明不仅能够消除外界磁场干扰，提高性能稳定性和灵敏度，而且也能减小或消除传感器与待测电路接触电阻差异带来的测量误差。
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公开(公告)号：CN105203250B
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201510685795.9
申请日：2015-10-21
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
Abstract: 本发明提供一种热式压力传感器，其包括：一基片，其形成有凹槽，所述凹槽的开口部设置有薄膜，所述薄膜将所述凹槽封闭为腔体，所述腔体中设置有热电偶和加热器所述热电偶分别位于所述加热器的内侧和外侧。与现有技术相比，本发明制作成本低、具有高集成度、体积小，节约空间，具有高灵敏度，测量压力的精度高。
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公开(公告)号：CN105329850B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201510686666.1
申请日：2015-10-21
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
IPC: B81C99/00
CPC classification number: B81C1/00896 , B81C1/00904 , B81C99/004 , G01R1/0466 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L22/14 , H01L22/20 , H01L22/32 , H01L23/3114 , H01L23/544 , H01L2221/68327 , H01L2223/54433 , H01L2223/54453
Abstract: 本发明提供一种圆片级芯片尺寸封装的测试方法，其包括：将一张圆片级芯片尺寸封装的圆片划片切割为多个圆片条带，每个圆片条带包括有多个未划片的芯片尺寸封装器件；将每个圆片条带放置于对应的条带载具上；利用测试设备对放置于所述条带载具上的圆片条带中的各个芯片尺寸封装器件进行测试；和将测试完成后的圆片条带划片分割成单个的芯片尺寸封装器件。由于不是将众多分割后的芯片一个一个装入插座，而是将有限的几个圆片条带放入条带载具，这样流程阻塞得以避免。
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公开(公告)号：CN105140390A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510617621.9
申请日：2015-09-24
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
Abstract: 本发明提供一种AMR传感器及其制造方法。所述制造方法包括：提供一个基底；在施加外部磁场的情况下，在所述基底上沉积磁阻材料形成磁阻层；光刻、刻蚀所述磁阻层使得所述磁阻层形成第一预定义图形；在所述磁阻层上沉积绝缘材料形成绝缘层；光刻、刻蚀所述绝缘层使得所述绝缘层形成第二预定义图形；在所述绝缘层上沉积导电材料形成导电层；光刻、刻蚀所述导电层使得所述导电层形成第三预定义图形。这样，可以避免由于过刻损伤到下层的磁阻层即MRS磁性薄膜材料损伤，提高工艺的稳定性以及可操作性，避免最终器件性能受影响。
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公开(公告)号：CN105098062A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510549777.8
申请日：2015-08-31
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
Abstract: 本发明提供一种磁传感器及其制造方法。所述制造方法包括：提供一个基底；在施加外部磁场的情况下，在所述基底上沉积磁阻材料形成磁阻层；在所述磁阻层上沉积导电材料形成所述导电层；光刻所述导电层和所述磁阻层使得导电层和磁阻层形成第一预定义图形；光刻已被光刻成第一预定义图形的导电层使得所述导电层形成第二预定义图形。这样，可以解决磁阻层的表层氧化问题，同时可以解决导电条和磁阻条的重叠偏差问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103376810A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201210118366.X
申请日：2012-04-20
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
IPC: G05F1/46
Abstract: 本发明涉及一种热源模块，其包括有电路以及连接在电路中的热源器件，其中电路包括有第一支路以及第二支路，第一支路和第二支路共用热源器件。第一支路与第二支路通电时，两者通过热源器件的电流方向相反；且第一支路和第二支路之间不会同时处于导通状态。如此，使得热源器件的电流方向根据设定实现方向翻转，进而降低电迁移发生的几率，提高热源模块的有效性。
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公开(公告)号：CN112097800B
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202010897275.5
申请日：2020-08-31
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
Abstract: 本发明提供一种360度磁角度传感器，其包括：各向异性磁电阻传感器，其基于感测平面内的磁场产生表示磁角度的第一信号，所述第一信号具有180度的角范围；霍尔传感器，其基于所述感测平面内的磁场产生表示磁角度的第二信号，所述第二信号具有360度的角范围；信号处理电路，其与所述各向异性磁电阻传感器和霍尔传感器电性连接，其基于第二信号判断所述磁角度的所属区间，所属区间为0到180度或180到360度，并结合所述磁角度的所属区间和所述第一信号产生表示磁角度的第三信号，所述第三信号具有360度的角范围。与现有技术相比，本发明不但能实现360度范围内高精度的角度测量，而且还可以降低体积和成本。
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公开(公告)号：CN113645555B
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202110942893.1
申请日：2021-08-17
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
IPC: H04R19/00 , H04R19/04 , G01P15/125 , G01H11/06
Abstract: 本发明提供一种用于拾取语音的骨传导加速度计，其采用体硅工艺加工制作，其包括：微机电系统部件，其为电容式加速度计，微机电系统部件用于感应骨振动信号并将该骨振动信号转换为电信号，微机电系统部件包括：衬底；半导体结构层，其设置于衬底上方，其包括键合框架和位于键合框架内的敏感框架；盖板，其设置于半导体结构层上方，其中，键合框架与所述半导体结构层上方的盖板和半导体结构层下方的结构围成密封腔，敏感框架位于密封腔内；信号处理部件，其用于处理微机电系统部件产生的电信号，并将电信号转换为声音信号。与现有技术相比，本发明采用骨传导加速度计实现对声音的拾取，可避免外界环境声音的干扰，且无需外壳封装来实现密封。
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公开(公告)号：CN108279391B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN201810257100.0
申请日：2018-03-27
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
IPC: G01R33/09
Abstract: 本发明提供一种基于斜坡的磁电阻传感器的短路条在掩模板上的取向方法和装置，磁电阻传感器包括：设置于基板上的斜坡，斜坡包括底面和倾斜表面，且倾斜表面和底面的夹角为斜坡倾斜角α；磁场传感单元，其具有磁易轴和与磁易轴垂直的磁敏感轴，磁场传感单元包括形成于斜坡的倾斜表面的第二磁电阻条和位于第二磁电阻条上并与第二磁电阻条成预定角度的相互平行的若干个第二短路条，第二磁电阻条和第二短路条之间的夹角为γ，所述掩模板包括位于所述掩模板平面内的第一磁电阻条和与所述第一磁电阻条成预定角度的相互平行的若干个第一短路条，其特征在于，所述方法包括：将所述第一磁电阻条和第一短路条之间的夹角设置为β，其中，tan(β)＝tan(γ)cos(α)。
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公开(公告)号：CN117110956A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311039696.4
申请日：2023-08-17
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
Abstract: 本发明提供一种TMR磁传感器，其包括：耦接于电源端和输出端之间的第一桥臂；耦接于输出端和接地端之间的第二桥臂；第一桥臂和第二桥臂中的一个为阻值随磁场变化的电阻，另一个为阻值不随磁场变化的电阻，第一桥臂和第二桥臂形成于同一个衬底上，阻值随磁场变化的电阻包括多个磁隧道结，在电流流过阻值随磁场变化的电阻时，电流在磁隧道结的结区的流动方向与所述衬底的表面垂直；在电流流过阻值不随磁场变化的电阻时，电流的流动方向与所述衬底的表面平行。这样，采用一次退火方式就可以实现所述TMR磁传感器，无需采用软磁材料屏蔽TMR磁传感器中的桥臂实现单芯片集成，降低了TMR磁传感器工艺制造的难度。
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