公开(公告)号：CN107180864A

公开(公告)日：2017-09-19

申请号：CN201710138580.4

申请日：2017-03-09

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 添野明高 ,  妹尾贤 ,  久野敬史 ,  桑野聪 ,  柿本规行 ,  金丸俊隆 ,  桥本健太 ,  利田祐麻

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种开关元件，并提供一种能够抑制第一金属层产生裂纹的情况，并能够确保开关元件的耐压，且能够降低开关元件导通时的电阻的技术。设置有在半导体基板的上表面上以网眼状延伸的沟槽(栅电极)，半导体基板的上表面被层间绝缘膜覆盖。在元件范围内的层间绝缘膜上，于各个单元区的上部设置有接触孔，在围绕范围内，于各个单元区内上表面整体被层间绝缘膜覆盖。第一金属层对层间绝缘膜进行覆盖，并且在接触孔的上部具有凹部。绝缘保护膜对围绕范围内的第一金属层的外周侧的部分进行覆盖。第二金属层在绝缘保护膜的开口内对第一金属层进行覆盖。在围绕范围内设置有延伸至各个沟槽的下侧并与体区导通的第二导电型区域。

公开(公告)号：CN107148675A

公开(公告)日：2017-09-08

申请号：CN201580042749.5

申请日：2015-09-04

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 妹尾贤 ,  平林康弘

IPC: H01L29/739 ,  H01L27/04 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明提供一种IGBT的导通电压较低且二极管的反向恢复电流较小的半导体装置。所述半导体装置具有半导体基板，所述半导体基板具有被形成在表面上的栅极沟槽和虚设沟槽。半导体基板在栅极沟槽与虚设沟槽之间具有发射区、体区、势垒区和柱区。发射区为与栅极绝缘膜相接且露出于表面的n型区域。体区为在发射区的背面侧与栅极绝缘膜相接的p型区域。势垒区为在体区的背面侧与栅极绝缘膜相接且与虚设绝缘膜相接的n型区域。柱区为与表面电极连接且与势垒区相连的n型区域。

公开(公告)号：CN106972051A

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：CN201611108931.9

申请日：2016-12-06

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 大河原淳 ,  妹尾贤

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明提供一种IGBT，具体提供一种使具有矩形沟槽的IGBT的饱和电流降低的技术。该IGBT具备：矩形沟槽，其具有第一沟槽～第四沟槽；栅电极，其被配置在矩形沟槽内。发射区具备：第一发射区，其与第一沟槽相接；第二发射区，其与第三沟槽相接。体接触区具备：第一体接触区，其与第二沟槽相接；第二体接触区，其与第四沟槽相接。表层体区在从各个连接部起至发射区的范围内与沟槽相接。

公开(公告)号：CN106206698A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610354183.6

申请日：2016-05-25

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 妹尾贤

IPC: H01L29/739

Abstract: 本发明涉及一种反向导通绝缘栅双极性晶体管，并提供一种在二极管区内设置有势垒区的反向导通IGBT中，使反向导通IGBT结构的功率损耗的降低与二极管结构的反向恢复特性的改善同时实现的技术。反向导通IGBT(1)具备被设置在半导体基板(10)的反向导通IGBT区(14a)内的具有格子状的布局的沟槽栅部(30)以及被设置在半导体基板(10)的二极管区(14b)内的具有条纹状的布局的虚设沟槽部(40)。半导体基板(10)的二极管区(14b)包含p型的体区(阳极区)(25)、n-型的漂移区(23)及势垒区(24)。势垒区(24)通过从半导体基板(10)的上表面起延伸的柱区(26)而与发射极(38)电连接。

公开(公告)号：CN105871363A

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201511030906.9

申请日：2015-12-31

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 早稻仓真树 ,  妹尾贤 ,  利行健

IPC: H03K17/567

CPC classification number: H01L29/7393 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/7395 ,  H03K17/166 ,  H03K17/567

Abstract: 本发明提供一种降低在IGBT中产生的关断损耗的开关电路及半导体装置。通过第一IGBT与第二IGBT的并联电路而进行开关。在进行大电流的控制时，将第一IGBT和第二IGBT双方同时置于导通或断开，从而减轻作用于各IGBT的负荷。在进行小电流的控制时，使第一IGBT和第二IGBT中的一方先行断开，从而降低关断损耗。第二对象IGBT既可以始终断开，也可以在第一对象IGBT导通的期间的一部分期间内导通。既可以将第一IGBT与第二IGBT中的一方固定设为第二对象IGBT，也可以交替地设为第二对象IGBT。

公开(公告)号：CN105793990A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201480066442.4

申请日：2014-10-07

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 町田悟 ,  山下侑佑 ,  妹尾贤 ,  大河原淳 ,  平林康弘 ,  细川博司

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/41 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/083 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/36 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8611

Abstract: 本发明涉及一种纵型半导体装置，其中，缓冲层具有n+型的第一缓冲区与n+型的第二缓冲区。第一缓冲区被形成于从半导体层的第一主面起的第一深度处，且该第一缓冲区的杂质浓度与漂移层的杂质浓度相比较浓。第二缓冲区被形成于从半导体层的第一主面起的与第一深度相比较浅的第二深度处，且该第二缓冲区的杂质浓度与漂移层的杂质浓度相比较浓。第一缓冲区在半导体层的第一深度的面内划定了开口。第二缓冲区在半导体层的第二深度的面内划定了开口。

公开(公告)号：CN103582936B

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201180071452.3

申请日：2011-06-09

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 妹尾贤 ,  山葺伦央

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/322 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/0615 ,  H01L21/221 ,  H01L27/0664 ,  H01L27/0761 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/32 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法，其能够以较高的定位精度在预定范围内形成寿命控制区。在半导体装置（1）中，在同一半导体基板上并存有IGBT元件区（J1）和二极管元件区（J2）。IGBT元件区（J1）具备第二导电型的漂移层（60）和第一导电型的体层（30）。二极管元件区（J2）具备第二导电型的漂移层（60）和第一导电型的阳极层（31）。二极管元件区（J2）的漂移层（60）中所含有的重金属（62）的密度，与IGBT元件区（J1）的漂移层（60）中所含有的重金属（62）的密度相比较高。

公开(公告)号：CN104170090A

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201280068176.X

申请日：2012-03-22

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 妹尾贤

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明所公开的半导体装置具备半导体基板、和形成于半导体基板的非单元区域的表面的场板部。非单元区域具备多个FLR层。场板部具备：形成在半导体基板的表面的绝缘膜；多个第1导电膜，所述多个第1导电膜在绝缘膜的内部按每个FLR层形成，当俯视半导体基板时沿着对应的FLR层配置；和多个第2导电膜，所述多个第2导电膜与邻接的至少2个FLR层分别对应形成，当俯视半导体基板时，所述多个第2导电膜沿着对应的FLR层在该对应的FLR层的一部分上断续地配置，所述多个第2导电膜具备形成在绝缘膜的表面的表面部、从表面部延伸并贯穿绝缘膜来与第1导电膜电连接的第1连接部、和从表面部延伸并贯穿绝缘膜而与FLR层电连接的第2连接部。在1个第2导电膜的第1连接部、第2连接部沿第2方向邻接的位置没有设置其他第2导电膜的第1连接部、第2连接部。

公开(公告)号：CN103843142A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201180073862.1

申请日：2011-09-28

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 妹尾贤 ,  宫城恭辅 ,  西胁刚 ,  斋藤顺

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66348 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/36 ,  H01L29/6634 ,  H01L29/7396 ,  H01L29/7397

Abstract: 本发明提供一种绝缘栅双极性晶体管及其制造方法，该绝缘栅双极性晶体管具备：发射区；顶部体区，其被形成在发射区的下侧；浮置区，其被形成在顶部体区的下侧；底部体区，其被形成在浮置区的下侧；沟槽；栅绝缘膜，其覆盖沟槽的内表面；栅电极，其被配置于沟槽的内部。在沿着半导体基板的厚度方向来观察与发射区相比位于下侧的顶部体区内和浮置区内的p型杂质浓度分布时，p型杂质浓度随着从与发射区相比位于下侧的顶部体区的上端趋向下侧而减少，且在浮置区内的预定深度处达到极小值。

公开(公告)号：CN103262247A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201180059439.6

申请日：2011-03-15

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 妹尾贤

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7397

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置。本说明书所公开的第一半导体装置具有：第一导电型的漂移区，其被形成在半导体基板中；第二导电型的体区，其被形成在漂移区的表面侧的、半导体基板的表面上；第一导电型的第一半导体区，其被形成在体区的表面的一部分上；沟槽栅型的绝缘栅，其贯穿第一半导体区和体区并被形成至与漂移区相接的深度。绝缘栅中的从体区起靠漂移区侧的部分的深度在绝缘栅的长度方向上的中央部处深于两端部处。