公开(公告)号：CN108198893A

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201810090987.9

申请日：2018-01-30

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 肖红领 ,  王琨 ,  王权 ,  李巍 ,  姜丽娟 ,  冯春 ,  王翠梅 ,  王晓亮

IPC: H01L31/075 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/075 ,  H01L31/03048 ,  H01L31/1848

Abstract: 本发明提供了一种氮面极性InGaN太阳能电池结构，其包括：n型GaN层、i区光吸收层、p型GaN层、分别镀在n型GaN层和p型GaN层表面的金属电极；i区光吸收层位于n型GaN层的上面，p型GaN层位于i区光吸收层的上面；其中，n型GaN层、i区光吸收层、p型GaN层的极性为N面极性，太阳光由上表面入射到太阳能电池结构。本发明的特点是外延层为氮面极性，使得光吸收层i-InGaN层中的总极化电场与内建电场方向相同，从而使极化效应不会阻碍光生载流子的分离和输运，以得到高效的InGaN太阳能电池。

公开(公告)号：CN106601790A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201611255799.4

申请日：2016-12-29

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王晓亮 ,  姜丽娟 ,  冯春 ,  王权 ,  肖红领 ,  王翠梅

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L29/201 ,  H01L29/207 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7788 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/201 ,  H01L29/207 ,  H01L29/66462

Abstract: 本发明公开了纵向调制掺杂氮化镓基场效应晶体管结构及其制作方法，晶体管结构包括一衬底，在衬底上依次生长形成成核层、第一有意掺杂层、第一非有意掺杂层、第二有意掺杂层、第二非有意掺杂层、非有意掺杂高迁移率层、非有意掺杂氮化铝插入层、非有意掺杂铝镓氮势垒层和非有意掺杂氮化镓盖帽层。本发明采用多次掺杂结构缓冲层，代替传统的单次掺杂结构缓冲层，可以解决单次掺杂产生的Fe浓度分布梯度大、近缓冲层表面处电阻率低的缺点和容易发生漏电等缺点。

公开(公告)号：CN103904134B

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201410112734.9

申请日：2014-03-25

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 康贺 ,  王晓亮 ,  肖红领 ,  王翠梅 ,  冯春 ,  姜丽娟 ,  殷海波 ,  崔磊

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/329

Abstract: 一种基于GaN基异质结构的二极管，包括：一衬底；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；一异质结构势垒层，其制作在缓冲层上；与缓冲层形成二维电子气的异质结构外延层；一P型盖帽层，其制作在异质结构势垒层上，其两侧形成台面；一欧姆接触阳极，其制作在异质结构势垒层上，位置在紧挨着台面的一侧；一欧姆接触阴极，其制作在异质结构势垒层上，且远离P型盖帽层的另一侧的台面上；一肖特基阳极，其制作在P型盖帽层和欧姆接触阳极上；一第一电极，其制作在肖特基接触上；一第二电极，其制作在欧姆接触阴极上。本发明可以降低器件的开启电压，同时实现器件低反向漏电和高阻断特性工作。

公开(公告)号：CN106024881A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610594320.3

申请日：2016-07-26

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王翠梅 ,  冯春 ,  王晓亮 ,  王权 ,  肖红领 ,  姜丽娟 ,  殷海波

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L29/66462

Abstract: 一种双异质氮化镓基场效应晶体管结构，包括：一衬底；一成核层制作在衬底上面；一Fe有意掺杂铝镓氮掺杂层制作在成核层上面；一非有意掺杂高质量铝镓氮外延层制作在Fe有意掺杂铝镓氮掺杂层上面；一非有意掺杂氮化镓沟道层制作在非有意掺杂高质量铝镓氮外延层上面；一氮化铝插入层制作在非有意掺杂氮化镓沟道层上面；一非有意掺杂铝镓氮势垒层制作在氮化铝插入层上面；一非有意掺杂氮化镓盖帽层制作在非有意掺杂铝镓氮势垒层上面，本发明可以提高外延材料的晶体质量，达到高电子限阈和高晶体质量的双赢。

公开(公告)号：CN104505400A

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201510003953.8

申请日：2015-01-06

Applicant: 北京华进创威电子有限公司 ,  中国科学院半导体研究所

Inventor： 王晓亮 ,  李巍 ,  肖红领 ,  冯春 ,  姜丽娟 ,  殷海波 ,  王翠梅 ,  李百泉

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L29/0684 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明公开了一种InxAl1-xN/AlN 复合势垒层氮化镓基异质结高电子迁移率晶体管结构，包括：一衬底；一成核层，该成核层制作在衬底上，该成核层的厚度为0.01-0.60μm；一高阻层，该高阻层制作在成核层上面；一高迁移率层，该高迁移率层制作在高阻层上面；一InxAl1-xN/AlN复合势垒层，该复合势垒层制作在高迁移率层上面；一氮化镓帽层，该氮化镓帽层制作在InxAl1-xN/AlN复合势垒层上面，厚度为1-5nm。通过引入高铝组分的InxAl1-xN/AlN 复合势垒层，即使在复合势垒层较薄时，仍具有更高的二维电子气面密度，约为相同条件下传统铟铝氮/氮化镓高电子迁移率晶体管结构的1.5-2倍。

公开(公告)号：CN103904134A

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201410112734.9

申请日：2014-03-25

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 康贺 ,  王晓亮 ,  肖红领 ,  王翠梅 ,  冯春 ,  姜丽娟 ,  殷海波 ,  崔磊

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/452 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66143

Abstract: 一种基于GaN基异质结构的二极管，包括：一衬底；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；一异质结构势垒层，其制作在缓冲层上；与缓冲层形成二维电子气的异质结构外延层；一P型盖帽层，其制作在异质结构势垒层上，其两侧形成台面；一欧姆接触阳极，其制作在异质结构势垒层上，位置在紧挨着台面的一侧；一欧姆接触阴极，其制作在异质结构势垒层上，且远离P型盖帽层的另一侧的台面上；一肖特基阳极，其制作在P型盖帽层和欧姆接触阳极上；一第一电极，其制作在肖特基接触上；一第二电极，其制作在欧姆接触阴极上。本发明可以降低器件的开启电压，同时实现器件低反向漏电和高阻断特性工作。

公开(公告)号：CN102054673B

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN200910236706.7

申请日：2009-10-28

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 冉军学 ,  王晓亮 ,  李建平 ,  胡国新 ,  肖红领 ,  王翠梅 ,  杨翠柏 ,  李晋闽

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/205

Abstract: 一种III-氮化物半导体材料pn结的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在一衬底上生长p型GaN基材料；步骤2：在p型GaN基材料上面外延非掺杂GaN基材料；步骤3：在非掺杂的GaN基材料上生长非掺杂薄层；步骤4：在非掺杂薄层上生长n型GaN基材料。

公开(公告)号：CN101807523A

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN201010128376.2

申请日：2010-03-17

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 魏萌 ,  王晓亮 ,  潘旭 ,  李建平 ,  刘宏新 ,  王翠梅 ,  肖红领

IPC: H01L21/205

Abstract: 一种在大失配衬底上生长表面无裂纹的GaN薄膜的方法，包括如下步骤：步骤1：选择一大失配衬底；步骤2：在大失配衬底上生长一层氮化物复合缓冲层，该氮化物复合缓冲层可以缓解晶格失配，并且阻止回熔刻蚀反应；步骤3：在氮化物复合缓冲层上生长一层GaN过渡层；步骤4：在GaN过渡层上生长一组超晶格，该超晶格可以释放部分张应力，并能过滤穿透位错；步骤5：在超晶格上面生长GaN外延层，完成GaN薄膜的制备。

公开(公告)号：CN100558947C

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN200710062979.5

申请日：2007-01-24

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王晓亮 ,  肖红领 ,  胡国新 ,  杨翠柏 ,  冉学军 ,  王翠梅 ,  张小宾 ,  李建平 ,  李晋闽

IPC: C30B29/38 ,  C30B25/00

Abstract: 本发明一种生长氮化铟单晶薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：采用金属有机物化学气相沉积技术在衬底上生长一层成核层，该成核层可增加衬底表面的成核密度；步骤3：采用金属有机物化学气相沉积技术在成核层上生长一层缓冲层，该缓冲层可减少外延层的缺陷密度，提高晶体质量；步骤4：采用金属有机物化学气相沉积技术在缓冲层上生长氮化铟单晶薄膜，该氮化铟单晶薄膜表面平整，晶体质量高。

公开(公告)号：CN100379019C

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200410009990.1

申请日：2004-12-09

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王晓亮 ,  王翠梅 ,  胡国新 ,  王军喜 ,  李建平 ,  曾一平 ,  李晋闽

IPC: H01L29/737 ,  H01L21/331

Abstract: 一种双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构，其特征在于，包括：一衬底，该衬底为蓝宝石衬底或碳化硅衬底或硅衬底；一高阻氮化镓缓冲层，该高阻氮化镓缓冲层制作在衬底上；一薄层非故意掺杂铝镓氮插入层，该非故意掺杂铝镓氮插入层制作在高阻氮化镓缓冲层上；一高迁移率氮化镓沟道层，该高迁移率氮化镓沟道层制作在非故意掺杂铝镓氮插入层上；一薄层氮化铝插入层，该氮化铝插入层制作在高迁移率氮化镓沟道层上；一n型掺杂或非故意掺杂铝镓氮势垒层，该n型掺杂或非故意掺杂铝镓氮势垒层制作在薄层氮化铝插入层上。