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公开(公告)号：CN109686715A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201811186259.4
申请日：2018-10-11
Applicant: 钰桥半导体股份有限公司
IPC: H01L23/492 , H01L23/498 , H01L21/48
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L23/492 , H01L21/4821 , H01L23/49822 , H01L23/49833
Abstract: 本发明的互连基板于凹穴周围处设有垂直连接通道，其中垂直连接通道由金属柱与金属化盲孔结合而成。该凹穴包括有核心层中的凹口及加强层中的穿口。设置于核心层顶面上的金属柱封埋于加强层中，且电性连接至邻近核心层底面的增层电路。用于垂直连接的金属柱，其可利用凹穴的深度以降低金属柱所需的最小高度。增层电路通过金属化盲孔，电性连接至金属柱，且更可与凹穴处的导热垫热性导通。
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公开(公告)号：CN106057745B
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201610191252.6
申请日：2016-03-30
Applicant: 钰桥半导体股份有限公司
IPC: H01L23/16 , H01L23/31 , H01L23/498 , H01L21/50 , H01L21/56
CPC classification number: H01L25/0655 , H01L21/486 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L23/16 , H01L23/3121 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/3731 , H01L23/3735 , H01L23/3736 , H01L23/42 , H01L23/4334 , H01L23/5389 , H01L23/544 , H01L24/16 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L25/50 , H01L2221/68318 , H01L2221/68359 , H01L2221/68372 , H01L2221/68386 , H01L2223/54426 , H01L2223/54486 , H01L2224/04105 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/26175 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73253 , H01L2224/73267 , H01L2224/81005 , H01L2224/81203 , H01L2224/81207 , H01L2224/81815 , H01L2224/83005 , H01L2224/8314 , H01L2224/92225 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2924/15313 , H01L2924/3025 , H01L2924/3511 , H01L2224/81 , H01L2224/83
Abstract: 本发明提出一种设有加强层且整合有双路由电路的半导体组件，半导体元件及第一路由电路位于加强层的贯穿开口中，而第二路由电路延伸进入加强层贯穿开口外的区域。该加强层所具有的机械强度可避免阻体发生弯翘情况。该第一路由电路可将半导体元件的垫尺寸及垫间距放大，而该第二路由电路不仅可提供进一步的扇出线路结构，其亦可将第一路由电路与加强层机械接合。
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公开(公告)号：CN108109974A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201611058740.6
申请日：2016-11-25
Applicant: 钰桥半导体股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/522 , H01L23/28
Abstract: 本发明的半导体组件包含有通过第一及第二路由电路而面对面接置在一起的封埋装置与散热增益型装置，并设有一散热座，其可提供散热及电磁屏蔽。封埋装置具有封埋于密封材中的第一半导体芯片，而散热增益型装置具有与散热座的屏蔽盖热性导通的第二半导体芯片，且该第二半导体芯片被散热座的凸柱侧向环绕。第一及第二半导体芯片接置于第一路由电路的相反两侧，且第二路由电路设置于屏蔽盖上，并借由凸块电性耦接至第一路由电路。第一路由电路与第二路由电路提供第一及第二半导体芯片阶段式扇出路由。
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公开(公告)号：CN104851812B
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201510085191.0
申请日：2015-02-17
Applicant: 钰桥半导体股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/498 , H01L23/367
Abstract: 本发明是关于一种半导体元件的制作方法，其具有下述特征步骤：将芯片‑中介层堆栈次组体贴附至散热件，并使芯片插入散热件的凹穴中，且中介层侧向延伸于凹穴外。在贴附中介层堆栈次组体及封胶后，执行中介层背面制程，以完成中介层的制作。散热件可作为散热用，制作完成的中介层则提供芯片的初级扇出路由。此外，于此制作方法中，增层电路电性耦接至中介层，以提供进一步的扇出路由。本发明亦提供一种半导体元件。
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公开(公告)号：CN103779333B
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201310485264.6
申请日：2013-10-16
Applicant: 钰桥半导体股份有限公司
IPC: H01L23/552
Abstract: 在本发明的较佳实施态样中，具有内嵌元件、及电磁屏障的线路板包括：一半导体元件、一核心层、一屏蔽盖、多个屏蔽狭槽及增层电路。增层电路覆盖半导体元件及核心层，屏蔽狭槽及屏蔽盖是通过增层电路而与半导体元件的至少一接地接触垫电性连接，且屏蔽狭槽及屏蔽盖可分别作为半导体元件的有效的水平及垂直电磁屏障。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103596354B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201310327148.1
申请日：2013-07-30
Applicant: 钰桥半导体股份有限公司
IPC: H05K1/02 , H01L23/498
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/19 , H01L2224/45144 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明是有关于一种复合线路板，其包括一中介层、一定位件、一加强层、以及一增层电路。该定位件侧向对准该中介层的外围边缘，并于该中介层的外围边缘外侧向延伸。该中介层延伸进入该加强层的一通孔，且与该增层电路电性连接，该增层电路覆盖该定位件、该中介层、以及该加强层，且提供中介层的信号路由。该加强层提供该增层电路机械性支撑、接地/电源平面，以及散热座。
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公开(公告)号：CN104851812A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510085191.0
申请日：2015-02-17
Applicant: 钰桥半导体股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/498 , H01L23/367
Abstract: 本发明是关于一种半导体元件的制作方法，其具有下述特征步骤：将芯片-中介层堆栈次组体贴附至散热件，并使芯片插入散热件的凹穴中，且中介层侧向延伸于凹穴外。在贴附中介层堆栈次组体及封胶后，执行中介层背面制程，以完成中介层的制作。散热件可作为散热用，制作完成的中介层则提供芯片的初级扇出路由。此外，于此制作方法中，增层电路电性耦接至中介层，以提供进一步的扇出路由。本发明亦提供一种半导体元件。
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公开(公告)号：CN104576409A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410584492.3
申请日：2014-10-27
Applicant: 钰桥半导体股份有限公司
IPC: H01L21/50 , H01L23/367
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L21/561 , H01L23/13 , H01L23/34 , H01L23/367 , H01L23/3675 , H01L23/3735 , H01L23/42 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/5384 , H01L23/5385 , H01L23/544 , H01L24/17 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L25/0655 , H01L2223/54426 , H01L2223/54486 , H01L2224/0401 , H01L2224/05568 , H01L2224/1134 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/81203 , H01L2224/81207 , H01L2224/81815 , H01L2224/83192 , H01L2224/92225 , H01L2224/97 , H01L2225/06517 , H01L2225/06548 , H01L2225/06555 , H01L2225/06572 , H01L2225/06589 , H01L2225/06593 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/15313 , H01L2924/16153 , H01L2924/181 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00 , H01L2224/16225 , H01L2224/05599 , H01L2224/29099
Abstract: 本发明是有关于一种中介层上设有面对面芯片的半导体元件制作方法，其包括下列步骤：将一芯片-中介层堆叠次组件贴附至一散热座上，并使该芯片插入该散热座的凹穴中，以使该散热座对该中介层提供机械性支撑力。该散热座也提供被罩盖的该芯片的散热、电磁屏蔽、以及湿气阻障功能。此方法还将第二芯片电性耦接至中介层的第二表面，并可选择性地将第二散热座贴附至第二芯片。
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公开(公告)号：CN103594381A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310326180.8
申请日：2013-07-30
Applicant: 钰桥半导体股份有限公司
CPC classification number: H01L2224/04105 , H01L2224/19 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/73267 , H01L2224/8314 , H01L2224/92144 , H01L2224/92244 , H01L2924/181 , H01L24/19 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明是有关于一种具有内建定位件的半导体组体，以及其制造方法。根据本发明的一较佳实施态样，该方法包括：使用定位件作为半导体元件的配置导件，将半导体元件设置至介电层上；将加强层贴附于介电层；以及形成覆盖半导体元件、定位件、以及加强层的增层电路，以提供半导体元件的信号路由。据此，定位件可准确的限制半导体元件的设置位置，以避免半导体元件以及增层电路之间的电性连接失败。
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公开(公告)号：CN103515247A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201310234434.3
申请日：2013-06-13
Applicant: 钰桥半导体股份有限公司
IPC: H01L21/48
CPC classification number: H01L21/486 , H01L21/4857 , H01L23/13 , H01L23/5389 , H01L2224/16227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2924/12042 , H01L2924/15153 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/18161 , H01L2924/351 , H01L2924/00
Abstract: 本发明是有关于一种制造凹穴基板的方法。根据一较佳实施例，该方法包括：提供一牺牲载板以及选择性地提供一电性接垫，其是自牺牲载板向第一垂直方向延伸；提供一介电层，其是于第一垂直方向覆盖牺牲载板；移除牺牲载板的一选定部分；使一加强层于第二垂直方向附着至介电层；于第一垂直方向形成一增层电路；以及移除牺牲载板的剩余部分以于第二垂直方向显露电性连接点。一半导体装置可被设置于凹穴基板上，并于凹穴基板的内建凹穴中与电性连接点电性连接。加强层可提供增层电路以及半导体装置的机械性支撑。
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