公开(公告)号：CN100502176C

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN03147458.6

申请日：2003-07-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小野泽和利 ,  上田哲三 ,  上田大助

IPC: H01S5/022 ,  H01S5/40 ,  H01L23/12 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L24/95 ,  H01L25/0753 ,  H01L2224/95085 ,  H01L2224/95146 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/10349 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15165 ,  H01S5/02252 ,  H01S5/4031 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，优点是在将多个半导体元件混合集成化而形成的半导体装置中，制造时既采用FSA工艺，又可以容易并且确实地安装各半导体元件。该制造方法的特征是：半导体激光装置(100)具备：具有邻接主面形成的第一凹部(10a)以及第二凹部(10b)的基板(10)；分别嵌入一部分到各凹部(10a、10b)中的第一半导体激光元件11以及第二半导体激光元件(12)。各凹部(10a、10b)的深度都要比嵌入凹部(10a、10b)的第一以及第二半导体激光元件(11、12)的高度要小。

公开(公告)号：CN1320652C

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200410064104.5

申请日：2004-08-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 石田秀俊 ,  田中毅 ,  上田大助

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/00 ,  H01L29/80

CPC classification number: H01L29/42316 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787 ,  Y10S257/918

Abstract: 提供一种开关用半导体器件，具有在由碳化硅或者蓝宝石构成的单晶基片(101)上形成的由InxGa1-xN(其中，0≤x≤1)构成的第一化合物层(102)、在第一化合物层(102)上形成的由InyAlzGa1-y-zN(其中，0≤y≤1、0＜z≤1)构成的第二化合物层(103)、和在第二化合物层(103)上形成的栅电极(105)。栅电极(105)通过在覆盖第一层间绝缘膜(106)的第二层间绝缘膜(107)上形成的金属布线(109)，与在覆盖该栅电极(105)的第一层间绝缘膜(106)上形成的电阻元件(108)电连接。这样，可以同时实现导通电阻的减小和截止电容的减小，并且获得栅宽的最优设计值。

公开(公告)号：CN1918459A

公开(公告)日：2007-02-21

申请号：CN200480041703.3

申请日：2004-02-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 吉田真治 ,  上田大助

IPC: G01J1/02 ,  H01C7/04 ,  H01L27/14 ,  H01L37/00

CPC classification number: H01C7/045 ,  G01J5/20 ,  H01C7/06 ,  H01L27/16 ,  H01L31/09 ,  H01L37/00 ,  H01L41/094 ,  H04N5/33

Abstract: 本发明的红外线摄像元件的特征在于，具备一维或二维排列的多个像素单元(1a－1d)，各像素单元包含热敏电阻，该热敏电阻由强相关电子类材料构成。由此，能够提供温度分辨率比以往高的红外线摄像元件。

公开(公告)号：CN1551373A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN200410044704.5

申请日：2004-05-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 村田智洋 ,  广濑裕 ,  池田义人 ,  田中毅 ,  井上薰 ,  上田大助 ,  上本康裕

IPC: H01L29/812 ,  H01L21/338 ,  H01L33/00 ,  H01S5/30

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/41766

Abstract: 一种半导体装置，由III－V族氮化物半导体构成并具有通孔结构，包括：在导电性基板(11)上形成的由高阻抗AlxGa1－xN构成的缓冲层(12)；在该缓冲层(12)上形成的具有沟道层的由非掺杂GaN和N型AlyGa1－yN构成的元件形成层(14)；在元件形成(14)上选择形成的源电极(16)、漏电极(17)和栅电极(15)。源电极(16)通过填充于在缓冲层(12)和元件形成层(14)上设置的贯通孔(12a)而与导电性基板(11)电连接。这样，通过在防止基板和半导体层之间产生漏泄电流的同时使通孔的形成变得容易而获得高频特性、高输出特性和大功率特性。

公开(公告)号：CN1538528A

公开(公告)日：2004-10-20

申请号：CN200410043100.9

申请日：2004-04-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山口琢己 ,  上田大助 ,  片山琢磨 ,  胜野元成 ,  吉田真治

IPC: H01L27/14 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14625 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14636 ,  H04N9/045

Abstract: 在光电二极管上方形成光屏蔽膜，所述光电二极管将所接收到的光转换为电信号，在所述光电二极管和所述光屏蔽膜之间夹有绝缘膜。在截止膜中形成窗孔，以致截止所述光电二极管敏感的光线的波长范围内的至少预定波长的光线，允许低于所述预定波长的光线穿过。

公开(公告)号：CN1082248C

公开(公告)日：2002-04-03

申请号：CN96102294.9

申请日：1996-06-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 野间淳史 ,  上田大助

IPC: H01L27/00

CPC classification number: H01L28/40

Abstract: 在形成于半导体基板上边的基底绝缘膜的上边形成由下部电极、由强电介质构成的陶瓷电容器膜和上部电极构成的强电介质电容器。在半导体基板的上边形成层间绝缘膜，使得把强电介质电容器覆盖起来，并在层间绝缘膜的上边形成电极布线。在存在于上部电极的侧面和陶瓷电容器膜的上表面的交点与陶瓷电容器膜的侧面和下部电极的上表面的交点之间的陶瓷电容器膜的表面的长度L，和陶瓷电容器膜的厚度D之间，L≥2D的关系成立。