公开(公告)号：CN102356477A

公开(公告)日：2012-02-15

申请号：CN200980158076.4

申请日：2009-07-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 横川俊哉 ,  井上彰 ,  藤金正树 ,  大屋满明 ,  山田笃志 ,  矢野正

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L25/0753 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的照明装置，是至少具有第一和第二氮化物系半导体发光元件的照明装置，第一和第二氮化物系半导体发光元件分别具有半导体芯片(45)，该半导体芯片含有由AlxInyGazN(x+y+z＝1、x≥0、y≥0、z≥0)半导体形成的氮化物系半导体层叠结构(20)，并且氮化物系半导体层叠结构(20)含有其m面为界面的活性层区域(24)，第一和第二氮化物系半导体发光元件均从活性层区域(24)出射偏振光，在将第一和第二氮化物系半导体发光元件出射的偏振光的波长分别设为λ1和λ2、第一和第二氮化物系半导体发光元件的半导体芯片(45)的厚度分别设为d1和d2时，满足λ1＜λ2且d1＜d2的关系。

公开(公告)号：CN102326267A

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：CN201080008160.0

申请日：2010-12-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 横川俊哉 ,  加藤亮

IPC: H01L33/32 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0262 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0265 ,  H01L33/007 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明提供一种氮化物系半导体发光元件及其制造方法。本发明的氮化物系半导体发光元件是具有氮化物系半导体层叠结构(50a)的氮化物系半导体发光元件，氮化物系半导体层叠结构(50a)包括：包含AlaInbGacN结晶层(a+b+c＝1，a≥0，b≥0，c≥0)的活性层(32)；AldGaeN溢出抑制层(36)(d+e＝1，d＞0，e≥0)；和AlfGagN层(38)(f+g＝1，f≥0，g≥0，f＜d)，AldGaeN溢出抑制层(36)设置在活性层(32)与AlfGagN层(38)之间，AldGaeN溢出抑制层(36)包括含有浓度在1×1016atms/cm3以上且8×1018atms/cm3以下的In的层(35)。氮化物系半导体层叠结构(50a)的主面的法线与m面的法线形成的角度在1°以上且5°以下。

公开(公告)号：CN102007576A

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN201080001395.7

申请日：2010-03-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大屋满明 ,  横川俊哉 ,  山田笃志 ,  矶崎瑛宏

IPC: H01L21/28 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40

Abstract: 本发明提供一种氮化物系半导体发光元件及其制造方法。氮化物系半导体发光元件(100)包括：以m面(12)为表面的GaN基板(10)、在GaN基板(10)的m面(12)上形成的半导体叠层结构(20)、和在半导体叠层结构(20)上形成的电极(30)。电极(30)包含Mg层(32)、和形成在Mg层(32)上的Ag层(34)，Mg层(32)与半导体叠层结构(20)中的p型半导体区域的表面相接触。

公开(公告)号：CN101971364A

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200980101726.1

申请日：2009-06-04

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 横川俊哉 ,  大屋满明 ,  山田笃志 ,  加藤亮

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/16 ,  H01L33/30 ,  H01L33/40 ,  H01L33/44 ,  H01L2224/14 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种氮化物类半导体元件及其制造方法。氮化物类半导体发光元件(100)具备：以m面(12)作为表面的GaN类基板(10)、在GaN类基板(10)的m面(12)之上形成的半导体层叠构造(20)、和在半导体层叠构造(20)之上形成的电极(30)。电极(30)包括Mg层(32)，Mg层(32)与半导体层叠构造(20)中的p型半导体区域的表面相接触。

公开(公告)号：CN101496236A

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200780028446.3

申请日：2007-07-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 安杖尚美 ,  菅原岳 ,  长谷川義晃 ,  石桥明彦 ,  横川俊哉

IPC: H01S5/042

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/40 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3202 ,  H01S2304/04

Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件，具备：含有n型杂质，由碳化硅或氮化物半导体形成的GaN基板(1)；配置在GaN基板(1)的主面上的叠层构造体(10)；形成在叠层构造体(10)上的p电极(17)；和实质覆盖整个GaN基板(1)背面的第一n电极(18)；和配置在第一n电极(18)上，使第一n电极(18)的周边部的至少一部分露出的第二n电极(20)。

公开(公告)号：CN100477425C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200680000267.4

申请日：2006-05-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 长谷川义晃 ,  石桥明彦 ,  横川俊哉

IPC: H01S5/323 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01S5/32341 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L33/382 ,  H01L33/40 ,  H01S5/0425

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体装置，该氮化物半导体装置(100)具备：n-GaN基板(1)；形成于n-GaN基板(1)的主面上，包括p型区域及n型区域的半导体叠层构造；与半导体叠层构造中所含的p型区域的一部分接触的p侧电极(32)；设于基板(1)的背面的n侧电极(34)。基板(1)的背面包括粗糙区域(40a)和平坦区域(40b)，n侧电极(34)将粗糙区域(40a)的至少一部分覆盖。

公开(公告)号：CN101356701A

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200680050923.1

申请日：2006-12-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 长谷川義晃 ,  菅原岳 ,  横川俊哉

IPC: H01S5/042

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/22

Abstract: 本发明的氮化物半导体器件，包括：n－GaN基板(10)，形成在n－GaN基板(10)的主面上的、包含p型区和n型区及其之间的有源层的半导体叠层结构。在半导体叠层结构上面处形成具有开口部的SiO2层(30)和与半导体叠层结构中所包含的p型区域的一部分相接触的p侧电极，在基板(10)的背面处形成n侧电极(36)。p侧电极包含与p型区的一部分相接触的p侧接触电极(2)和覆盖p侧接触电极(2)及SiO2层(30)的p侧布线电极(34)，p侧接触电极(32)的一部分自p侧布线电极(34)露出。

公开(公告)号：CN101346857A

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200680049460.7

申请日：2006-12-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 长谷川義晃 ,  横川俊哉 ,  山田笃志 ,  松田佳昭

IPC: H01S5/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/301 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/78 ,  H01L33/0095 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2201 ,  Y10S148/028

Abstract: 本发明是一种具备基板和被基板的上面所支持的叠层结构(40)的氮化物半导体元件的制造方法，首先，准备需要被分割成单个基板的晶片(1)。使构成叠层结构(40)的多个半导体层在晶片(1)上生长。通过解理晶片(1)及半导体层形成叠层结构(40)的解理面。在本发明中，在叠层结构中要形成解理面的位置中配置多个空隙。因此，就能够合格率高地进行解理。

公开(公告)号：CN1961432A

公开(公告)日：2007-05-09

申请号：CN200580013357.2

申请日：2005-04-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 石桥明彦 ,  横川俊哉 ,  岛本敏孝 ,  长谷川义晃 ,  川口靖利 ,  木户口勋

IPC: H01L33/00 ,  C23C16/34 ,  H01L21/205 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/0265 ,  H01L33/0075 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3216 ,  H01S2301/173 ,  H01S2304/04 ,  H01S2304/12

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体的制造方法，包括：准备n－GaN基板(101)的工序(A)；在基板(101)上形成具有与基板(101)的主面平行的上面的多个条纹状脊的工序(B)；在多个条纹状脊的上面选择性地生长以第一浓度含有n型杂质的AlxGayInzN晶体(0≤x、y、z≤1；x+y+z＝1)(104)的工序(C)；在AlxGayInzN晶体(104)上生长以低于所述第一浓度的第二浓度含有n型杂质的Alx’Gay’Inz’N晶体(0≤x’、y’、z’≤1；x’+y’+z’＝1)(106)，将相邻的2个AlxGayInzN晶体(104)用Alx’Gay’Inz’N晶体(106)连结而形成1个氮化物半导体层(120)的工序(D)。

公开(公告)号：CN1922772A

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：CN200580005185.4

申请日：2005-11-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 岛本敏孝 ,  川口靖利 ,  长谷川义晃 ,  石桥明彦 ,  木户口勋 ,  横川俊哉

IPC: H01S5/343 ,  H01S5/22 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01S5/22 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0265 ,  H01S5/32341 ,  H01S2304/12

Abstract: 本发明的氮化合物系半导体装置具备支承于具有导电性的基板构造物101的半导体叠层构造物。基板构造物101的主面具有：作为氮化合物系半导体的纵向生长的晶种而起作用的至少1个纵向生长区域；及使在所述纵向生长区域上生长的氮化合物半导体的横向生长成为可能的多个横向生长区域。在设定由箭头A表示的纵向生长区域的尺寸的总和为∑X，该方向的多个横向生长区域的尺寸的总和为∑Y时，∑X/∑Y＞1.0的关系成立。