公开(公告)号：CN104617212A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201410804385.7

申请日：2014-12-18

Applicant: 上海大学

Inventor： 张建华 ,  殷录桥 ,  宋朋

IPC: H01L33/64

CPC classification number: H01L33/641

Abstract: 本发明一种LED封装组件，包括：基板，设置在所述基板上的LED芯片，所述金刚石固封层的底部开设凹槽，所述凹槽与所述LED芯片尺寸相匹配；与所述金刚石底部的凹槽边缘相对位置的所述基板上设有封装胶，所述金刚石固封层收容所述LED芯片，且通过所述封装胶固封在所述基板上。在LED芯片封装技术领域，本方案首次采用金刚石材料作为固封层，金刚石材料热导率较之硅胶等材料的热导率高很多，也就是说采用本方案的LED封装组件的散热效果佳。

公开(公告)号：CN104600016A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201410806003.4

申请日：2014-12-18

Applicant: 上海大学

Inventor： 张建华 ,  殷录桥 ,  白杨

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/687 ,  H01L21/677 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/48 ,  H01L21/677 ,  H01L21/681 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明的倒装LED芯片定位封装设备，包括：支撑平台；芯片放置装置，放置在支撑平台上，且放置LED芯片；基板放置装置，放置在支撑平台上，且放置基板；以及移动支架，在支撑平台上移动；移动支架包括：支杆件和连接支杆件的横杆；吸头件，绕横杆自转或横向移动；控制装置，控制移动支架移动和吸头件转动。采用本方案倒装LED芯片定位封装设备，通过控制装置控制移动支架移动和吸头件转动，控制装置根据预设的LED芯片位置数据，控制移动支架移动至对应LED芯片的上空，并通过吸头件自动吸起LED芯片。然后，根据预设的基板位置数据，把确定选取的LED芯片放置待焊接的基板位置处，完成全自动化的移动操作。

公开(公告)号：CN102769086B

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201210234808.7

申请日：2012-07-09

Applicant: 上海大学

Inventor： 殷录桥 ,  付美娟 ,  张建华 ,  翁菲

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/62 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明涉及了一种基于硅基板通孔技术倒装芯片的发光二极管及其制造工艺。本发光二极管包括：荧光层、n型电流扩展层、发光层、p型电流扩展层、金属反光层、p型电极焊盘、金属通孔、绝缘层、n型电极焊盘、硅基板线路层、硅基板绝缘层、硅基板、硅基板负电极、硅基板负电极金属通孔、硅基板正电极金属通孔、硅基板正电极焊盘、硅基板通孔绝缘层、芯片蓝宝石衬底。针对当前大功率LED存在的结构缺陷，提供一种基于硅基板通孔技术倒装芯片的发光二极管及其制造工艺，通过刻蚀技术或者激光技术分别在倒装LED芯片及硅基板上制作出通孔电极、并进行共晶焊接完成封装。本发光二极管器件无需金丝键合，此技术有利于在大规模晶片级封装的开展，而且此技术不仅通过通孔提高了散热性能，而且提高了LED芯片封装的可靠性。

公开(公告)号：CN101673802B

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN200910196566.5

申请日：2009-09-27

Applicant: 上海大学 ,  上海半导体照明工程技术研究中心

Inventor： 吴军 ,  殷录桥 ,  张建华 ,  李抒智 ,  马可军 ,  杨卫桥

IPC: H01L33/00 ,  H01L25/075 ,  H01L23/13 ,  H01L23/367 ,  H01L23/427 ,  H01L23/28 ,  H01L23/14 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L2224/48091 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及了一种集成金属基氮化铝薄膜基板与热管的大功率LED模块及其制备方法。本发明采用单颗或多颗大功率发光二极管LED键合在镀有氮化铝AlN薄膜的铜Cu(或铝Al)基板上，其下部焊接有热管，热管底端焊接有散热片，上部焊接有一个金属框，框内布置有单个或多个发光二极管LED芯片，芯片上部有机硅胶灌封避免了荧光体与芯片直接接触，降低了荧光体光衰；硅胶上部为荧光粉胶体层，荧光体形状为中间厚，周围薄，大大提高了出光均匀性；热管与基板、基板与金属框均采用回流焊接，减少了界面热阻。本发明从衬底、粘结层、荧光粉、基板等多个层次上提高大功率发光二极管LED芯片的散热能力和光学性能，器件可靠性高，可广泛应用于照明领域。

公开(公告)号：CN119546019A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202411426568.X

申请日：2024-10-14

Applicant: 上海大学

Inventor： 张建华 ,  殷录桥 ,  周浩杰

IPC: H10H29/10 ,  H10H29/01 ,  H10H20/813

Abstract: 本发明公开一种基于垂直堆叠的全彩Micro‑LED微显示器件及其制备方法，涉及显示器件技术领域。所述微显示器件包括：由下至上依次设置的CMOS驱动基板和以垂直堆叠形式排布的三色外延层，所述CMOS驱动基板和所述三色外延层之间还设有P电极，所述三色外延层的顶端还设有共N电极。本发明能够通过垂直堆叠的结构设计，避免传统水平方向上三像素并排布局的局限。

公开(公告)号：CN119230668A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202411238936.8

申请日：2024-09-05

Applicant: 上海大学

Inventor： 殷录桥 ,  张建华 ,  王昕怡

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/48 ,  H01L33/22 ,  H01L23/14

Abstract: 本发明公开一种基于混合键合工艺的Micro‑LED显示器及其制备方法，涉及显示器制备技术领域。所述制备方法包括：利用硅基板和聚合物材料制备Micro‑LED显示器的基板；使用倒装键合机，并通过施加压力和温度将所述基板与Micro‑LED芯片之间进行混合键合，得到Micro‑LED显示器。本发明能够通过引入聚合物材料，提升Micro‑LED显示器件的性能和可靠性。

公开(公告)号：CN117855258A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202410026383.3

申请日：2024-01-08

Applicant: 上海大学

Inventor： 任开琳 ,  杨翰林 ,  殷录桥 ,  张建华

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明公开一种p‑GaN增强型鳍式HEMT器件及其制备方法，涉及高电子迁移率晶体管技术领域。所述器件中第一台体和第二台体平行设置，各鳍型单元设置在第一台体和第二台体之间，且均与第一台体和第二台体垂直接触设置，相邻的鳍型单元之间不接触；第一台体和第二台体均包括由下向上依次设置的沟道层和势垒层，第一台体上设置源极，第二台体上设置漏极；各鳍型单元均包括由下向上依次设置的沟道层、势垒层和p‑GaN帽层；栅极设置在p‑GaN帽层的上表面、第一侧面和第二侧面、各鳍型单元的第一侧面和第二侧面；p‑GaN帽层的上表面、第一侧面和第二侧面完全被栅极覆盖。本发明可增强栅极控制能力。

公开(公告)号：CN117080319A

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202311048863.1

申请日：2023-08-18

Applicant: 上海大学

Inventor： 殷录桥 ,  张建华 ,  嵇啸啸 ,  周浩杰

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/62 ,  H01L33/52 ,  H01L25/16 ,  H01L25/00 ,  H01L23/00 ,  H01L23/28

Abstract: 本发明公开了用于MICRO‑LED的晶圆级芯片制备及键合方法，包括：暴露出CMOS驱动基板上的像素区；图案化生长金属电极；沉积二氧化硅绝缘层；整圆Micro‑LED芯片与CMOS驱动基板键合；剥离Micro‑LED芯片衬底；制备出单个Micro‑LED像素；腐蚀侧壁刻蚀飞溅的ITO和金属；在单个Micro‑LED像素间沉积绝缘层制备共阴电极。本发明采用晶圆键合模式，键合时无需对准，弥补了die to die的对准精度问题，键合前在CMOS表面进行了金属化与钝化层保护，减小对像素和CMOS的化学损伤，相对于wafer to wafer，减小了键合接触面积，降低键合时的应力，提高键合良率。

公开(公告)号：CN116864520A

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN202310868179.1

申请日：2023-07-14

Applicant: 上海大学

Inventor： 任开琳 ,  史洋 ,  邹夏植 ,  张建华 ,  殷录桥

IPC: H01L29/205 ,  H01L29/20 ,  H01L21/331 ,  H01L29/737

Abstract: 本发明公开一种氮化镓基双极结型晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域；在AlGaN势垒层和GaN沟道层的交界面处通过压电极化和自发极化效应在靠近GaN沟道层一侧产生二维电子气层；从绝缘层的顶面的中部，向下刻蚀至GaN沟道层的底面，形成用于沉积生长P型半导体层的凹槽；从发射区绝缘层的顶面远离P型半导体层的端部和集电区绝缘层的顶面远离P型半导体层的端部，向下刻蚀至发射区AlGaN势垒层的顶面，形成用于沉积生长发射极和集电极的两凹槽；在P型半导体层的顶面沉积生长基极；本发明可大大提高电子在发射区和集电区的迁移率，提升器件的大电流输出能力、功率密度和高频应用能力。

公开(公告)号：CN116581228A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202310602820.7

申请日：2023-05-26

Applicant: 上海大学

Inventor： 殷录桥 ,  张建华 ,  嵇啸啸 ,  周浩杰

IPC: H01L33/52 ,  H01L33/48 ,  H01L33/58 ,  H01L25/075

Abstract: 本发明提供一种柔性Micro LED显示屏及其封装方法，包括基板，所述基板的内部安装有支撑座，所述支撑座内部安装有伸缩柱，所述伸缩柱的顶部连接有垫片，所述垫片的顶部连接在蓝光Micro LED芯片的底部；所述蓝光Micro LED芯片的顶部与像素单元对接，所述像素单元的表面与彩膜单元对接，所述彩膜单元的表面与保护层；本发明通过将封装膜与保护层进行对接时，先将光学胶涂覆在保护层的表面上，此时将封装膜底部的两组侧板与凹口一侧开口对齐，使底块和拨块与保护层底部的凹口对接，这样封装膜底部便会通过两侧的侧板限制在保护层两侧固定的位置上，此时将封装膜向下按压使其底部与光学胶对接，由此在使用时便可以通过该结构提升封装膜安装时的精度。