公开(公告)号：CN100418236C

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：CN03810353.2

申请日：2003-05-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 石桥明彦 ,  横川俊哉 ,  大仲清司 ,  古池进

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0265 ,  H01L33/007 ,  H01L33/10 ,  H01L33/46 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/49107

Abstract: 本发明的目的在于提供一种可在以p型电极为发光观测面的半导体发光元件中，实现较高发光效率的半导体发光元件及其制造方法。该半导体发光元件的特征在于，具有：蓝宝石基板(11)；形成于该基板(11)上，在其上面具有以规定间隔形成条状的多个凹部(121)的u-GaN层(12)；形成于该u-GaN层(12)上的再生长u-GaN层(13)；形成于u-GaN层(13)上，具有n-GaN层(15)、活性层(16)及p-GaN层(19)的层压体；在层压体的一部分被除去而露出的n-GaN层(15)上形成的n型电极(24)；和形成于p-GaN层(19)之上，具有透光性的p型电极(20)，该p型电极(20)构成发光观测面，在u-GaN层(13)的下面与(121)凹部之间形成空气层(S)。

公开(公告)号：CN101124704A

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200680005368.0

申请日：2006-03-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 长谷川義晃 ,  菅原岳 ,  安杖尚美 ,  石桥明彦 ,  横川俊哉

IPC: H01S5/042 ,  H01L21/28 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/32341 ,  H01L21/28575 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/452 ,  H01L29/861 ,  H01L33/20 ,  H01L33/382 ,  H01L33/40 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/0425 ,  H01S2301/173

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体装置，该装置具备：n型GaN衬底(10)、形成于n型GaN衬底(10)的主面上并包含p型区域及n型区域的半导体叠层结构(100)、与半导体叠层结构(100)所含的p型区域的一部分接触的p侧电极(32)、设在n型GaN衬底(10)的背面上的n侧电极(34)，n型GaN衬底的背面包含氮面，其背面和n侧电极(34)的界面上的碳浓度调整为5原子％以下。

公开(公告)号：CN1943084A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200580011771.X

申请日：2005-10-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 安杖尚美 ,  横川俊哉 ,  长谷川义晃

IPC: H01S5/02

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01S5/02

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体元件，是具备：具有上面及下面的基板(1)、和由基板(1)的上面支撑的半导体叠层构造(40)，基板(1)及半导体叠层构造(40)至少具有2个解理面的氮化物半导体元件。具备与2个解理面中的任意一个相接的至少一个解理引发构件(3)，解理引发构件(3)的与解理面平行的方向的尺寸小于基板(1)的上面的与解理面平行的方向的尺寸。

公开(公告)号：CN1286228C

公开(公告)日：2006-11-22

申请号：CN03801328.2

申请日：2003-02-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大塚信之 ,  吉井重雄 ,  横川俊哉

IPC: H01S5/18

CPC classification number: H01S5/187 ,  H01S5/028 ,  H01S5/105 ,  H01S5/124 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/42

Abstract: 本发明的半导体发光元件包括：n型InP基板(1)；以及条纹结构(10)，条纹结构(10)包含在该n型InP基板(1)上条纹状形成的n型InP下部覆盖层、相对于所述n型InP基板(1)而具有平行方向的谐振器的有源层、和p型InP上部覆盖层(5)。这种条纹结构(10)有凹部(9)排列为矩形点阵状的光子晶体结构(2)，光子晶体结构(2)的凹部(9)的排列方向和谐振器方向相同。此外，在谐振器方向上延长的条纹状的上部电极(6)形成在条纹结构(10)上。这样构成的本发明的半导体发光元件相对n型InP基板(1)在垂直的方向上发光。

公开(公告)号：CN1707890A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN200510075140.6

申请日：2005-06-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 长谷川义晃 ,  横川俊哉 ,  石桥明彦

IPC: H01S5/323 ,  H01S5/343 ,  H01S5/00 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光元件，它包括：由氮化物半导体构成的基板；与上述基板的上表面相接连地形成、由含p型杂质的氮化物半导体构成的半导体层；在上述半导体层之上形成、由含第1导电型杂质的氮化物半导体构成的第1包层；在上述第1包层之上形成的活性层；在上述活性层之上形成、由含第2导电型杂质的氮化物半导体构成的第2导电型包层。

公开(公告)号：CN1653624A

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN03810353.2

申请日：2003-05-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 石桥明彦 ,  横川俊哉 ,  大仲清司 ,  古池进

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0265 ,  H01L33/007 ,  H01L33/10 ,  H01L33/46 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/49107

Abstract: 一种半导体发光元件，它具有蓝宝石基板(11)；形成于该基板(11)上，在其上面具有以规定间隔形成条状的多个凹部(121)的u－GaN层(12)；形成于该u－GaN层(12)上的再生长u－GaN层(13)；形成于u－GaN层(13)上，具有n－GaN层(15)、活性层(16)及p－GaN层(19)的层压体；在层压体的一部分被除去而露出的n－GaN层(15)上形成的n型电极(24)；和形成于p－GaN层(19)之上，具有透光性的p型电极(20)，该p型电极(20)构成发光观测面，在u－GaN层(13)的下面与(121)凹部之间形成空气层(S)。

公开(公告)号：CN1650436A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN03809646.3

申请日：2003-09-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 吉井重雄 ,  大塚信之 ,  水野纮一 ,  铃木朝实良 ,  横川俊哉

IPC: H01L29/80 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/1029 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7785

Abstract: 本发明的等离子体振动开关元件包含：半导体基板（101）；在该基板上形成的由Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体构成的第一阻挡层（103），在第一阻挡层上形成的由Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体构成的沟道层（104）；在沟道层上形成的由Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体构成的第二阻挡层（105）；和在第二阻挡层上设置的源极电极（107）、栅极电极（109）以及漏极电极（108），第一阻挡层具有n型扩散层（103a），第二阻挡层具有p型扩散层（105a），沟道层的能带间隙比第一及第二阻挡层的能带间隙小，在第一阻挡层和沟道层之间境界的传导带上积聚二维电子气EG，另一方，在第二阻挡层和沟道层境界的价电子带上积聚二维空穴气HG，各电极经绝缘层（106）在第二阻挡层上形成。

公开(公告)号：CN1173411C

公开(公告)日：2004-10-27

申请号：CN01803862.X

申请日：2001-09-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 北畠真 ,  横川俊哉 ,  楠本修 ,  内田正雄 ,  高桥邦方 ,  山下贤哉

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/365 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/7828

Abstract: 一种DMOS器件(或者IGBT)，它包括：SiC衬底(2)、形成在外延层内的n-SiC层(3)(漂移区)、栅极绝缘膜(6)和栅电极(7a)、将栅电极(7a)包围起来的源电极7b、形成在SiC衬底2下面的漏电极(7c)、p-SiC层(4)、以及从源电极(7b)端部下方到栅电极(7a)端部下方的n+SiC层(5)。外延层的表面部分中除形成有n+SiC层(5)的区域里，叠层形成了含高浓度氮的n型掺杂层(10a)和非掺杂层(10b)。利用量子效果，降低了导通电阻，提高了截止时的耐压。

公开(公告)号：CN1367937A

公开(公告)日：2002-09-04

申请号：CN00811192.8

申请日：2000-11-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 横川俊哉 ,  北畠真 ,  楠本修 ,  高桥邦方 ,  上野山雄

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/0455 ,  H01L29/105 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/365 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7725 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7828 ,  H01L29/7838

Abstract: 一种MISFET半导体装置,它在P型SiC衬底上设有P型有源区(12)、n型源区(13a)及漏区(13b)、由热氧化膜组成的栅绝缘膜(14)、栅电极(15)、源电极(16a)及漏电极(16b)。有源区(12)由薄到能产生量子效应的高浓度P型掺杂层(12a)和厚的未掺杂层(12b)交互叠层形成。载流子渡越时,由于有源区杂质离子散射降低,沟道迁移率提高,在断开状态下由于有源区全体的耗尽层化耐压性提高。还有,由于被俘获在栅绝缘膜中及栅绝缘膜—有源区间的界面附近的电荷减少、沟道迁移率进一步提高。

公开(公告)号：CN102687292B

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201180003875.1

申请日：2011-02-23

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 横川俊哉 ,  大屋满明 ,  山田笃志 ,  加藤亮

IPC: H01L33/32 ,  H01L21/28 ,  H01L33/40 ,  H01S5/042 ,  H01S5/343

Abstract: 本发明的氮化物系半导体元件，具备：具有表面(12)从m面倾斜了1°以上5°以下的角度的p型GaN系半导体区域的氮化物系半导体层叠构造(20)；和设置于p型GaN系半导体区域上的电极(30)。电极(30)包含由从Pt、Mo以及Pd所构成的群中选择的金属和Mg构成的Mg合金层(32)，Mg合金层(32)与半导体层叠构造(20)中的p型GaN系半导体区域的表面(12)相接触。