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公开(公告)号：CN108963042B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN201810467353.0
申请日：2018-05-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 上田章雄
Abstract: 本发明提供RAMO4基板及氮化物半导体装置，该RAMO4基板及氮化物半导体装置具有适当的偏离角及偏离方向，能够使III族氮化物半导体台阶流动生长。为了实现上述目的，设为由通式RAMO4所表示的单晶体构成的RAMO4基板，通式中，R表示从Sc、In、Y、及镧系元素中选择的一个或多个三价元素，A表示从Fe(III)、Ga、及Al中选择的一个或多个三价元素，M表示从Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn、及Cd中选择的一个或多个二价元素。RAMO4基板的主表面具有从C面相对于M轴方向倾斜θa°的偏离角a，并满足0.05°≤|θa|≤0.8°。
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公开(公告)号：CN110578170B
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201910438215.4
申请日：2019-05-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明涉及一种ScAlMgO4单晶及器件，以提供高品质的ScAlMgO4单晶及器件为课题。ScAlMgO4单晶含有Sc、Al、Mg和O，由电感耦合等离子体发射光谱分析法测定的Mg和Al的原子百分率之比即Mg/Al(原子％/原子％)为大于1且小于1.1。
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公开(公告)号：CN110578170A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201910438215.4
申请日：2019-05-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明涉及一种ScAlMgO4单晶及器件，以提供高品质的ScAlMgO4单晶及器件为课题。ScAlMgO4单晶含有Sc、Al、Mg和O，由电感耦合等离子体发射光谱分析法测定的Mg和Al的原子百分率之比即Mg/Al(原子％/原子％)为大于1且小于1.1。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110050330A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201880004481.X
申请日：2018-10-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/30 , C23C16/34 , C30B25/18 , C30B29/38
Abstract: 本发明提供一种高品质的III族氮化物半导体。该III族氮化物半导体具备：包含AlxGa1-xN(0≤x＜1)的n-GaN层；配置于所述n-GaN层上且包含InGaN的InGaN层；配置于所述InGaN层上且包含n型的AlyGa1-yN(0≤y＜1)的n-AlGaN层；以及配置于所述n-AlGaN层上的功能层，所述n-GaN层的Mg浓度比所述n-AlGaN层的Mg浓度大。
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公开(公告)号：CN107403859A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201710055495.1
申请日：2017-01-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L21/0254 , C30B25/183 , C30B29/22 , C30B29/406 , H01L21/02046 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02425 , H01L21/02458 , H01L21/02598 , H01L21/0262 , H01L33/007 , H01L33/12 , H01L33/32 , H01S5/00 , H01L21/02414
Abstract: 在包含基板、和在基板上形成的III族氮化物结晶的III族氮化物半导体中，抑制构成基板的元素向III族氮化物结晶的扩散，且减少III族氮化物结晶的位错。在包含通式RAMO4所表示的单晶体(通式中，R表示选自Sc、In、Y、和镧系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga、和Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn、和Cd中的一个或多个二价元素)的RAMO4基板上，形成包含In和In以外的III族元素的氮化物的缓冲层，在缓冲层上形成III族氮化物结晶。
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公开(公告)号：CN101741010A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910204220.5
申请日：2009-10-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/2201 , H01S5/3213 , H01S2301/18 , H01S2304/04
Abstract: 本发明在GaN基板上形成平坦性及结晶性优越的III族氮化物系半导体层，得到接近高斯形状的垂直FFP形状。氮化物半导体激光装置具有层叠结构体(120)，该层叠结构体(120)包括：包括n型GaN的基板(101)；在基板(101)的主面上与该主面相接而形成的包括AlxGa1-xN(其中，x为0＜x＜1)的n型包覆层(102)；在该n型包覆层(102)上形成的MQW活性层(104)；在该MQW活性层(104)上形成的p型包覆层(107)。基板(101)的主面相对于面方位的(0001)面以0.35°以上且0.7°以下的范围倾斜。另外，构成n型包覆层(102)的AlxGa1-xN中的Al组成x为0.025以上且0.04以下。
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公开(公告)号：CN107403859B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201710055495.1
申请日：2017-01-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L21/0254 , C30B25/183 , C30B29/22 , C30B29/406 , H01L21/02046 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02425 , H01L21/02458 , H01L21/02598 , H01L21/0262 , H01L33/007 , H01L33/12 , H01L33/32 , H01S5/00
Abstract: 在包含基板、和在基板上形成的III族氮化物结晶的III族氮化物半导体中，抑制构成基板的元素向III族氮化物结晶的扩散，且减少III族氮化物结晶的位错。在包含通式RAMO4所表示的单晶体(通式中，R表示选自Sc、In、Y、和镧系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga、和Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn、和Cd中的一个或多个二价元素)的RAMO4基板上，形成包含In和In以外的III族元素的氮化物的缓冲层，在缓冲层上形成III族氮化物结晶。
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公开(公告)号：CN108963042A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810467353.0
申请日：2018-05-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 上田章雄
Abstract: 本发明提供RAMO4基板及氮化物半导体装置，该RAMO4基板及氮化物半导体装置具有适当的偏离角及偏离方向，能够使III族氮化物半导体台阶流动生长。为了实现上述目的，设为由通式RAMO4所表示的单晶体构成的RAMO4基板，通式中，R表示从Sc、In、Y、及镧系元素中选择的一个或多个三价元素，A表示从Fe(III)、Ga、及Al中选择的一个或多个三价元素，M表示从Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn、及Cd中选择的一个或多个二价元素。RAMO4基板的主表面具有从C面相对于M轴方向倾斜θa°的偏离角a，并满足0.05°≤|θa|≤0.8°。
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