公开(公告)号：CN100578534C

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200310123564.6

申请日：2003-12-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高山彻 ,  丸山纯矢 ,  后藤裕吾 ,  大野由美子 ,  秋叶麻衣

IPC: G06K19/077 ,  G06K19/02

CPC classification number: G06K19/077 ,  G06K19/07703 ,  G06Q20/105 ,  G06Q20/3415 ,  G07F7/1008 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2224/45147

Abstract: 本发明的目的是提供一种高功能智能卡，该智能卡可以防止更换脸部相片等伪造行为，从而可以确保该卡的安全，并且该卡可以显示脸部相片以外的图像。具有显示器件和多个薄膜集成电路的智能卡，该卡用多个薄膜集成电路控制显示器件的驱动，用于显示器件以及多个薄膜集成电路的半导体元件由多晶半导体膜形成，多个薄膜集成电路被层叠，显示器件和多个薄膜显示器件被搭载到同一个印刷线路板上，智能卡的厚度在0.05mm-1mm的范围内。

公开(公告)号：CN101232040A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200710305407.5

申请日：2002-09-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  秋叶麻衣 ,  小山润

IPC: H01L27/32 ,  H01L27/15 ,  H01L23/522 ,  G09G3/30 ,  G09G3/32

CPC classification number: H01L27/3248 ,  G09G3/2018 ,  G09G3/2022 ,  G09G3/22 ,  G09G3/3225 ,  G09G3/3233 ,  G09G3/3241 ,  G09G3/325 ,  G09G3/3258 ,  G09G3/3283 ,  G09G2300/04 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2300/0814 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2300/0861 ,  G09G2300/0866 ,  G09G2310/0256 ,  G09G2310/0262 ,  G09G2310/027 ,  G09G2310/0286 ,  G09G2310/0291 ,  G09G2310/08 ,  G09G2320/0233 ,  G09G2320/043 ,  G09G2320/045 ,  G09G2330/028 ,  G09G2330/04 ,  G09G2330/045 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/13 ,  H01L27/15 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3265 ,  H01L27/3276 ,  H01L27/3279 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0038 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/0073 ,  H01L51/0081 ,  H01L51/0085 ,  H01L51/0087 ,  H01L51/5259 ,  H01L2227/323 ,  H01L2251/308

Abstract: 本发明涉及发光器件、发光器件驱动方法、以及电子设备。通过不利用待要施加到TFT的电压而是利用在信号线驱动电路中控制流到TFT的电流来控制发光元件的亮度，流到发光元件的电流被保持在所希望的数值，而不依赖于TFT的特性。而且，每个预定的周期，反偏置电压被施加到发光元件。由于上述二种结构提供了放大效应，故有可能防止由有机发光层的退化造成的亮度退化，而且有可能将流到发光元件的电流保持到所希望的数值，而不依赖于TFT的特性。

公开(公告)号：CN101122660A

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200710142302.2

申请日：2003-05-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  加藤清 ,  荒井康行 ,  秋叶麻衣

IPC: G02B6/43

CPC classification number: G09G3/3275 ,  G02B6/43 ,  G09G2360/14 ,  G09G2370/08 ,  H01L25/0657 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06551 ,  H01L2225/06575 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的是提供一种使用廉价玻璃衬底、能够适应信息量的增加并进而具有高性能和高速工作的集成电路的半导体器件。在多个玻璃衬底上形成构成集成电路的各种电路，各玻璃衬底间的信号传输通过称为光互连的利用光信号完成。具体地，在被布置在形成于一个玻璃衬底上的上级的电路的输出端提供光发射元件，并形成光检测元件以与布置在形成于另一个玻璃衬底上的下级的电路的输入端的相关光检测元件相对。然后，从位于上级的电路输出的电信号转化而来的光信号被从光发射元件输出，相关光信号被光检测元件转化成电信号并输入到位于下级的电路。

公开(公告)号：CN1248287C

公开(公告)日：2006-03-29

申请号：CN02152955.8

申请日：2002-11-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  下村明久 ,  大谷久 ,  广木正明 ,  田中幸一郎 ,  志贺爱子 ,  秋叶麻衣 ,  笠原健司

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  G06F9/45

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/0268 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/2026 ,  H01L23/544 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/04 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 根据TFT排列，实现了对晶粒的位置控制，同时，提高了在结晶过程中的处理速度。更具体地说，提供了一种半导体设备的制造方法，在这种制造方法中，可以通过人为控制的超级横向生长，来连续形成具有大颗粒尺寸的晶体，并提高在激光结晶过程中的基底处理效率。在这种半导体设备的制造方法中，不用对基底表面内的整个半导体膜进行激光照射，而是形成作为定位参照的标记，以便尽量少地使必需的部分结晶。因此，激光结晶所需的时间周期可以缩短，从而加快基底的处理速度。将上述结构应用到传统的SLS方法中，可以解决传统SLS方法的内在问题，这是因为在传统SLS方法中，基底处理效率很低。

公开(公告)号：CN1435864A

公开(公告)日：2003-08-13

申请号：CN03102283.9

申请日：2003-01-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 矶部敦生 ,  山崎舜平 ,  小久保千穗 ,  田中幸一郎 ,  下村明久 ,  荒尾达也 ,  宫入秀和 ,  秋叶麻衣

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明的目的在于提供一种制造半导体器件的方法，以及一种使用该制造方法制造的半导体器件，其中使用激光晶化方法，它能够防止在TFT沟道形成区中形成晶界，并且能够防止所有由于晶界导致的TFT迁移率的显著下降、接通电流降低和关断电流增加。形成具有条形形状或矩形形状的凹陷和凸起。用连续波激光沿绝缘膜条形形状的凹陷和凸起、或沿矩形形状的纵轴方向或横轴方向辐照形成在绝缘膜上的半导体膜。注意虽然此时最优选使用连续波激光，但也可以使用脉冲波激光。

公开(公告)号：CN1428873A

公开(公告)日：2003-07-09

申请号：CN02160521.1

申请日：2002-12-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 矶部敦生 ,  大力浩二 ,  柴田宽 ,  小久保千穗 ,  荒尾达也 ,  早川昌彦 ,  宫入秀和 ,  下村明久 ,  田中幸一郎 ,  山崎舜平 ,  秋叶麻衣

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/268 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02683 ,  B23K26/032 ,  B23K26/0608 ,  B23K26/067 ,  B23K26/0738 ,  B23K26/0853 ,  B23K26/10 ,  B23K26/702 ,  B23K2101/40 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/78603

Abstract: 具有沉陷和突起的绝缘膜形成于衬底上。半导体膜形成于绝缘膜上。这样，为了用激光晶化，应变集中的部分选择地形成于半导体膜中。更具体地，条形或矩形沉陷和突起提供在半导体膜中。然后，连续波激光沿着形成于半导体膜中的条形沉陷和突起或在矩形长轴或短轴的方向照射。

公开(公告)号：CN1918708B

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN200580004279.X

申请日：2005-02-01

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 荒井康行 ,  舘村祐子 ,  神野洋平 ,  秋叶麻衣

IPC: H01L27/12 ,  G06K19/077 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1266 ,  G06K19/025 ,  G06K19/07728 ,  G06K19/07749 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/13 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2224/73204

Abstract: 本发明的一个目的是提供一种半导体装置，它能够改善半导体元件的可靠性，并提高其机械强度，而不减小电路规模。该半导体装置包括夹在第一和第二密封薄膜之间的集成电路、与该集成电路电连接的天线，该第一密封薄膜夹在基板和该集成电路之间，它包括多个第一绝缘薄膜和夹在其间的至少一个第二绝缘薄膜，该第二密封缘薄膜包括多个第三绝缘薄膜和夹在其间的至少一个第四绝缘薄膜。第二绝缘薄膜的应力比第一绝缘薄膜低，第四绝缘薄膜的应力比第三绝缘薄膜低。第一和第三绝缘薄膜是无机绝缘薄膜。

公开(公告)号：CN1910600B

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN200580002912.1

申请日：2005-01-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 荒井康行 ,  秋叶麻衣 ,  馆村祐子 ,  神野洋平

IPC: G06K19/077 ,  G06K19/07 ,  G09F3/00 ,  H01L27/12 ,  B42D15/10

CPC classification number: H01L27/1266 ,  G06K19/07718 ,  G06K19/07749 ,  G06K19/0775 ,  G06K19/07779 ,  G06K19/07783 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/13 ,  H01L29/78603 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079

Abstract: 作为非接触的ID标记，ID标签等被广泛使用，要求以很低的成本制造相当数量的ID标记。例如，要求附加到产品上的ID标记以每个1至几日元而制造，或者优选地少于1日元。因而，这种结构和工艺被要求以低成本大量地制造ID标记。在本发明的ID标记、ID卡和ID标签中所包含的薄膜集成电路器件，各包括诸如薄膜晶体管(TFT)的薄膜有源元件。因此，通过剥离在其上形成TFTs的衬底以分离元件，能够以低成本大量地制造ID标记等。

公开(公告)号：CN101299412B

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN200810109622.2

申请日：2003-01-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 矶部敦生 ,  山崎舜平 ,  小久保千穗 ,  田中幸一郎 ,  下村明久 ,  荒尾达也 ,  宫入秀和 ,  秋叶麻衣

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/77 ,  H01L21/84 ,  H01L29/786 ,  H01L29/04 ,  H01L29/10 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。本发明的目的在于提供一种制造半导体器件的方法，以及一种使用该制造方法制造的半导体器件，其中使用激光晶化方法，它能够防止在TFT沟道形成区中形成晶界，并且能够防止所有由于晶界导致的TFT迁移率的显著下降、接通电流降低和关断电流增加。形成具有条形形状或矩形形状的凹陷和凸起。用连续波激光沿绝缘膜条形形状的凹陷和凸起、或沿矩形形状的纵轴方向或横轴方向辐照形成在绝缘膜上的半导体膜。注意虽然此时最优选使用连续波激光，但也可以使用脉冲波激光。

公开(公告)号：CN100440538C

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN02160521.1

申请日：2002-12-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 矶部敦生 ,  大力浩二 ,  柴田宽 ,  小久保千穗 ,  荒尾达也 ,  早川昌彦 ,  宫入秀和 ,  下村明久 ,  田中幸一郎 ,  山崎舜平 ,  秋叶麻衣

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/268 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02683 ,  B23K26/032 ,  B23K26/0608 ,  B23K26/067 ,  B23K26/0738 ,  B23K26/0853 ,  B23K26/10 ,  B23K26/702 ,  B23K2101/40 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/78603

Abstract: 具有沉陷和突起的绝缘膜形成于衬底上。半导体膜形成于绝缘膜上。这样，为了用激光晶化，应变集中的部分选择地形成于半导体膜中。更具体地，条形或矩形沉陷和突起提供在半导体膜中。然后，连续波激光沿着形成于半导体膜中的条形沉陷和突起或在矩形长轴或短轴的方向照射。