公开(公告)号：CN101308845B

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200810100204.7

申请日：2008-05-16

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 锅义博 ,  波多野正喜 ,  浅见博 ,  森本明大

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/146 ,  H01L23/482 ,  H01L23/367 ,  H01L21/822 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L27/14618 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/481 ,  H01L31/0203 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/16235 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：半导体基板，具有形成在有源表面上的第一电子电路和第二电子电路；焊盘电极，通过连接到第一电子电路和/或第二电子电路形成在有源表面上；第一开口，从半导体基板的与有源表面的相反侧的表面朝着焊盘电极沿着半导体基板的深度形成到某一位置；第二开口，形成为从第一开口的底部表面到达焊盘电极；绝缘层，通过覆盖第一开口和第二开口的侧壁表面形成；传导层，通过至少覆盖绝缘层的内壁表面和第二开口的底部表面而形成；第三开口，从半导体基板的与有源表面相反侧的表面沿着半导体基板的深度形成到某一位置；以及热绝缘体，嵌镶在第三开口中。

公开(公告)号：CN101308845A

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200810100204.7

申请日：2008-05-16

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 锅义博 ,  波多野正喜 ,  浅见博 ,  森本明大

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/146 ,  H01L23/482 ,  H01L23/367 ,  H01L21/822 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L27/14618 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/481 ,  H01L31/0203 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/16235 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：半导体基板，具有形成在有源表面上的第一电子电路和第二电子电路；焊盘电极，通过连接到第一电子电路和/或第二电子电路形成在有源表面上；第一开口，从半导体基板的与有源表面的相反侧的表面朝着焊盘电极沿着半导体基板的深度形成到某一位置；第二开口，形成为从第一开口的底部表面到达焊盘电极；绝缘层，通过覆盖第一开口和第二开口的侧壁表面形成；传导层，通过至少覆盖绝缘层的内壁表面和第二开口的底部表面而形成；第三开口，从半导体基板的与有源表面相反侧的表面沿着半导体基板的深度形成到某一位置；以及热绝缘体，嵌镶在第三开口中。

公开(公告)号：CN101079372A

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：CN200710104506.7

申请日：2007-05-25

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 波多野正喜 ,  浅见博

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L21/6835 ,  H01L24/73 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法和半导体装置的制备方法。该基板处理方法包括步骤：将被处理基板的一侧表面接合到支撑基板；在被处理基板被支撑基板支撑的状态下处理被处理基板；以及从被处理基板除去支撑基板。将被处理基板接合到支撑基板的步骤包括熔化形成在被处理基板上以接合被处理基板到支撑基板的接合凸点，以及从被处理基板除去支撑基板的步骤包括抛光支撑基板以除去支撑基板。

公开(公告)号：CN100580869C

公开(公告)日：2010-01-13

申请号：CN200710104506.7

申请日：2007-05-25

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 波多野正喜 ,  浅见博

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L21/6835 ,  H01L24/73 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法和半导体装置的制备方法。该基板处理方法包括步骤：将被处理基板的一侧表面接合到支撑基板；在被处理基板被支撑基板支撑的状态下处理被处理基板；以及从被处理基板除去支撑基板。将被处理基板接合到支撑基板的步骤包括熔化形成在被处理基板上以接合被处理基板到支撑基板的接合凸点，以及从被处理基板除去支撑基板的步骤包括抛光支撑基板以除去支撑基板。

公开(公告)号：CN100470793C

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200610059208.6

申请日：2006-03-15

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 波多野正喜 ,  高冈裕二

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L25/0655 ,  H01L23/5389 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/051 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供了一种廉价且能够抑制信号传输延迟的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：多个半导体芯片；半导体衬底，在其同一表面上具有用于把所述多个半导体芯片彼此电连接的芯片到芯片互连以及连接到所述芯片到芯片互连的多个芯片连接焊盘；以及布线板，具有多个焊接区，所述焊接区的间距大于所述芯片连接焊盘的间距，其中所述多个半导体芯片的每个的主表面通过第一连接器连接到所述芯片连接焊盘，以便把所述多个半导体芯片安装在半导体衬底上，且在所述主表面上除面对所述半导体衬底的区域之外形成外部连接焊盘并通过第二连接器将其连接到所述布线板上的所述焊接区。

公开(公告)号：CN1835229A

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：CN200610059208.6

申请日：2006-03-15

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 波多野正喜 ,  高冈裕二

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L25/0655 ,  H01L23/5389 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/051 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供了一种廉价且能够抑制信号传输延迟的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：多个半导体芯片；半导体衬底，在其同一表面上具有用于把所述多个半导体芯片彼此电连接的芯片到芯片互连以及连接到所述芯片到芯片互连的多个芯片连接焊盘；以及布线板，具有多个焊接区，所述焊接区的间距大于所述芯片连接焊盘的间距，其中所述多个半导体芯片的每个的主表面通过第一连接器连接到所述芯片连接焊盘，以便把所述多个半导体芯片安装在半导体衬底上，且在所述主表面上除面对所述半导体衬底的区域之外形成外部连接焊盘并通过第二连接器将其连接到所述布线板上的所述焊接区。