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公开(公告)号：CN101483162A
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200910000776.2
申请日：2009-01-09
IPC: H01L23/485 , H01L21/60 , H01L21/768
CPC classification number: H01L27/14618 , H01L21/76831 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/16 , H01L2224/05009 , H01L2224/05022 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05548 , H01L2224/05573 , H01L2224/05624 , H01L2224/05666 , H01L2224/05671 , H01L2224/05681 , H01L2224/13025 , H01L2224/16 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01078 , H01L2924/14 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明涉及具有形成在半导体芯片中的通孔互连部的半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括半导体基板、绝缘层、过孔和通孔互连部。所述绝缘层形成在所述半导体基板上。所述过孔形成为穿过所述半导体基板和绝缘层。通过填充在所述半导体基板与形成在所述半导体基板上的绝缘层之间的边界上的凹入部，使形成在所述过孔的内表面上的绝缘层的表面基本平坦化。因此，由于能够防止导电层形成可能集中有由累积热或其它情况引起的热膨胀应力的诸如凸起部等部分，能够提高半导体装置的可靠性。
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公开(公告)号：CN101192620A
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200710196119.0
申请日：2007-11-28
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L23/485 , H01L23/10
CPC classification number: H01L27/14618 , H01L23/481 , H01L24/02 , H01L27/14636 , H01L27/14683 , H01L2224/0401 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/05042
Abstract: 本发明涉及一种固体摄像装置，其可以防止向电极焊盘的应力集中造成的断线等损伤。固体摄像装置(1)具备：在表面装设有排列着光敏元件的摄像区域(S)和设于摄像区域(S)的周边的电极焊盘(12)的半导体基板(11)、经由密封剂(21)结合于该半导体基板(11)的表面上的透明基板(22)、以贯穿半导体基板(11)的状态自电极焊盘(12)到达半导体基板(11)背面(11a)的背面布线(16)，在半导体基板(11)和密封剂(21)之间，以至少覆盖所述电极焊盘(12)的状态设有由无机类绝缘材料构成的保护膜(31)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101483162B
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200910000776.2
申请日：2009-01-09
IPC: H01L23/485 , H01L21/60 , H01L21/768
CPC classification number: H01L27/14618 , H01L21/76831 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/16 , H01L2224/05009 , H01L2224/05022 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05548 , H01L2224/05573 , H01L2224/05624 , H01L2224/05666 , H01L2224/05671 , H01L2224/05681 , H01L2224/13025 , H01L2224/16 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01078 , H01L2924/14 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明涉及具有形成在半导体芯片中的通孔互连部的半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括半导体基板、绝缘层、过孔和通孔互连部。所述绝缘层形成在所述半导体基板上。所述过孔形成为穿过所述半导体基板和绝缘层。通过填充在所述半导体基板与形成在所述半导体基板上的绝缘层之间的边界上的凹入部，使形成在所述过孔的内表面上的绝缘层的表面基本平坦化。因此，由于能够防止导电层形成可能集中有由累积热或其它情况引起的热膨胀应力的诸如凸起部等部分，能够提高半导体装置的可靠性。
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公开(公告)号：CN100470793C
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200610059208.6
申请日：2006-03-15
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L25/0655 , H01L23/5389 , H01L2224/05001 , H01L2224/05022 , H01L2224/05023 , H01L2224/05026 , H01L2224/051 , H01L2224/05568 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/1703 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2924/10253 , H01L2924/15153 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/157 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供了一种廉价且能够抑制信号传输延迟的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：多个半导体芯片；半导体衬底，在其同一表面上具有用于把所述多个半导体芯片彼此电连接的芯片到芯片互连以及连接到所述芯片到芯片互连的多个芯片连接焊盘；以及布线板，具有多个焊接区，所述焊接区的间距大于所述芯片连接焊盘的间距，其中所述多个半导体芯片的每个的主表面通过第一连接器连接到所述芯片连接焊盘，以便把所述多个半导体芯片安装在半导体衬底上，且在所述主表面上除面对所述半导体衬底的区域之外形成外部连接焊盘并通过第二连接器将其连接到所述布线板上的所述焊接区。
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公开(公告)号：CN1835229A
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200610059208.6
申请日：2006-03-15
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L25/0655 , H01L23/5389 , H01L2224/05001 , H01L2224/05022 , H01L2224/05023 , H01L2224/05026 , H01L2224/051 , H01L2224/05568 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/1703 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2924/10253 , H01L2924/15153 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/157 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供了一种廉价且能够抑制信号传输延迟的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：多个半导体芯片；半导体衬底，在其同一表面上具有用于把所述多个半导体芯片彼此电连接的芯片到芯片互连以及连接到所述芯片到芯片互连的多个芯片连接焊盘；以及布线板，具有多个焊接区，所述焊接区的间距大于所述芯片连接焊盘的间距，其中所述多个半导体芯片的每个的主表面通过第一连接器连接到所述芯片连接焊盘，以便把所述多个半导体芯片安装在半导体衬底上，且在所述主表面上除面对所述半导体衬底的区域之外形成外部连接焊盘并通过第二连接器将其连接到所述布线板上的所述焊接区。
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公开(公告)号：CN101266991B
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200810085095.6
申请日：2008-03-17
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L23/485 , H01L21/60
CPC classification number: H01L27/14618 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L31/0224 , H01L2224/02372 , H01L2224/02377 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/05647 , H01L2224/1134 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/16238 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/12042 , H01L2924/30105 , H01L2924/351 , H01L2924/014 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括半导体衬底，其具有彼此相对的第一及第二表面，所述第一表面是设置有电子元件的有源表面；衬垫电极，形成于所述有源表面上的所述电子元件的周边部分中，并与所述电子元件连接；第一开口，其从所述半导体衬底的所述第二表面向所述衬垫电极延伸并且不到达所述所述半导体衬底的所述第一表面；第二开口，被形成为从所述第一开口的底表面到达所述衬垫电极，其具有比所述第一开口更小的直径；绝缘层，被形成为覆盖所述第一开口及所述第二开口的侧壁表面；以及导电层，其形成在所述绝缘层的内侧，以至少覆盖所述绝缘层的内壁表面以及所述第二开口的底表面。
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公开(公告)号：CN101266991A
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200810085095.6
申请日：2008-03-17
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L23/485 , H01L21/60
CPC classification number: H01L27/14618 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L31/0224 , H01L2224/02372 , H01L2224/02377 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/05647 , H01L2224/1134 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/16238 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/12042 , H01L2924/30105 , H01L2924/351 , H01L2924/014 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括半导体衬底，其具有彼此相对的第一及第二表面，所述第一表面是设置有电子元件的有源表面；衬垫电极，形成于所述有源表面上的所述电子元件的周边部分中，并与所述电子元件连接；第一开口，其从所述半导体衬底的所述第二表面向所述衬垫电极延伸并且不到达所述半导体衬底的所述第一表面；第二开口，被形成为从所述第一开口的底表面到达所述衬垫电极，其具有比所述第一开口更小的直径；绝缘层，被形成为覆盖所述第一开口及所述第二开口的侧壁表面；以及导电层，其形成在所述绝缘层的内侧，以至少覆盖所述绝缘层的内壁表面以及所述第二开口的底表面。
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