公开(公告)号：CN101483162A

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200910000776.2

申请日：2009-01-09

Applicant: 索尼株式会社 ,  株式会社藤仓

Inventor： 原田恵充 ,  铃木优美 ,  锅义博 ,  高冈裕二 ,  和田英之 ,  猿田正畅 ,  末益龙夫

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/14618 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明涉及具有形成在半导体芯片中的通孔互连部的半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括半导体基板、绝缘层、过孔和通孔互连部。所述绝缘层形成在所述半导体基板上。所述过孔形成为穿过所述半导体基板和绝缘层。通过填充在所述半导体基板与形成在所述半导体基板上的绝缘层之间的边界上的凹入部，使形成在所述过孔的内表面上的绝缘层的表面基本平坦化。因此，由于能够防止导电层形成可能集中有由累积热或其它情况引起的热膨胀应力的诸如凸起部等部分，能够提高半导体装置的可靠性。

公开(公告)号：CN101192620A

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN200710196119.0

申请日：2007-11-28

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 铃木优美 ,  原田惠充 ,  锅义博 ,  高冈裕二 ,  滝泽正明 ,  酒井千秋

IPC: H01L27/146 ,  H01L23/485 ,  H01L23/10

CPC classification number: H01L27/14618 ,  H01L23/481 ,  H01L24/02 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14683 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042

Abstract: 本发明涉及一种固体摄像装置，其可以防止向电极焊盘的应力集中造成的断线等损伤。固体摄像装置(1)具备：在表面装设有排列着光敏元件的摄像区域(S)和设于摄像区域(S)的周边的电极焊盘(12)的半导体基板(11)、经由密封剂(21)结合于该半导体基板(11)的表面上的透明基板(22)、以贯穿半导体基板(11)的状态自电极焊盘(12)到达半导体基板(11)背面(11a)的背面布线(16)，在半导体基板(11)和密封剂(21)之间，以至少覆盖所述电极焊盘(12)的状态设有由无机类绝缘材料构成的保护膜(31)。

公开(公告)号：CN101483162B

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN200910000776.2

申请日：2009-01-09

Applicant: 索尼株式会社 ,  株式会社藤仓

Inventor： 原田恵充 ,  铃木优美 ,  锅义博 ,  高冈裕二 ,  和田英之 ,  猿田正畅 ,  末益龙夫

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/14618 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明涉及具有形成在半导体芯片中的通孔互连部的半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括半导体基板、绝缘层、过孔和通孔互连部。所述绝缘层形成在所述半导体基板上。所述过孔形成为穿过所述半导体基板和绝缘层。通过填充在所述半导体基板与形成在所述半导体基板上的绝缘层之间的边界上的凹入部，使形成在所述过孔的内表面上的绝缘层的表面基本平坦化。因此，由于能够防止导电层形成可能集中有由累积热或其它情况引起的热膨胀应力的诸如凸起部等部分，能够提高半导体装置的可靠性。