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公开(公告)号：KR1020100100614A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：KR1020100015653
申请日：2010-02-22
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/67028 , H01L21/67034 , H01L21/67769
Abstract: PURPOSE: A substrate processing apparatus, a method for reproducing a filtering material, and a storing media are provided to improve the rate of operations by omitting a filtering material replacing operation. CONSTITUTION: A dry gas generating unit(23) heats fluid to obtain a gas for a dry operation. The dry gas generating unit includes a temperature control function. A filtering material(222) eliminates particles in the gas for the dry operation. A filtering material heating unit(234) heats the filtering material. A processing unit implements the dry operation using the gas for the dry operation. A controlling unit controls the temperature for heating the filtering material heating unit.
Abstract translation: 目的：提供基板处理装置，再生过滤材料的方法和存储介质，以通过省略过滤材料替换操作来提高操作速度。 构成：干燥气体发生单元（23）加热流体以获得用于干燥操作的气体。 干燥气体发生单元包括温度控制功能。 过滤材料（222）消除用于干燥操作的气体中的颗粒。 过滤材料加热单元（234）加热过滤材料。 处理单元使用用于干燥操作的气体进行干燥操作。 控制单元控制用于加热过滤材料加热单元的温度。
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公开(公告)号：KR101359137B1
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：KR1020090042659
申请日：2009-05-15
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
Abstract: 본 발명은 건조 유닛에서의 기판에 대한 건조 성능을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 프로그램 및 기억 매체를 제공한다.
기판 처리 장치(1)의 액 처리부(2)에서 액 처리조(6)에 저류된 세정액에 기판(W)을 침지한다. 또한, 건조 처리부(3)에서 챔버(5)를 내부에 형성하는 챔버벽(60)을 가열한다. 챔버벽(60)을 가열한 후, 챔버(5) 내에 유체의 미스트를 공급한다. 챔버(5) 내에 유체의 미스트를 공급한 후, 기판(W)을 액 처리조(6)로부터 챔버(5) 내까지 이동시킨다. 그리고, 기판(W)을 내측조(30)로부터 챔버(5) 내까지 이동시키는 동안에, 또는 기판(W)을 이동시킨 후에, 챔버(5) 내에 건조 가스를 공급하여, 기판(W)의 건조를 행한다.-
公开(公告)号：KR1020080023120A
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：KR1020070086176
申请日：2007-08-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67109 , H01L21/02052 , H01L21/67034 , H01L21/67248
Abstract: A substrate processing method, a substrate processing apparatus, and a program recording medium are provided to supply mixed fluid containing inert gas and processing liquid to a processing chamber where a substrate is accommodated for obtaining the substrate with the reduced number of particles remaining on its surface, and to improve the drying capability by increasing supply amount of the processing liquid. A substrate processing method by drying a substrate by using a fluid heated by a heating device having one or more heating mechanisms for heating the fluid, the method comprises the steps of: supplying inert gas and a processing liquid into the heating device via its inlet for heating a mixed fluid containing the inert gas and processing liquid within the heating device, while supplying the heated mixed fluid that is discharged from an outlet of the heating device, into a processing chamber in which the substrate is disposed, wherein the output of at least one heating mechanism of the heating device maintains a predetermined constant value until a predetermined period of time expires after the processing liquid is supplied to the heating device; and supplying inert gas within the heating device via the inlet for heating the inert gas within the heating device, while supplying the heated inert gas that is discharged from the outlet of the heating device, into the processing chamber, wherein the output of the mechanism of the heating device is determined by a feedback control for setting a temperature of the inert gas during or after heating at a predetermined value.
Abstract translation: 提供基板处理方法，基板处理装置和程序记录介质以将含有惰性气体和处理液体的混合流体供应到容纳基板的处理室中，以获得基板，其表面上剩余的颗粒数量减少 并且通过增加处理液的供给量来提高干燥能力。 一种基板处理方法，通过使用由具有一个或多个用于加热流体的加热机构的加热装置加热的流体来干燥基板，该方法包括以下步骤：将惰性气体和处理液体经由其加热装置的入口 在加热装置内加热含有惰性气体和处理液体的混合流体，同时将从加热装置的出口排出的加热的混合流体供应到其中设置基板的处理室中，其中输出至少 加热装置的一个加热机构保持预定的恒定值，直到处理液体被供应到加热装置之后直到预定的时间段到期; 以及在加热装置内通过用于加热加热装置内的惰性气体的入口在加热装置内供给惰性气体，同时将从加热装置的出口排出的加热的惰性气体供应到处理室中，其中， 加热装置由用于将加热期间或加热后的惰性气体的温度设定为预定值的反馈控制来确定。
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公开(公告)号：KR101231309B1
公开(公告)日：2013-02-07
申请号：KR1020090028469
申请日：2009-04-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 니시무라히데키
IPC: H01L21/302
Abstract: 본 발명은 건조 유닛에서의 기판에 대한 건조 성능을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 프로그램 및 기록 매체를 제공하는 것을 목적으로 한다.
우선 건조 유닛(23)에서 챔버벽(39)을 가열한다. 그리고, 챔버벽(39)의 외부에 있는 대기의 온도보다 낮은 온도의 가스인 냉각 가스를 건조 유닛(23)의 챔버(23a) 내에 공급함으로써 챔버(23a) 내에 있는 가열된 N
2 가스를 냉각 가스로 치환한다. 그 후, 웨이퍼(W)를 세정조(22) 내에서부터 건조 유닛(23)의 챔버(23a) 내까지 이동시킨다. 그리고, 웨이퍼(W)를 세정조(22) 내에서부터 건조 유닛(23)의 챔버(23a) 내까지 이동시키는 동안에, 또는 웨이퍼(W)를 세정조(22) 내에서부터 건조 유닛(23)의 챔버(23a) 내까지 이동시킨 후에, 챔버(23a) 내에 건조 가스를 공급한다.-
公开(公告)号：KR1020090106991A
公开(公告)日：2009-10-12
申请号：KR1020090028469
申请日：2009-04-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 니시무라히데키
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/67034
Abstract: PURPOSE: A substrate processing device, a substrate processing method, and a recording medium with a program are provided to prevent an amount of dry gas absorbed or condensed on a wafer surface from being lowered. CONSTITUTION: A substrate processor includes a cleaning bath(22), a drying unit(23), a holding unit(24), and a controller. The cleaning solution of a substrate(W) flows in a cleaning bath. The drying unit is arranged near the cleaning bath. The drying unit includes a chamber wall, a chamber wall heater, and a cooling gas supply unit. The drying unit dries the substrate by supplying the dry gas to the chamber. The holding unit holds the substrate and moves the substrate between the cleaning bath and the chamber of the drying unit. The controller controls the chamber wall heater, the cooling gas supply unit, and the holding unit.
Abstract translation: 目的：提供基板处理装置，基板处理方法和具有程序的记录介质，以防止在晶片表面上吸收或冷凝的干燥气体的量降低。 构成：基板处理器包括清洗槽（22），干燥单元（23），保持单元（24）和控制器。 基板（W）的清洗液在清洗槽中流动。 干燥单元布置在清洁浴室附近。 干燥单元包括室壁，室壁加热器和冷却气体供应单元。 干燥单元通过将干燥气体供应到室来干燥基板。 保持单元保持基板并将基板移动到清洁槽和干燥单元的室之间。 控制器控制室壁加热器，冷却气体供应单元和保持单元。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160076467A
公开(公告)日：2016-06-30
申请号：KR1020150182676
申请日：2015-12-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , C02F103/34 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67017 , C23C16/4407 , H01J37/32862
Abstract: 약액공급라인에사용되는불소계수지의금속오염을단기간에효율적으로제거한다. 피처리체에약액을공급하는약액공급라인(25)에사용되는불소계수지의내벽에존재하는금속오염을제거함에있어서, 금속오염을구성하는금속에대하여반응성을갖는세정물질을, 그일부또는전부를기체상으로하여약액공급라인(25)에공급하고, 기체상의세정물질을약액공급라인(25)에사용되는불소계수지의내벽에존재하는금속오염에작용시켜금속오염을제거한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种去除金属污染的方法和装置。 用于医用液体供给管线的氟系树脂的污染能够在短时间内有效地除去。 为了将用于向被处理物供给医用液体的医用流体供给管线（25）所用的氟系树脂的内壁上除去金属污染物，可以向形成金属的金属供给具有反应性的清洗材料 在气相中一部分或全部洗涤材料对药液供应管线（25）的污染; 并且允许气相洗涤材料与用于医用流体供给管线（25）的氟系树脂的内壁上存在的金属污染物反应，以去除金属污染物。
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公开(公告)号：KR1020150131968A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：KR1020150063007
申请日：2015-05-06
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01L21/67017 , B08B9/032 , H01L21/67023
Abstract: 본발명은기판액 처리장치의회수라인을효율적으로세정하는것을과제로한다. 기판액 처리장치는, 기판을처리액으로처리하는적어도하나의처리부와, 상기처리액을저류하는저류탱크와, 상기저류탱크내로부터상기처리액을취출하고, 상기저류탱크로복귀시키는순환라인과, 상기순환라인으로부터분기되어, 상기처리부에상기처리액을공급하는분기공급라인과, 상기처리부에서상기기판에공급된후의처리액을상기저류탱크로복귀시키는회수라인과, 상기순환라인과상기회수라인을접속하는분배라인과, 상기분배라인에설치되고, 상기회수라인의세정시에개방되는개폐밸브를구비하고있다. 순환라인에세정액을순환시키고있을때에, 순환라인을흐르는세정액의일부를분배라인으로부터회수라인에도입하여회수라인을세정한다.
Abstract translation: 本发明是为了有效地清洗基板液体处理装置的收集线。 基板液体处理装置包括：至少一个处理部件，用处理液处理基板; 存储处理液的储存罐; 循环管线，从储罐中提取处理液体，并将处理液体返回到储罐; 从所述循环管线分支以将处理液体供给到所述处理部件的分支供给管线; 将从所述处理部供给到所述基板的处理液返回到所述储存罐的收集线; 将循环线连接到收集线的分配线; 以及安装在配送线路上的打开/关闭阀，并且当收集线被清洁时打开。 当清洗液体在循环管线中循环时，清洁液体的一部分从分配管线引导到收集管线，以清洁收集管线。
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公开(公告)号：KR101315581B1
公开(公告)日：2013-10-10
申请号：KR1020100015653
申请日：2010-02-22
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/67028 , H01L21/67034 , H01L21/67769
Abstract: 본 발명은, 건조 처리에 이용되는 가스 중의 파티클을 제거하는 여과재에 대하여, 이 여과재를 가스가 흐르는 유로 상에 배치한 상태로 이 여과재에 부착된 부착물을 제거하는 것이 가능한 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
기판 처리 장치(1)는 건조 가스 발생부(23)에서 건조용 가스를 발생시키고, 이 건조용 가스를 여과재(31)를 통하여 흐르게 하여 파티클을 제거한 후, 처리부에서 액체가 부착된 기판(W)과 접촉시켜 기판(W)의 건조 처리를 행한다. 여과재 가열부는, 건조 처리시에는, 건조 가스의 온도를 노점(露点) 이상으로 유지하기 위해서 여과재(31)를 제1 온도로 가열하고, 여과재(31)의 재생 처리시에는, 여과재(31)에 부착된 부착물을 기화시켜 제거하기 위해서 여과재(31)를 제1 온도보다 높은 제2 온도로 가열한다.-
公开(公告)号：KR1020090122882A
公开(公告)日：2009-12-01
申请号：KR1020090042659
申请日：2009-05-15
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/67034 , H01L21/67057
Abstract: PURPOSE: A substrate treating apparatus, a substrate treating method, and a storage medium are provided to maintain a gas inside a chamber into a temperature lower than a temperature of a chamber wall at a short time by supplying mist of a fluid state to an inner part of the chamber after heating the chamber wall in a drying unit. CONSTITUTION: A solution treating tub(6) stirs a cleaning solution of a substrate. A chamber wall(60) is formed inside a chamber(5). A heating part for the chamber wall heats the chamber wall. A fluid mist supply part supplies a mist of a fluid state to an inner part of the chamber. A drying gas supply part supplies a drying gas to an inner part of the chamber. A maintaining part(26) moves the substrate in between an inner part of the solution treating tub and an inner part of the chamber of the drying unit.
Abstract translation: 目的：提供基板处理装置，基板处理方法和存储介质，以通过将流体状态的雾提供给内部的内部，将室内的气体在短时间内维持在低于室壁的温度的温度 在干燥单元中加热室壁之后的室的一部分。 构成：溶液处理桶（6）搅拌基材的清洗溶液。 在室（5）内形成室壁（60）。 用于室壁的加热部分加热室壁。 流体雾供给部将流体状态的雾供给到室的内部。 干燥气体供给部将干燥气体供给到室的内部。 保持部件26使溶液处理槽的内部和干燥单元的室的内部之间移动基板。
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公开(公告)号：KR1020150060547A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：KR1020140162505
申请日：2014-11-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/67017
Abstract: (과제) 필터내부에오염물질이존재하는경우에그 오염물질의순환계로의확산을최소한으로억제하면서, 필터를순환라인의미리정해진위치에장착한상태로필터를세정한다. (해결수단) 필터세정방법은, 필터(108)를순환라인(104)의미리정해진위치에설치한상태로, 순환라인의일부만및 탱크(102)에제1 플러싱액을공급함으로써필터의내부를상기제1 플러싱액으로채우는플러싱액충전공정과, 이공급된플러싱액을, 순환라인의상기일부또는탱크에접속된제1 드레인라인으로부터배출시킴으로써상기필터로부터상기제1 플러싱액을빼내는제1 플러싱액배출공정을포함한다.
Abstract translation: 本发明在污染物质存在于过滤器中时将污染物扩散到循环系统中最小化，并且将过滤器固定在循环管线的预定位置的状态下进行清洗。 清洗过滤器的方法包括：在过滤器（108）的条件下，通过将第一冲洗溶液供应到罐（102）和循环管线的一部分而将第一冲洗溶液填充到第一冲洗溶液中的冲洗溶液加料过程， 被安装到循环管线（104）的预定位置; 以及第一冲洗溶液排出处理，通过从连接到所述罐或所述循环管线的一部分的第一排出管排出所提供的冲洗溶液，从所述过滤器提取第一冲洗溶液。
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