公开(公告)号：KR100824088B1

公开(公告)日：2008-04-21

申请号：KR1020067016824

申请日：2003-12-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와카바야시사토시 ,  오카베신야 ,  무라카미세이시 ,  모리시마마사토 ,  다다구니히로

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/46 ,  H01L21/00 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/46 ,  H01L21/28556

Abstract: 반도체 처리용의 성막 처리 용기(4)내에 재치대 장치가 배설된다. 재치대 장치는 피처리 기판(W)을 재치하는 상면 및 상면으로부터 하강하는 측면을 갖는 재치대(16)와, 재치대(16)내에 배설되고, 또한 그 상면을 거쳐서 기판(W)을 가열하는 히터(18)를 포함한다. 재치대(16)의 상면 및 측면을 CVD 프리코트층(28)이 피복한다. 프리코트층(28)은 히터(18)의 가열에 유래하는 재치대(16)의 상면 및 측면으로부터의 복사열량을 실질적으로 포화시키는 두께 이상의 두께를 갖는다.

公开(公告)号：KR3003427770000S

公开(公告)日：2004-01-28

申请号：KR3020030009479

申请日：2003-04-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Designer： 카마이시다카유키 ,  시마무라아키노리 ,  모리시마마사토

公开(公告)号：KR100892789B1

公开(公告)日：2009-04-10

申请号：KR1020057005619

申请日：2003-12-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와카바야시사토시 ,  오카베신야 ,  무라카미세이시 ,  모리시마마사토 ,  다다구니히로

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/285 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/46 ,  H01L21/28556

Abstract: 반도체 처리용의 성막 처리 용기(4)내에 재치대 장치가 배설된다. 재치대 장치는 피처리 기판(W)을 재치하는 상면 및 상면으로부터 하강하는 측면을 갖는 재치대(16)와, 재치대(16)내에 배설되고, 또한 그 상면을 거쳐서 기판(W)을 가열하는 히터(18)를 포함한다. 재치대(16)의 상면 및 측면을 CVD 프리코트층(28)이 피복한다. 프리코트층(28)은 히터(18)의 가열에 유래하는 재치대(16)의 상면 및 측면으로부터의 복사열량을 실질적으로 포화시키는 두께 이상의 두께를 갖는다.

公开(公告)号：KR100884852B1

公开(公告)日：2009-02-23

申请号：KR1020077023634

申请日：2004-05-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 무라카미세이시 ,  모리시마마사토 ,  나루시마겐사쿠

IPC: H01L21/285 ,  C23C16/42

CPC classification number: H01L21/28518 ,  C23C16/08 ,  C23C16/56

Abstract: Si 웨이퍼(1)상에 티탄 실리사이드막(4)을 성막한다. 이 때문에, 먼저, Si 웨이퍼(1)를 고주파를 이용한 플라즈마에 의해 처리한다. 다음에, 플라즈마에 의한 처리가 실시된 Si 함유 부분상에 Ti 함유 원료 가스를 공급하여, 플라즈마를 생성하여 Ti막을 성막하고, 그 때의 Ti막과 Si 함유 부분의 Si와의 반응에 의해 티탄 실리사이드막(4)을 형성한다. Si 웨이퍼(1)의 플라즈마에 의한 처리는, Si 웨이퍼(1)에 절대값이 200V 이상의 DC 바이어스 전압(Vdc)을 인가하면서 실행한다.

公开(公告)号：KR100739890B1

公开(公告)日：2007-07-13

申请号：KR1020077001009

申请日：2004-04-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가마이시다카유키 ,  시마무라아키노리 ,  모리시마마사토

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01J37/32449 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67126

Abstract: 플라즈마 발생부와 피처리기판을 내부에 수용하는 챔버를 갖는 플라즈마처리장치의 상기 플라즈마발생부와 상기 챔버와의 사이에 마련되고, 상기 플라즈마발생부와 상기 챔버로 형성되는 처리공간에 처리가스를 도입하는 처리가스도입기구에 있어서, 상기 플라즈마발생부를 지지함과 동시에 상기 챔버에 놓이고, 처리가스를 상기 처리공간에 도입하는 가스도입로가 형성되고, 그 중앙에 상기 처리공간의 일부를 이루는 구멍부를 갖는 가스도입베이스와, 상기 가스도입베이스의 상기 구멍부에 분리하여 가능하게 장착되고, 상기 가스도입로로부터 상기 처리공간에 연통하여 상기 처리가스를 상기 처리공간에 토출하는 복수의 가스토출구멍을 갖는 대략 링형상을 이루는 가스도입플레이트를 갖는 처리가스도입기구가 제공된다.

公开(公告)号：KR1020070012573A

公开(公告)日：2007-01-25

申请号：KR1020077001009

申请日：2004-04-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가마이시다카유키 ,  시마무라아키노리 ,  모리시마마사토

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01J37/32449 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67126

Abstract: A plasma processing device having a plasma generation unit and a chamber housing a substrate to be processed thereinside, wherein a process gas introducing mechanism, which is provided between the plasma generation unit and the chamber to introduce a process gas into a process space defined by the plasma generation unit and the chamber, is formed with a gas introducing path that supports a plasma generation unit, is mounted on the chamber and introduces a process gas into a process space, and which has a gas introducing base having at the center thereof a hole forming part of the process space and an almost annular gas introducing plate removably attached to the hole of the gas introducing base and having a plurality of gas emitting holes communicating with the process space from the gas introducing path to emit a process gas into the process space. ® KIPO & WIPO 2007

Abstract translation: 1。一种等离子体处理装置，具有等离子体生成部和容纳被处理基板的腔室，其特征在于，具备：处理气体导入机构，其设置在所述等离子体生成部与所述腔室之间，将处理气体导入由所述处理腔室 等离子体产生单元和腔室形成有支撑等离子体产生单元的气体引入通路，安装在腔室上并将处理气体引入处理空间，并且具有在其中心具有孔的气体引入基底 形成处理空间的一部分和几乎环形的气体引入板，所述环形气体引入板可移除地附接到气体引入基底的孔，并且具有多个气体排放孔，从气体引入路径与处理空间连通以将处理气体排放到处理空间 。 ®KIPO和WIPO 2007

公开(公告)号：KR1020050054983A

公开(公告)日：2005-06-10

申请号：KR1020057005619

申请日：2003-12-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와카바야시사토시 ,  오카베신야 ,  무라카미세이시 ,  모리시마마사토 ,  다다구니히로

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/285 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/46 ,  H01L21/28556

Abstract: A susceptor device is provided in a film- forming vessel (4) for semiconductor processing. The susceptor device includes a susceptor (16) having a top surface on which a wafer (W) to be processed is placed and a side surface extending downward from the top surface and a heater (18) provided in the susceptor (16) and serving to heat the wafer (W) through the top surface. The top and side surfaces of the susceptor (16) is coated with a CVD pre-coat layer (28). The pre-coat layer (28) has a thickness great enough to substantially saturate the amount of heat originated from the heater (18) and radiated from the top and side surfaces of the susceptor (16).

Abstract translation: 在用于半导体处理的成膜容器（4）中设置感受器装置。 所述基座装置包括：基座（16），其具有顶面，待处理的晶片（W）被放置在所述上​​表面上;从所述顶面向下延伸的侧面和设置在所述基座中的加热器， 以通过顶表面来加热晶片（W）。 基座（16）的顶表面和侧表面涂覆有CVD预涂层（28）。 预涂层（28）的厚度足够大以使来自加热器（18）的热量基本饱和并从基座（16）的顶表面和侧表面辐射。

公开(公告)号：KR101361955B1

公开(公告)日：2014-02-13

申请号：KR1020127009381

申请日：2010-08-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사와다이쿠오 ,  강송윤 ,  마츠쿠마마사아키 ,  가사이시게루 ,  모리시마마사토

IPC: H01L21/205 ,  H01L31/04 ,  C23C16/50

CPC classification number: C23C16/4412 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45502 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/509 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32431 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32633

Abstract: 기밀한 처리 용기(10)내에 반응 가스를 반응시켜 기판 S에 박막을 성막하는 성막 장치(1a)에 있어서, 간막이벽(41)은 기판(S)의 위쪽 공간을 플라즈마 생성 공간(401)과 배기 공간(402)으로 횡방향으로 분할하는 동시에, 처리 용기(10)의 천정부에서 아래쪽으로 신장하여 그 하단과 기판 S의 사이에, 플라즈마 생성 공간(401)으로부터 배기 공간(402)에 가스를 흘리는 간극을 형성한다. 활성화 기구(42, 43)는 플라즈마 생성 공간(401)에 공급된 제 1 반응 가스를 활성화하여 플라즈마를 생성한다. 제 2 반응 가스 공급부(411, 412)는 플라즈마 생성 공간(401)의 하부측에 제 1 반응 가스의 활성종과 반응하여 기판상에 박막을 성막하는 제 2 반응 가스를 공급하고, 진공 배기구(23)는 간막이벽(41)의 하단보다 높은 위치에서 배기 공간(402)을 배기한다.

Abstract translation: 用于通过在密封处理容器10中反应气体反应而在基板S上沉积薄膜的分隔装置1a的特征在于，分隔壁41将基板S上方的空间划分为等离子体产生空间401， 该气体在横向方向上被分成空间402并从处理容器10的顶部向下延伸并处于处理容器10的下端与基板S之间， 形式。 激活机构42和43激活供应到等离子体产生空间401的第一反应气体以产生等离子体。 第二反应气体供应单元411和412在等离子体生成空间401的下侧与第一反应气体的活性物质反应，以在基板上供应用于形成薄膜的第二反应气体， 在比分隔壁41的下端高的位置处排出排气空间402。

公开(公告)号：KR100960162B1

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：KR1020087015988

申请日：2003-12-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와카바야시사토시 ,  오카베신야 ,  무라카미세이시 ,  모리시마마사토 ,  다다구니히로

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/46 ,  H01L21/28556

Abstract: 반도체 처리용의 성막 처리 용기(4)내에 재치대 장치가 배설된다. 재치대 장치는 피처리 기판(W)을 재치하는 상면 및 상면으로부터 하강하는 측면을 갖는 재치대(16)와, 재치대(16)내에 배설되고, 또한 그 상면을 거쳐서 기판(W)을 가열하는 히터(18)를 포함한다. 재치대(16)의 상면 및 측면을 CVD 프리코트층(28)이 피복한다. 프리코트층(28)은 히터(18)의 가열에 유래하는 재치대(16)의 상면 및 측면으로부터의 복사열량을 실질적으로 포화시키는 두께 이상의 두께를 갖는다.

Abstract translation: 沉积装置设置在用于半导体处理的成膜处理容器（4）中。 台具有台16，其具有用于放置基板W的上表面和用于从台W的上表面下降的下表面以及设置在台16内用于加热基板W的台16 还有一个加热器（18）。 CVD预涂层28覆盖台16的上表面和侧表面。 由于加热器18的加热，预涂层28具有不小于使来自台16的顶表面和侧表面的辐射热量基本饱和的厚度。

公开(公告)号：KR1020080109100A

公开(公告)日：2008-12-16

申请号：KR1020087029222

申请日：2003-12-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와카바야시사토시 ,  오카베신야 ,  무라카미세이시 ,  모리시마마사토 ,  다다구니히로

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/285 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/46 ,  H01L21/28556

Abstract: A susceptor device is provided in a film- forming vessel (4) for semiconductor processing. The susceptor device includes a susceptor (16) having a top surface on which a wafer (W) to be processed is placed and a side surface extending downward from the top surface and a heater (18) provided in the susceptor (16) and serving to heat the wafer (W) through the top surface. The top and side surfaces of the susceptor (16) is coated with a CVD pre-coat layer (28). The pre-coat layer (28) has a thickness great enough to substantially saturate the amount of heat originated from the heater (18) and radiated from the top and side surfaces of the susceptor (16). ® KIPO & WIPO 2009

Abstract translation: 在用于半导体处理的成膜容器（4）中设置感受器装置。 所述基座装置包括：基座（16），其具有顶面，待处理的晶片（W）被放置在所述上​​表面上;从所述顶面向下延伸的侧面和设置在所述基座中的加热器， 以通过顶表面来加热晶片（W）。 基座（16）的顶表面和侧表面涂覆有CVD预涂层（28）。 预涂层（28）的厚度足够大以使来自加热器（18）的热量基本饱和并从基座（16）的顶表面和侧表面辐射。 ®KIPO＆WIPO 2009