公开(公告)号：KR1020160140423A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：KR1020160063384

申请日：2016-05-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우에다히로카즈 ,  미요시히데노리 ,  오카마사히로 ,  나카무리겐지 ,  고바야시유키 ,  스기모토야스히로

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L21/768 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/2236 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32293 ,  H01J37/32724 ,  H01L21/324 ,  H01L29/16 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/3245 ,  H01L21/76826 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H05H1/46

Abstract: 본발명은게르마늄또는 III-V족을포함하는피처리기판을이용하여고품질의 PN 접합을수반하는반도체소자를제조하는것을목적으로한다. 피처리기판에도펀트를주입하여반도체소자를제조하는방법이다. 마이크로파를이용하여처리용기내에고주파플라즈마를발생시킨다. 발생시킨고주파플라즈마를이용하여, 처리용기내의유지대에유지된게르마늄을포함하는피처리기판에대해플라즈마도핑처리를행한다.

Abstract translation: 公开了一种通过将掺杂剂注入到待处理的基板上来制造半导体元件的方法。 通过使用微波在处理容器内产生高频等离子体。 通过使用所生成的高频等离子体，对保持在处理容器内的保持台上的含锗被处理基板进行等离子体掺杂处理。

公开(公告)号：KR1020140016884A

公开(公告)日：2014-02-10

申请号：KR1020137019681

申请日：2012-01-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 군지이사오 ,  미요시히데노리 ,  하라겐이치

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/317 ,  C23F4/00

CPC classification number: C23F1/02 ,  C23F1/08 ,  C23F4/00 ,  H01J27/026 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3056 ,  H01J37/317 ,  H01J2237/0812 ,  H01J2237/3174 ,  H01L21/32136

Abstract: 피처리체(W)의 표면에 형성된 금속막(72)을 가스 클러스터 빔에 의해 가공하는 금속막의 가공 방법에 있어서, 금속막의 원소를 산화시켜 산화물을 형성하는 산화 가스와, 산화물과 반응하여 유기 금속 착체를 형성하는 착화 가스와, 희가스의 혼합 가스를 단열 팽창시켜 가스 클러스터 빔을 형성하고, 가스 클러스터 빔을 피처리체의 금속막에 충돌시킴으로써 금속막을 에칭 가공한다.

公开(公告)号：KR101267165B1

公开(公告)日：2013-05-23

申请号：KR1020110091667

申请日：2011-09-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미요시히데노리 ,  아즈모슈지

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/208 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/02271 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/28026 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/28264 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/445 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76874 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/22 ,  H01L29/49 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/51 ,  H01L51/0055 ,  H01L51/0094 ,  H01L51/0537

Abstract: 진공장치를사용하지않고, 트랜지스터등의반도체장치에적용할수 있는 MOS 구조의적층막을형성한다. 성막방법은반도체막(3)을갖는기판에폴리실란용액을도포하여, 반도체막(3) 상에폴리실란막(5)을형성하는공정(스텝 1)과, 폴리실란막(5) 상에, 금속염용액을도포하여금속이온함유막(7)을형성하는것에의해, 폴리실란막(5)을폴리실록산막(5A)으로, 금속이온함유막(7)을금속미립자함유막(7A)으로각각개질하는공정(스텝 2)을구비하고, MOS 구조의적층막(100)을형성한다.

公开(公告)号：KR1020120034110A

公开(公告)日：2012-04-09

申请号：KR1020127001744

申请日：2010-07-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마쯔모또겐지 ,  미요시히데노리

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0262 ,  C23C16/40 ,  C23C16/406 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68785 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76855

Abstract: 본 발명은 진공화 가능하게 이루어진 처리 용기 내에서, 유기 금속 원료 가스를 사용해서 피처리체의 표면에 박막을 형성하도록 한 성막 장치에 있어서, 상기 처리 용기 내의 분위기에 노출되는 부재의 표면에 소수층이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 성막 장치이다.

公开(公告)号：KR1020120016652A

公开(公告)日：2012-02-24

申请号：KR1020117030046

申请日：2010-06-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미요시히데노리

IPC: H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76843 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/045 ,  C23C16/18 ,  C23C16/52 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76873 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

Abstract: 저면(底面)에 금속층(3)이 노출되는 오목부(2)를 가지는 low-k막으로 이루어지는 절연층(1)이 표면에 형성된 피처리체에 대하여 성막 처리를 실시하는 성막 방법은, 제 1 금속 예를 들면 루테늄(Ru)을 포함하는 제 1 금속 함유막을 형성하는 제 1 금속 함유막 형성 공정과, 상기 제 1 금속 함유막 형성 공정의 다음에 행해지고, 상기 오목부에 매립되는 매립 금속에 대하여 배리어성을 가지는 제 2 금속 예를 들면 망간(Mn)을 포함하는 제 2 금속 함유막을 형성하는 제 2 금속 함유막 형성 공정을 가진다.

公开(公告)号：KR100847917B1

公开(公告)日：2008-07-22

申请号：KR1020070029914

申请日：2007-03-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  후지쯔 가부시키가이샤 ,  가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼

Inventor： 미요시히데노리 ,  이시카와겐지 ,  다키가와유키오 ,  나카타요시히로 ,  다테이시히데키

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02063 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826

Abstract: 본 발명에 따른 절연막 및 금속층을 갖는 기판을 처리하는 방법은 상기 기판에 무수 카복실산을 공급하는 공정; 및 상기 기판에 무수 카복실산을 공급하는 공정 중에 상기 기판을 가열하는 공정을 포함한다.

公开(公告)号：KR100789858B1

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：KR1020067005431

申请日：2004-11-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미요시히데노리 ,  고무라카즈오

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831

Abstract: CVD 장치(111)에서, 히터에 의해 반도체 웨이퍼(W)를 가열하고, 1,3,5,7-테트라메틸시클로테트라실록산(TMCTS)을 도입하여, 고주파 전압을 인가하지 않고서, 열처리를 하여, 실리콘을 포함하는 다공질 저유전률막의 개질 처리를 한다. 이어서, 동일한 CVD 장치(111)에서, 반도체 웨이퍼(W)를 가열하고, TMCTS를 도입하여, 고주파 전압을 인가하고, TMCTS를 포함하는 가스의 플라즈마를 생성하여, 다공질 저유전률막 위에 밀도·경도가 높은 절연막을 형성한다.

公开(公告)号：KR101399814B1

公开(公告)日：2014-05-27

申请号：KR1020117030618

申请日：2010-06-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠

Inventor： 마츠모토겐지 ,  이토히토시 ,  미요시히데노리 ,  호사카시게토시 ,  사토히로시 ,  네이시고지 ,  고이케주니치

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L21/76814 ,  C23C16/02 ,  C23C16/40 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76867

Abstract: 오목부(2)를 갖는 low-k막으로 이루어지는 절연층(122)이 표면에 형성된 피처리체(W)에 Mn을 포함하는 박막을 형성하는 성막 방법에 있어서, 절연층의 표면에 친수화 처리를 실시해서 친수성의 표면으로 하는 친수화 공정과, 친수화 처리가 실행된 절연층의 표면에 Mn함유 원료를 이용해서 성막 처리를 실시하는 것에 의해 Mn을 포함하는 박막을 형성하는 박막 형성 공정을 갖는다. 이것에 의해, 비유전율이 낮은 low-k막으로 이루어지는 절연층의 표면에 Mn을 포함하는 박막, 예를 들면, MnOx를 효율적으로 형성한다.

公开(公告)号：KR1020120029349A

公开(公告)日：2012-03-26

申请号：KR1020110092870

申请日：2011-09-15

Applicant: 고쿠리츠 다이가쿠 호우징 나고야 다이가쿠 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 호리마사루 ,  도요다히로따까 ,  세끼네마꼬또 ,  이또오히또시 ,  미요시히데노리

IPC: H05H1/46 ,  C23C14/02 ,  C23C16/02

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/3244 ,  H05H2001/4622

Abstract: PURPOSE: A plasma generating apparatus, a plasma processing apparatus, and a plasma processing method are provided to maximally control energy loss by performing plasma processing for a processed object. CONSTITUTION: A microwave generating unit(21) generates a microwave. A hollow shaped rectangular waveguide(22) is connected to the microwave generating unit. A gas supply unit(23) is connected to the rectangular waveguide. The gas supply unit supplies a process gas to the inside. An antenna unit(40) is corresponded to one part of the rectangular waveguide. The antenna unit emits the plasma generated in the inside to the outside. The antenna unit has one or a plurality of slot holes(41) formed in a wall of a short side. The process gas provided within the rectangular waveguide in an atmosphere pressure state becomes like plasma by the microwave.

Abstract translation: 目的：提供一种等离子体发生装置，等离子体处理装置和等离子体处理方法，以通过对被处理物体进行等离子体处理来最大限度地控制能量损失。 构成：微波发生单元（21）产生微波。 中空形矩形波导（22）连接到微波发生单元。 气体供给单元（23）连接到矩形波导管。 气体供应单元向内部供应处理气体。 天线单元（40）对应于矩形波导的一部分。 天线单元将在内部产生的等离子体发射到外部。 天线单元具有形成在短边壁上的一个或多个槽孔（41）。 在大气压状态下设置在矩形波导内的工艺气体变成等离子体。

公开(公告)号：KR1020120025597A

公开(公告)日：2012-03-15

申请号：KR1020127000841

申请日：2010-07-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미요시히데노리 ,  하라마사미치

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L23/53238 ,  C23C16/02 ,  C23C16/0236 ,  C23C16/04 ,  C23C16/042 ,  C23C16/16 ,  C23C16/18 ,  C23C16/405 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76849 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 동을 사용하고 있는 배선과 절연막이 표면에 노출되어 있는 기판에 대해 망간 함유막을 성막하는 성막 방법을 개시한다. 이 성막 방법은 동을 사용하고 있는 배선상에, 망간 화합물을 이용한 CVD법을 이용하여 망간 함유막을 형성하는 공정을 구비한다.